? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23
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新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管，擴(kuò)展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表著下一代電源系統(tǒng)未來
2023-12-01 14:11:45406 
Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布與電源解決方案制造商Salom合作，面向市場推出符合Quick Charge 5標(biāo)準(zhǔn)的100瓦氮化鎵電源適配器，產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2021年
2021-08-12 10:55:49
電流為5A時(shí)可將24V的電壓轉(zhuǎn)換成12V的電壓。開關(guān)頻率被設(shè)定為1MHz；52％的占空比很有必要，因?yàn)樾柩a(bǔ)償功率級的損失。筆者測得功率轉(zhuǎn)換的效率為～96％。為測定上升時(shí)間，筆者使用了觀察儀器游標(biāo)。如果
2018-09-07 14:52:23
的 MOSFET 控制器和 8 位微處理器。偉詮 WT6615F 提供的小巧封裝簡化了外圍元件并且具有整體成本優(yōu)勢。偉詮 WT6615F 內(nèi)建穩(wěn)壓器，支持 3 到 30V 供電電壓范圍而不需要外置穩(wěn)壓器。內(nèi)建
2018-08-07 15:43:18
成本優(yōu)勢。偉詮 WT6615F 內(nèi)建穩(wěn)壓器，支持 3 到 30V 供電電壓范圍而不需要外置穩(wěn)壓器。內(nèi)建存儲器可用于編輯程序以及用戶設(shè)定資料。USB 類型 C 下行端口 （源）、USB PD 修訂版
2018-08-07 15:44:59
偉詮WT6632F是一顆支持USB PD 3.0規(guī)范和高通QC3.0和QC4技術(shù)的USB PD控制器，支持DFP下行端口（源）充電應(yīng)用。高度集成的WT6632F可以應(yīng)用于適配器、車充、移動電源等設(shè)備
2018-05-12 16:19:08
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達(dá)66款氮化鎵快充產(chǎn)品來看，其中，60W及以上占比達(dá)到了五分之三之多；而30W規(guī)格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環(huán)保 為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會，使其在高電壓應(yīng)用中的貢獻(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
卻在這兩個(gè)指標(biāo)上彰顯出了卓越的性能，同時(shí)，它還具備某些附加的技術(shù)優(yōu)勢。氮化鎵的原始功率密度比當(dāng)前砷化鎵和 LDMOS 技術(shù)的高很多，且支持將器件技術(shù)擴(kuò)展到高頻應(yīng)用。氮化鎵技術(shù)允許器件設(shè)計(jì)師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個(gè)很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導(dǎo)體技術(shù)需要解決最引人注目應(yīng)用中現(xiàn)有設(shè)備的一些缺點(diǎn)。氮化鎵為功率調(diào)節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機(jī)會
2019-03-14 06:45:11
推出了連續(xù)波1000 W以上光功率的藍(lán)色激光系統(tǒng)。日本島津也報(bào)道了應(yīng)用于水下通信的光WiFi系統(tǒng)。 三、前景與挑戰(zhàn) 隨著襯底、外延和器件的制備和封裝技術(shù)的進(jìn)步，特別是采用導(dǎo)電透明氧化物為激光器光腔
2020-11-27 16:32:53
)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。 與LDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴(kuò)展至高頻率。同時(shí)，綜合測試
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個(gè)更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
電子元器件等級介紹常見的電子元器件一般是按照使用溫度、輻射、抗干擾等來分級。等級分為以下5類：商業(yè)級、工業(yè)級、汽車級、軍工級、航天級。商業(yè)級——溫度為：0℃～+70℃，市面上常見的、經(jīng)常交易的那種
2018-06-29 18:00:35
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機(jī)
2018-11-05 09:51:35
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果，最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用。”意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢與直觀、靈活的軟件和信號控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
忽略不計(jì)。最后，在量產(chǎn) 階段MACOM氮化鎵的單個(gè)裸片尺寸只是LDMOS的1/4 到1/6，可以支持更低的成本結(jié)構(gòu)。 MACOM氮化鎵的高功率密度可實(shí)現(xiàn)更小的器件封裝。 另外，設(shè)計(jì)人員可以在保持既有功率
2017-08-30 10:51:37
MAGe-1002425-300W器件是一款硅基氮化鎵器件，工作電壓為50V，連續(xù)波工作功率為300W時(shí)效率可達(dá)70%。此器件基于TO-272-4塑料封裝，這是一種極具成本效益的耐熱增強(qiáng)型封裝。我們
2017-09-06 14:44:16
