絕緣體上硅)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃。半導(dǎo)體器件和 FD-SOI技術(shù)創(chuàng)新對(duì)法國(guó)和歐盟以及全球客戶(hù)具有戰(zhàn)略?xún)r(jià)值。FD-SOI 能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員和客戶(hù)系統(tǒng)帶來(lái)巨大的好處，包括更低的功耗以及更容易集成更多功能，例如，通信
2022-04-21 17:18:48
3653 
本文論述并比較目前移動(dòng)平臺(tái)所采用的主要的多核處理技術(shù)，重點(diǎn)介紹多核處理技術(shù)與意法·愛(ài)立信未來(lái)產(chǎn)品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術(shù)之間的協(xié)同效應(yīng)
2013-02-03 14:19:002055 
意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241436 
意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091359 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223878 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿(mǎn)足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221033 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車(chē)市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。
2016-04-18 10:16:033258 
Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321235 Samsung Foundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141142 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱(chēng)能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022000 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22972 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國(guó)所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)
2017-09-25 17:21:098275 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712565 今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開(kāi)發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺(tái)的嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)
2018-03-01 14:52:0611347 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199789 和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù)，雖然很少被提及，但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統(tǒng)核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經(jīng)是各類(lèi)射頻應(yīng)用里主流的襯底，如射頻開(kāi)關(guān)、LNA、調(diào)諧器
2024-02-19 00:59:003377 的肯定。吳冰?移遠(yuǎn)通信LTE-A&5G Module產(chǎn)品經(jīng)理上海移遠(yuǎn)通信技術(shù)股份有限公司 產(chǎn)品經(jīng)理，負(fù)責(zé)高速LTE及5G蜂窩接入產(chǎn)品線。 西安電子科技大學(xué) 電子工程及國(guó)際企業(yè)管理
2020-01-14 09:23:54
，隨著RF開(kāi)關(guān)變得越來(lái)越復(fù)雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應(yīng)用。與FD-SOI類(lèi)似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
RF-SOI技術(shù)在5G中的應(yīng)用前景簡(jiǎn)析
2021-01-04 07:02:15
，隨著RF開(kāi)關(guān)變得越來(lái)越復(fù)雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數(shù)字應(yīng)用。與FD-SOI類(lèi)似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠實(shí)現(xiàn)高擊穿電壓和低
2017-07-13 09:14:06
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
，已成為包括臺(tái)積電在內(nèi)的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)，在這期間，與FinFET技術(shù)齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,深亞微米工藝加工技術(shù)允許開(kāi)發(fā)上百萬(wàn)門(mén)級(jí)的單芯片，已能夠?qū)⑾到y(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)集成到單個(gè)芯片中即實(shí)現(xiàn)片上系統(tǒng)SoC。IP核的復(fù)用是SoC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，但困難在于缺乏IP核與系統(tǒng)的接口標(biāo)準(zhǔn)
2019-06-11 05:00:07
的S OC設(shè)計(jì)是以超深亞微米IC設(shè)計(jì)技術(shù)為基礎(chǔ)的，具有集成電路ASIC設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。隨著SOC平臺(tái)和EDA 技術(shù)發(fā)展以及IP新經(jīng)濟(jì)模式的推動(dòng)，在SOC應(yīng)用設(shè)計(jì)上越來(lái)越多的從傳統(tǒng)的硅片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)到利用
2008-08-26 09:38:34
如何開(kāi)始著手學(xué)習(xí)或者說(shuō)有哪些相關(guān)的書(shū)籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
此前，我們報(bào)道了英集芯發(fā)布旗下首款全集成無(wú)線充SoC芯片IP6808，正式進(jìn)入無(wú)線充電行業(yè)。近日我們獲悉，這款芯片通過(guò)了Qi v1.2.4認(rèn)證，WPC無(wú)線充電聯(lián)盟官網(wǎng)注冊(cè)時(shí)間為7月10日，登記ID為
2018-07-23 19:48:43
IP680支持QI1.2.4協(xié)議IP6808無(wú)線充方案近日，英集芯發(fā)布了旗下首款全集成無(wú)線充SoC芯片IP6808，正式進(jìn)入無(wú)線充電行業(yè)。科發(fā)鑫電子是英集芯INJOINIC正式代理商。P6808它是
2018-09-06 20:29:49
SOI 和體硅集成電路工藝平臺(tái)互補(bǔ)問(wèn)題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42661 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421600 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃，打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56488 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專(zhuān)院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501289 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27887 意法愛(ài)立信發(fā)布了首個(gè)單射頻方案實(shí)現(xiàn)載波聚合的極速LTEAdvanced Modem平臺(tái)Thor M7450，以及采用了FD-SOI技術(shù)的3GHz NovaThor L8580處理器。
