眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行，實現高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規（例如EN55022 B類標準）要求。
2023-10-16 14:32:45
2198 
與所有Microchip 的GaN射頻功率產品一樣，新器件采用碳化硅基氮化鎵技術制造，提供了高功率密度和產量的最佳組合，可在高壓下運行，255℃結溫下使用壽命超過100萬小時。
2021-12-02 14:09:211490 
本文提出了一種超高效率、高功率密度的功率因數設計校正(PFC)和非對稱半橋(AHB)反激變換器140w PD3.1適配器應用程序。在升壓PFC設計中，采用了GaNSense功率ic，以實現更高的頻率
2023-06-16 08:06:45
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術在市場上確立了自己的地位，但在軟開關應用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關應用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關轉換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率，從而遠遠超過硅MOSFET產品。 GaN可以為您做什么 根據應用的不同，高效率的高頻開關可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經濟高效的替代品，并成為實現新一代高功率超小型功率模塊的關鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
（如處理器）。具有高輸入至輸出電壓比的開關模式功率轉換器的效率較低。這些電源管理模塊通常涉及多個轉換階段。從中間的54/48伏總線直接轉換到處理器內核電壓可以降低成本并提高效率。氮化鎵憑借其獨特的開關
2019-03-14 06:45:11
采用集成反激式控制器的PoE應用的高功率，高效率，三輸出功率器件
2019-05-20 07:37:00
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠程射頻單元 (RRU) 應用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內核電壓軌電源規格。該電源在
2022-09-27 06:47:49
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器。 這種緊湊型變壓器的設計，首先遇到的問題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇，其研制出的主要技術是使用銅箔交疊的平面繞組結構，以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級
2016-01-18 10:27:02
，對通信電源產品提出了高效率、高功率密度的客觀要求。同時新型高性能器件的不斷涌現與和軟開關技術的出現，客觀上也為通信電源的高效率，高功率密度設計提供了可能性。本文主要介紹了一臺1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉換技術。電源轉換技術的發展著重在達到高功率密度及高轉換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉換
2018-12-05 09:48:34
射頻功率放大器被廣泛應用于各種無線通信設備中。在通訊基站中，線性功放占其成本比例約占1／3。高效率，低成本的解決功放的線性化問題顯得非常重要。因此高效率高線性的功放一直是功放研究的熱門課題。
2019-09-17 08:08:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
集成在一顆芯片中。合封的設計消除了寄生參數導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
克服了上述問題，可實現高功率密度、高效率 (達 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關電容器控制器內置 4 個 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，用于驅動外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件既具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，又比碳化硅基氮化鎵器件在成本上更具有優勢，采用硅來做氮化鎵襯底，與碳化硅基氮化鎵相比，硅基氮化鎵晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，這種架構需要相應的射頻收發單元陣列配套，因此射頻器件的數量將大為增加，器件的尺寸大小很關鍵，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特點可實現高集化的解決方案，如模塊化射頻前端器件。[color
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產業原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優勢，因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
功率密度本設計實現35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
合理開關損耗的同時，提升功率密度和瞬態性能。傳統上，GaN器件被封裝為分立式器件，并由單獨的驅動器驅動，這是因為GaN器件和驅動器基于不同的處理技術…
2022-11-16 06:23:29
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
功率密度計算解決方案實現高功率密度和高效率。
誤解2：氮化鎵技術不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產，而且在實驗室測試和大批量客戶應用中,氮化鎵器件展現出具備極高的穩健性。EPC器件已經通過數千億個
2023-06-25 14:17:47
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數據中心
2020-10-27 10:46:12
怎樣去設計一種高效率音頻功率放大器？如何對高效率音頻功率放大器進行測試驗證？
2021-06-02 06:11:23
、設計和評估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻。
應用與技術營銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設計。他創造了世界上最小的參考設計，被多家頭部廠商采用并投入批量生產。
2023-06-15 15:28:08
解決方案，累計近100家客戶選用了茂睿芯的氮化鎵解決方案。致力于為客戶提供最優解，進一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系統可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化鎵PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
IR推出高效率氮化鎵功率器件
目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結構來優化性能提升效率，不過隨著工藝技術的發展這個改善的空間已經不大了
2010-05-10 17:50:571131 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業界首款專門針對有線電視網絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術，可在
2011-11-16 10:06:461430 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。為了應對挑戰，飛兆半導體研發了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012117 包括：高功率密度、寬頻性能、高功率處理閱讀下面的氮化鎵的十個重要事實，真正了解這個在我 們的工作和生活中發揮重要作用的關鍵技術。 關于氮化鎵的十個重要事實： 一、氮化鎵器件提供的功率密度比砷化鎵器件高十倍。由于氮化鎵器件的功率密度
2017-11-08 15:24:21