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的各個(gè)電端子之間的距離縮短十倍。這樣可以實(shí)現(xiàn)更低的電阻損耗，以及電子具備更短的轉(zhuǎn)換時(shí)間。總的來說，氮化鎵器件具備更快速的開關(guān)、更低的功率損耗及更低的成本優(yōu)勢。由于氮化鎵技術(shù)在低功耗、小尺寸等方面具有獨(dú)特
2017-07-18 16:38:20
設(shè)計(jì)流程中都必須對封裝策略和如何折中進(jìn)行考慮和給與極大的關(guān)注。許多MEMS產(chǎn)品供應(yīng)商都會把產(chǎn)品封裝作為進(jìn)行市場競爭的主要產(chǎn)品差異和競爭優(yōu)勢。封裝選擇規(guī)則設(shè)計(jì)MEMS器件的封裝往往比設(shè)計(jì)普通集成電路的封裝
2010-12-29 15:44:12
系列光隔離探頭現(xiàn)場條件因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。現(xiàn)場連接圖如下：▲圖1：接線
2023-01-12 09:54:23
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-05 06:56:41
為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些
2019-07-09 08:17:05
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
SGFCF2002S-D氮化鎵晶體管SGNH130M1H氮化鎵晶體管SGNE010MK氮化鎵晶體管SGCA100M1H氮化鎵晶體管SGCA030M1H氮化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:24:16
設(shè)備、測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號: TGF2977-SM產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理莫先生：***V信歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息鈺泰半導(dǎo)體瞄準(zhǔn)小功率氮化鎵合
2021-12-27 15:02:50
，GaN-on-Si 將實(shí)現(xiàn)成本結(jié)構(gòu)和使用現(xiàn)有大直徑晶圓廠的能力，這將是一個(gè)很大的優(yōu)勢。由于硅是一種導(dǎo)電基板，因此在處理基板電位以及它與功率器件相互作用的方式方面帶來了額外的挑戰(zhàn)。第一個(gè)具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
）行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 SMPS ODM需要置身于滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件和主動組件的供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)中。對于氮化鎵來說，在更關(guān)鍵的電子子系統(tǒng)之一，符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的器件已經(jīng)存在，即電源開關(guān)器件和柵極驅(qū)動器
2018-07-19 16:30:38
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
客戶測試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對測試過程提供了技術(shù)支持。測試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
”的“探索者”之一，致力為全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造價(jià)值。通過與國內(nèi)外元器件原廠的授權(quán)合作，華秋商城可直接獲得原廠貨源，結(jié)合“多品種”、“無起訂量”、“原裝正品”、“當(dāng)天發(fā)貨”的服務(wù)特點(diǎn)，滿足客戶的中小批量、樣品
2022-07-22 11:25:06
設(shè)計(jì)技術(shù)，和將IC、MOS、電阻電容、二極管等多個(gè)不同功能的主被動芯片整合成系統(tǒng)的先進(jìn)封裝技術(shù)等。廣大客戶現(xiàn)可通過華秋商城購買晶導(dǎo)微系列產(chǎn)品！作為本土“元器件電商”的“探索者”之一，華秋商城致力為全球電子
2023-04-14 16:00:28
的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
和技術(shù)之外，公司為關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域如工業(yè)、汽車和無線設(shè)備的客戶和合作伙伴提供前所未有的支持。設(shè)計(jì)工具和參考設(shè)計(jì)在任何生態(tài)系統(tǒng)都至關(guān)重要，安森美半導(dǎo)體在這方面大力投資。如最近推出的模塊化物聯(lián)網(wǎng)(IoT)開發(fā)
2018-10-23 09:03:57
使用更小、成本更低且更可靠的陶瓷電容器，可增加功率密度。
氮化鎵器件使得電機(jī)驅(qū)動器在減小尺寸和重量的同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)更平穩(wěn)的運(yùn)行。這些優(yōu)勢對于倉儲和物流機(jī)器人、伺服驅(qū)動器、電動自行車和電動滑板車、協(xié)作
2023-06-25 13:58:54
占有主要優(yōu)勢。”英飛凌氮化鎵全球應(yīng)用工程經(jīng)理Eric Persson說道。氮化鎵功率器件還是一個(gè)新事物，一時(shí)半會兒不會取代現(xiàn)在600V的主流技術(shù)--功率MOSFET。“要最大限度發(fā)揮（GaN功率技術(shù)
2016-08-30 16:39:28
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長快充持續(xù)時(shí)間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時(shí)氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
