在此應用中IGBT的總功率損耗包含導通損耗、導電損耗、關閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計，而如果使用了零電壓開關（ZVS）技術，可以大幅降低導通損耗。
2013-12-18 09:48:22
1931 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調(diào)試中非常關鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數(shù)學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:511536 IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
IGBT的開關速度減慢，能明顯減少開關過電壓尖峰，但相應的增加了開關損耗，使IGBT發(fā)熱增多，要配合進行過熱保護。Rg阻值的選擇原則是：在開關損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實際工作中按Rg
2011-08-17 09:46:21
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。
2020-03-24 09:01:13
管直通。 輸出電容Coss則限制開關過程中的dv/dt，其造成的損耗一般可忽略。 規(guī)格書中，上述寄生電容示例如下 插播：米勒鉗位 在下圖所示的IGBT半橋中，當上半橋IGBT_H導
2021-02-23 16:33:11
IGBT的工作溫度。同時，控制執(zhí)行機構在發(fā)生異常時切斷IGBT的輸入，以保護其安全。 4 結(jié)束語 IGBT模塊開關具有損耗小、模塊結(jié)構便于組裝、開關轉(zhuǎn)換均勻等優(yōu)點，已越來越多地應用在列車供電系統(tǒng)中
2012-06-01 11:04:33
開關損耗，使IGBT模塊 發(fā)熱增多，要配合進行過熱保護。Rg阻值的選擇原則是：在開關損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻，實際工作中按Rg=3000/Ic 選取。 吸收回路 除了上述減少c、e之間
2012-06-19 11:26:00
一個工頻周期內(nèi)，IGBT在正負半周期均有開關，但是在電流為負的半個周期內(nèi)，上管IGBT的流過的電流為0，因此開關損耗為0。 2）當針對上管IGBT模塊分析時：在一個工頻周期內(nèi)僅有電流正半周期內(nèi)，Don
2023-02-24 16:47:34
誰幫俺女友畫個電路圖呀 關系寡人后半生幸福 有人嗎聯(lián)系QQ237029870重金大謝啊題目 igbt的過壓過流軟保護要求 ce端反向過壓（大于300V）時能自動 保護。。正向電壓在igbt觸發(fā)
2014-04-21 10:49:28
MOS管開通損耗只要不是軟開關，一般都是比較大的。假如開關頻率80KHZ開關電源中,由于有彌勒電容，如果關斷速度夠快是不是MOS管的關斷損耗都算軟關閉，損耗接近0？另外開通和關閉損耗的比例是多少。請大神賜教，越詳細越好。
2021-09-11 23:56:46
要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
開關電源內(nèi)部的損耗有哪些
2021-03-11 07:22:34
要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
Altium中的開關在仿真時可以手動斷開或閉合嗎
2017-02-08 10:49:02
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
新型開關電源，有需要的請下載。
2015-09-06 17:32:22
新型軟開關功率因數(shù)電路分析
2019-05-27 09:46:21
軟開關技術是目前國際國內(nèi)電力電子領域的研究熱點，其在通信電源中也將得到廣泛應用。本文綜述了軟開關技術在APFC、DC/DC、DC/AC電路申的應用，對幾種典型的軟開關電路拓撲的優(yōu)缺點進行了分析。
2011-03-10 14:22:28
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開關頻率范圍內(nèi)（通用應用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
在BUCK型開關電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關電源中主要的損耗是導通損耗和交流開關損耗，導通損耗主要是指MOS管導通后的損耗和肖特基二極管導通的損耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
Buck開關電源損耗如何估算？
2021-10-11 08:18:13
ECL電源開關在數(shù)字光發(fā)射機中的應用是什么？
2021-05-27 07:16:46
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
進行性能比較，確定關鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
一些參數(shù)進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定
2020-06-28 15:16:35
一些參數(shù)進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定
2018-09-28 14:14:34
, 圖3 中IGBT 的t r、t f 均大于給定值, 但這并不意味著損耗的上升, 因為開關損耗還取決于開關過程中電壓電流的"重疊"程度, 而圖3中的"重迭"明顯
2018-10-12 17:07:13
時的波形可以看到，SiC-MOSFET原理上不流過尾電流，因此相應的開關損耗非常小。在本例中，SiC-MOSFET＋SBD（肖特基勢壘二極管）的組合與IGBT＋FRD（快速恢復二極管）的關斷損耗Eoff相比
2018-12-03 14:29:26
TOP開關在開關電源中應用電路圖
2019-05-20 11:49:38
我用IGBT設計了D類功放，用的管子是FGH60N60SFD，開關頻率為300kHz，上網(wǎng)查資料發(fā)現(xiàn)IGBT的開關損耗為圖中公式，查找FGH60N60SFD文檔后計算開關損耗為300000*2.46/1000/3.14=235W，我想問一下，開關損耗真有這么大嗎，是設計的不合理還是我計算錯了？
2019-07-25 10:16:28
參數(shù)進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗和關斷損耗進行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復特性是決定
2017-04-15 15:48:51
性能比較，確定關鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關和軟開關ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關損耗，并對電路和器件特性相關的三個主要功率開關損耗—導通損耗、傳導損耗