7 功率行波管的發展走過了70年的歷程，具有寬頻帶、高功率、高效率等特點，是現代雷達通信電子戰等系統的核心元器件，并不斷地推動系統向高頻率、高功率、集成化、一體化發展。
2018-05-25 09:52:004071 
東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155321 金脈新一代高功率密度電機控制器，采用英飛凌Aurix TC275作為主控芯片，功能安全監控芯片采用英飛凌TLF35584QVVS1，驅動適配英飛凌HP Drive模塊，預驅芯片采用英飛凌1ED2002AS，采用松下的三合一電流傳感器和DC Link電容器。
2019-09-23 16:02:586623 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383111 近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產后預計實現年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導體產業。
2020-07-06 08:46:052025 功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15843 高效率高功率密度電力電子技術及案例分析
2021-07-22 09:59:285 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業領導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:561803 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2022-05-31 09:47:062322 
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46653 (MOSFET)，因為它能夠驅動更高的功率密度和高達 99% 的圖騰柱功率因數校正 (PFC) 效率。但由于其電氣特性和它所支持的性能，使用 GaN 進行設計面臨著與硅甚至其他寬帶隙技術（如碳化硅）不同的一系列挑戰。
2022-07-29 14:06:521087 
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實現高功率密度的一種方法。 第二個參數是整個逆變器堆棧的厚度；具有扁平薄型逆變器
2022-08-03 10:16:55880 、高可靠性和穩健性以及改進的熱管理。由于這些特性，在電源電路中使用這些組件可以顯著提高效率和功率密度，從而降低解決方案的成本和尺寸。 WolfPACK 是 Wolfspeed 最近向市場推出的功率模塊系列，是希望提高電路效率和功率密度同時保持非常小的
2022-08-04 10:39:391392 
基于氮化鎵技術 (GaN) 的功率開關器件現已量產，并在實際功率應用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術實施高功率解決方案，并提供應用示例，展示 GaN 器件如何在超過 600 伏的電壓下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:132067 
電子發燒友網站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費下載
2022-08-09 14:21:5453 電子發燒友網站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉換器設計.zip》資料免費下載
2022-09-07 11:30:0510 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 氮化鎵（GaN）功率半導體技術為提高射頻/微波功率放大的性能水平做出了巨大貢獻。通過減少器件的寄生元件、使用更短的柵極長度和使用更高的工作電壓，GaN晶體管達到了更高的輸出功率密度、更寬的帶寬和更高的DC-RF效率。
2023-01-23 10:13:00990 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:201663 
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統、電源調節器、電源濾波器等應用。
2023-02-19 17:20:488502 
領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021382 
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。
2023-03-30 17:37:531162 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231753 在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢，能夠幫助廠商大幅提升系統密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:271145 
-第79期-SILERGYGaNSolution氮化鎵技術的出現，通過降低開關損耗和導通阻抗，提高效率，降低發熱，減小了快充充電器的體積。為了實現更高的功率密度并降低外圍器件數量，矽力杰自主研發
2022-09-29 10:54:141938 
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:153139 氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56554 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構
2023-09-19 14:50:347499 
提高效率既是行業的關鍵性挑戰，也是創新驅動力。社會需求的壓力和相關法規都在要求提高電源轉換和控制的效率。對于一些應用來說，電源轉換效率和功率密度是贏得市場的關鍵。主要例子包括汽車電氣化趨勢、高壓
2023-09-25 08:17:54787 
效率及功率密度，解鎖降低整體系統成本的密碼，相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化鎵產品，提供更高的成
2023-09-28 09:28:32442 在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:231076 
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:441173 功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45722 
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03816 
氮化鎵具有優異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應用中具有廣闊的應用前景。
2023-12-09 14:45:35955 
、射頻和光電子等領域，能夠提供高效、高性能的功率轉換和信號放大功能。 GaN MOS管驅動芯片具有以下特點： 高功率密度：與傳統硅基材料相比，氮化鎵材料具有更高的擊穿電場強度和電導率。這使得GaN MOS管驅動芯片能夠承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:231857 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:412944 珠海鎵未來科技有限公司是行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業，致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發與產業化。
2024-04-10 18:08:091235 
成為市場上的新勢力。通常，氮化鎵充電器具有高效率、高功率密度、節能環保、熱量控制優秀、便攜性強、體積小、重量輕、充滿電時間短等優點，很多高端電子產品配置了氮化鎵快充。本期，合科泰從氮化鎵快充產品內部結構和工作原理，給大家講解分立器件在45W氮化鎵快充產品中的應用。
2024-09-12 11:21:26390 
先進的無線功率解決方案，為各行各業開辟解決功率難題的新途徑。 英飛凌CoolGaN? GS61008P 此次合作將英飛凌的先進氮化鎵（GaN）技術與AWL-E創新的兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸系統相結合，實現了行業領先的無線功率效率。 英飛凌的GaN晶體管技術具有極高的效率和功率密度，而且可在
2024-10-29 17:50:25173 
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