2013-02-26 16:26:51986 意法半導(dǎo)體（ST）宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)（ACE）能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶(hù)的節(jié)能與性能權(quán)衡策略，FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗，使終端設(shè)備可更快散熱，并實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431003 無(wú)線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接。 移動(dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢(xún)r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望
2017-12-07 10:29:321 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426147 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)性
2018-01-10 20:44:02842 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031518 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示，三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向，FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001844 ST表示，與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00803 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002512 雙方共同開(kāi)發(fā)的技術(shù)解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸 今日，格芯與eVaderis共同宣布，將共同開(kāi)發(fā)超低功耗MCU參考設(shè)計(jì)方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX
2018-03-02 15:29:01170 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動(dòng)和無(wú)線通信應(yīng)用的前端模塊（FEM）帶來(lái)顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢(shì)。
2018-05-03 11:48:001444 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134720 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專(zhuān)為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)等各類(lèi)應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002575 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001593 許多代工廠都在擴(kuò)大其200mm RF SOI晶圓廠產(chǎn)能，以滿(mǎn)足急劇增長(zhǎng)的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺(tái)積電和聯(lián)電正在擴(kuò)大300mm RF SOI晶圓產(chǎn)能，以迎接5G，爭(zhēng)搶第一波RF業(yè)務(wù)。
2018-05-29 06:08:006850 
生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244606 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無(wú)限期停止7納米制程的投資與研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002271 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺(tái)上，為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:504528 關(guān)鍵詞：SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工藝的RF SOI技術(shù)達(dá)到新的里程碑，芯片出貨量超過(guò)400億 格芯今日在其年度全球技術(shù)大會(huì)(GTC)上宣布，針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用優(yōu)化的8SW
2018-10-04 00:12:01348 能在全球范圍內(nèi)收獲了超過(guò)20億美元的收益，并在超過(guò)50項(xiàng)客戶(hù)設(shè)計(jì)中得到采用。本次兩位中國(guó)客戶(hù)的成功流片再次印證了22FDX技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區(qū)總經(jīng)理白農(nóng)先生表示：“22FDX 是業(yè)內(nèi)首個(gè) 22nm FD-SOI 平臺(tái)，作為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗芯片平臺(tái)，它在全
2018-11-05 16:31:02297 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿(mǎn)足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00611 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:122940 關(guān)鍵詞：自適應(yīng)體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節(jié)能型SoC設(shè)計(jì)，推動(dòng)單芯片集成界限 格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01375 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 值得注意的是，去年6月，格芯開(kāi)始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項(xiàng)目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專(zhuān)注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:213809 為求低功耗、高能效及高性?xún)r(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204508 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿(mǎn)足格芯的客戶(hù)對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上，此份協(xié)議即刻生效，以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:333584 事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453584 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:003752 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444495 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車(chē)等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16806 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17962 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門(mén)數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38801 據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282544 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù)，該公司正在與幾個(gè)客戶(hù)合作，計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:302370 據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經(jīng)完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術(shù)開(kāi)發(fā)，而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27552 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺(tái)上的嵌入式磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（eMRAM）已正式投入生產(chǎn)。同時(shí)格芯正與多家客戶(hù)共同合作，計(jì)劃于2020年實(shí)現(xiàn)多重下線生產(chǎn)