2019-03-06 06:30:00
光電開關在protues中叫什么， 怎么找？？求大神指導
2015-05-06 10:57:22
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優(yōu)勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開關頻率為5kHz和30kHz時開關損耗和傳導損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
的交叉，這樣就會有開關損耗。而與硬開關相比，軟開關在開通和關斷時會實現(xiàn)功率器件的零電壓導通（ZVS）和零電流
2021-10-29 06:00:54
“軟開關”是與“硬開關”相對應的。硬開關是指在功率開關的開通和關斷過程中，電壓和電流的變化比較大，產(chǎn)生開關損耗和噪聲也較大，開關損耗隨著開關頻率的提高而增加，導致電路效率下降；開關噪聲給電路帶來嚴重
2019-08-27 07:00:00
保持電源電壓VDD不變，當VGS電壓減小到0時，這個階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關斷過程中，t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關損耗。關斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
軟開關技術不是你說的這4個開關元件就夠的。它還需要電感和電容的諧振，使MOS管或三極管組成的開關在零電壓關閉，零電流導
2012-07-09 16:23:24
就功率半導體而言，高規(guī)格輔助電源發(fā)展中最有前途的方向之一與使用基于硅IGBT和SiC肖特基二極管的“混合”半導體開關有關。肖特基二極管的使用可以大幅降低二極管中功率損耗的頻率相關分量，減少IGBT中
2023-02-22 16:53:33
在本文中，我們將解釋針對不同的應用和工作條件仔細選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導開關眾所周知，對于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導損耗的努力將導致
2023-02-27 09:54:52
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產(chǎn)生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
開關MOS的損耗如何計算？
2021-03-02 08:36:47
，使IGBT的開關速度減慢，能明顯減少開關過 電壓尖峰，但相應的增加了開關損耗，使IGBT發(fā)熱增多，要配合進行過熱保護。Rg阻值的選擇原則是：在開關損耗不太大的情況下，盡可能選用較大的電阻， 實際工作中
2011-10-28 15:21:54
什么是射頻天線開關？射頻天線開關的主要性能參數(shù)有哪些？射頻天線開關在WLAN和藍牙方面的應用是什么？
2021-05-26 06:47:15
摘要相對于第二代NPT芯片技術，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優(yōu)化開關特性的L3和E3芯片，其在開關軟度和關斷損耗之間實現(xiàn)折衷，以適應不同的應用。最大工作結(jié)溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
在我上一篇博客中，我討論了如何將感應開關用于接近應用。在這篇文章中，我想討論如何在滑動開關應用中使用感應開關，使斷路器更可靠。 斷路器通常只有兩種狀態(tài)：導通和關斷。導通狀態(tài)表示正常工作狀態(tài)，電流
2019-03-08 06:45:12
了飽和壓降和開關損耗。此外，通過運用陽極短路（SA）技術在IGBT裸片上集成反向并聯(lián)二極管這項相對較新的技術，使得FS IGBT非常適合軟開關功率轉(zhuǎn)換類應用。 場截止陽極短路溝道IGBT與NPT
2018-09-30 16:10:52
所謂智能開關是指什么？智能開關分為哪幾類？智能開關在紅外人體感應開關中的應用有哪些？
2021-07-19 08:56:41
電磁感應加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應加熱應用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
100nH時的開關損耗和軟度，我們選用了一種接近T4芯片合理使用限值的模塊。因此，我們選擇了一個采用常見62 mm封裝的300A半橋配置作為平臺，而模塊則分別搭載三款IGBT4 芯片。這三個模塊采用相同
2018-12-10 10:07:35
柵極電阻RG對IGBT開關特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
我在做軟開關，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負載時驅(qū)動波形會有振蕩現(xiàn)象，有個別大神說可能是IGBT問題，有用過這個信號的大神嗎？這個管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
摘要：逆變焊機由于其自身多種優(yōu)點已被越來越廣泛應用于各種焊接場合，而軟開關技術由于能顯著降低功率開關管開關損耗和EMI已被廣泛運用于逆變焊機中。為了得到更低整體損耗，軟開關逆變焊機需要一種低飽和壓降
2018-12-03 13:47:57
我用的是13.0這是PSpice的延時開關,請問Multisim的延時開關在哪里呢??死找也找不到.本人大一新手求教
2015-04-04 19:19:57
請問快捷鍵：顏色開關在哪里設置的？
2019-06-03 05:35:10
一種可能的方式就是使用更為精細的閘極驅(qū)動設計。 HS3 IGBT是經(jīng)濟實惠的高效率切換開關，適合用在太陽能變頻器或不斷電系統(tǒng)(UPS)之類的高頻率硬切換應用。仿真的結(jié)果也支持這些發(fā)現(xiàn)，同時顯示HS3 IGBT適合在操作切換頻率超過7.5kHz的應用中，當做最新型的切換開關使用。
2018-10-10 16:55:17
MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統(tǒng)設計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學方法的IG
2009-06-20 08:33:5396 摘要：提出一種適用于軟開關全橋變換器的IGBT新型驅(qū)動電路，它采用脈沖變壓器隔離，無需附加單獨浮地電源。IGBT柵源之間沒有振蕩現(xiàn)象，死區(qū)時間可調(diào)節(jié)，驅(qū)動電路對元件參數(shù)變
2010-05-11 08:48:51279 RSD開關在脈沖電源中的應用研究
2006-04-21 00:04:472314 用兩只雙連開關在兩地控制兩盞燈
2007-09-10 09:02:333489 
TOP開關在開關電源中應用電路圖
2009-05-12 14:33:511861 
IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念(也有稱為“
2011-01-10 13:07:36726 
器件的損耗對系統(tǒng)設計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù)，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計算
2011-09-01 16:42:33111
Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制
來將IGBT 開關損耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 電子資料論文：基于IGBT功率逆變器損耗準建模方法
2016-07-06 15:14:4727 MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數(shù)據(jù)基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 不同， 通過IGBT 數(shù)據(jù)手冊給出的參數(shù)不能確切得出應用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過測量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊中參數(shù)的測量條件與實際應用環(huán)境的差別， 并介紹IGBT 的損耗的簡單測量方法。 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開關參數(shù)通常是在純感性負載下
2017-09-22 19:19:3730 為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統(tǒng)熱設計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際
2017-12-08 10:36:0264 Q： 實際應用中，IGBT的開關頻率上限應如何確定？ A： 開關頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)的開關次數(shù)。而在確定的母線電壓和導通電流下，IGBT每次開關都會產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關斷損耗
2020-09-17 16:33:576039 
或電流幅值的變換，或者是交流電的頻率、相位等變換，軟開關電源輸入和輸出都是電能，它屬于變換電能的電源。本論文研究了一種新型雙管正激軟開關DC/DC變換器電路拓撲。主功率器件采用IGBT元件，由功率二極管、電感、電容組成的諧振網(wǎng)絡改善IGBT的開關條件，克服了傳統(tǒng)開關在開通和閉合過程中會產(chǎn)生功率損耗...
2021-09-17 09:34:3921 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產(chǎn)生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 如今的開關電源技術很大程度上依托于電源半導體開關器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Off狀態(tài)下小號的功率非常小，實現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率
2021-11-23 15:07:571095 大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關損耗，我們都知道IGBT開關損耗產(chǎn)生的原因是開關暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功率，對外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開關
2022-04-19 16:00:383401 今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數(shù)學知識。
2023-02-07 15:32:381758 
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關損耗降低67%關鍵詞 ? SiC肖特基勢壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
0 引言 絕緣柵型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是由MOSFET和功率雙極型晶體管復合而成的一種器件。IGBT既具有MOSFET的高速開關
2023-02-22 15:19:511 是流控、而MOSFET是壓控。BJT導通損耗小，但開關損耗大；三個電極，分別是基極（B）、集電極（C）、發(fā)射極（E）MOSFET開關損耗小，但導通損耗大，三個電極，分別是柵極（G）、漏極（D）、源極（S）而IGB
2023-02-22 14:00:530 說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關，比如工作電流，電壓，驅(qū)動電阻。在出設計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動參數(shù)后（驅(qū)動電阻大小，驅(qū)動電壓等），開關器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
速度、效率、損耗、應用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開關模式下，當IGBT開關從關斷狀態(tài)切換到導通狀態(tài)時，由于電流和電壓較大，會產(chǎn)生大量的開關損耗。而在軟開關模式下，IGBT在開關轉(zhuǎn)換過程中能夠在合適的時機通過控制電壓和電流的波形，來減少開關損耗。 開關速度： 硬開關
2023-12-21 17:59:32658 IGBT高壓開關的優(yōu)點說明 IGBT是一種高壓開關器件，它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點，具有許多獨特的優(yōu)勢。在本文中，我們將詳細地探討IGBT的優(yōu)點，以便更好地理解其在不同領域的應用。 首先
2024-01-04 16:35:47789 IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開關損耗。開關損耗分別為開通損耗(EON)和關斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
的Trench IGBT技術，為設計者提供兩種卓越的技術選項：低VCE(ON)或低Eoff。這極大地降低了在運輸、能源及工業(yè)應用中大電流逆變級的導通或開關損耗。
2024-03-08 11:45:51266
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