攜帶都非常方便。性能方面，倍思2C1A 65W PD氮化鎵充電器擁有3個(gè)輸出口，分別是兩個(gè)USB-C PD快充輸出口和一個(gè)USB-A快充輸出口。除了接口多功率大以外，協(xié)議的支持也是重要的一環(huán)，她支持PD
2021-04-16 09:33:21
，可幫助這些公司解決網(wǎng)絡(luò)容量、信號覆蓋、能源效率和現(xiàn)場可靠性等領(lǐng)域內(nèi)的最復(fù)雜挑戰(zhàn)。MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為
2018-01-18 10:56:28
)封裝，并且能幫助電源設(shè)計(jì)人員迅速發(fā)揮這種材料的真正優(yōu)勢。為了給GaN創(chuàng)造廣闊的市場發(fā)展空間，TI致力于幫助客戶簡化這款產(chǎn)品的使用性，并優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能
2018-08-30 15:05:40
和功率因數(shù)校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個(gè)氮化鎵器件，隔離式負(fù) V一般事務(wù)（關(guān)閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅(qū)動器
2023-02-21 16:30:09
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個(gè)器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計(jì)。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
內(nèi)的波長標(biāo)準(zhǔn)偏差標(biāo)準(zhǔn)為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數(shù)在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產(chǎn)硅4545
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
、設(shè)計(jì)和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計(jì)近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優(yōu)解，進(jìn)一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統(tǒng)可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
工作的晶體管而言，這是一個(gè)非常重要的特性。這類器件多見于多千伏級變電站設(shè)備、醫(yī)學(xué)成像用的高能光子發(fā)生器以及電動汽車和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器的功率逆變器中。在這類應(yīng)用中，氧化鎵有一個(gè)天然優(yōu)勢。在這些頻率下，優(yōu)值
2023-02-27 15:46:36
的應(yīng)用。“氮化鎵就像一個(gè)超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快，動力更加強(qiáng)勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
的應(yīng)用。“氮化鎵就像一個(gè)超級增壓引擎，”我們的高壓新技術(shù)開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運(yùn)行更快，動力更加強(qiáng)勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅(qū)動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2018-08-30 15:05:50
設(shè)計(jì)具有競爭優(yōu)勢的USB OTG電源
2022-11-02 08:15:56
0 已準(zhǔn)備就緒，可將Transphorm的創(chuàng)新常關(guān)型氮化鎵平臺應(yīng)用于新一代汽車和三相電力系統(tǒng)。 這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)、以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1200伏氮化鎵器件更高的功率密度及更優(yōu)異的可靠性
2023-06-16 18:25:04268 
與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果，充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺的基本優(yōu)勢。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN
2023-08-28 13:44:35154 
使用更為先進(jìn)的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 2023 年 10 月 12 日 － 新世代電力系統(tǒng)
2023-10-16 16:34:15247 
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設(shè)計(jì)充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設(shè)計(jì)卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:26539 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm，這一價(jià)格較Transphorm在1月10日的收盤價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234
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