2020-03-04 17:27:352320 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺(tái)，新型存儲(chǔ)器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器）已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37810 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-06 17:03:362137 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:043602 Lattice Nexus是業(yè)界首個(gè)基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術(shù)平臺(tái)，得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢(shì)，基于該平臺(tái)的第一款產(chǎn)品CrossLink-NX得到了客戶(hù)廣泛認(rèn)可
2020-07-15 19:28:42880 Nexus 平臺(tái)的獨(dú)特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區(qū)別，能夠極大降低功耗。如圖一所示，Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類(lèi)產(chǎn)品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時(shí)間極短，能夠讓系統(tǒng)快速啟動(dòng)。該器件還擁有驗(yàn)證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:17853 
重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺(tái)釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092215 格芯的8SW RF-SOI的客戶(hù)為6 GHz以下5G智能手機(jī)的主流FEM供應(yīng)商。
2020-11-11 10:04:21821 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445923 射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術(shù)制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結(jié)構(gòu)。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優(yōu)點(diǎn)。
2022-09-27 09:09:084057 Arm 推出全新 Arm IP Explorer 平臺(tái)，該平臺(tái)是一套由 Arm 提供的云平臺(tái)服務(wù)，旨在為基于 Arm 架構(gòu)設(shè)計(jì)系統(tǒng)的硬件工程師與 SoC 架構(gòu)師，加速其 IP 選擇和 SoC
2023-07-26 16:25:01462 原在本次活動(dòng)中帶來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)分享，并在展區(qū)展示了公司豐富的IP組合。 會(huì)上，芯原股份機(jī)器學(xué)習(xí)軟件高級(jí)總監(jiān)毛夏飛以《面向智能顯示設(shè)備的超分辨率技術(shù)》為題發(fā)表演講。他表示，超分辨率 (Super Resolution) 技術(shù)不僅是學(xué)術(shù)界的研究重點(diǎn)，也是產(chǎn)業(yè)界著力推動(dòng)應(yīng)用創(chuàng)新的技術(shù)領(lǐng)域之一，在過(guò)去的
2023-09-08 10:23:07490 
（電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國(guó)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開(kāi)始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041753 
在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上，GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產(chǎn)業(yè)介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:381328 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46395 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:361393 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:23520 芯原股份宣布，賽昉科技成功將芯原的先進(jìn)顯示處理器IP DC8200應(yīng)用于其基于RISC-V架構(gòu)的量產(chǎn)SoC昉·驚鴻-7110中。JH-7110 SoC以其卓越的性能、低功耗和安全性，為眾多領(lǐng)域如云計(jì)算、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)附加存儲(chǔ)等提供了全面的智能視覺(jué)處理方案。
2024-03-27 10:02:09559 炬芯科技宣布（股票代碼：688049.SH）在其高集成度的雙模藍(lán)牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中采用了芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）低功耗且功能豐富的2.5D圖形處理器（GPU）IP，為智能腕部穿戴設(shè)備提供高性能、高質(zhì)量的矢量圖形處理能力。
2024-05-15 11:14:13657 
芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布低功耗 AIoT 芯片設(shè)計(jì)廠商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技， 股票代碼：688049.SH）在其高集成度的雙模藍(lán)牙智能手表SoC
2024-05-15 11:39:26451 近日，芯原股份與低功耗AIoT芯片設(shè)計(jì)廠商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技）達(dá)成合作。炬芯科技在其高集成度的雙模藍(lán)牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中，成功采用了芯原提供的低功耗且功能豐富的2.5D圖形處理器（GPU）IP。
2024-05-16 14:58:42841 近日，英國(guó)劍橋的半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）領(lǐng)軍企業(yè)Agile Analog宣布了一項(xiàng)重要里程碑，成功在格羅方德（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱(chēng)格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先進(jìn)工藝平臺(tái)
2024-07-27 14:41:32910 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開(kāi)，芯原股份創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼總裁戴偉民博士做開(kāi)幕致辭，并分享了過(guò)往和當(dāng)前FD-SOI發(fā)展的一些情況
2024-10-23 10:02:42161 
FD-SOI技術(shù)的市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)，尤其是該技術(shù)在AIGC時(shí)代的應(yīng)用前景。通過(guò)具體分析和比較FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:16151 
。意法半導(dǎo)體表示，相較于其現(xiàn)在使用的40nm eNVM技術(shù)，采用ePCM的18nm FD-SOI工藝大幅提升了性能參數(shù)：其在
2024-10-23 11:53:0582 
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