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格芯交付性能領(lǐng)先的7納米FinFET技術(shù)在即

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環(huán)保納米新材料

。公司主要投資人帶領(lǐng)的科研工作組從事新材料、納米技術(shù)的研究已有十幾年的時間,并在納米基礎(chǔ)材料的研究中取得了一系列的成果。研制開發(fā)了幾項在國內(nèi)外領(lǐng)先的產(chǎn)品技術(shù),具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。現(xiàn)已擁有5項授權(quán)專利
2011-11-12 09:57:00

電子行業(yè)人士帶你入行之納米制程小白篇

的芯片代工業(yè)務(wù),隨著電子行業(yè)的競爭升級,我們將能看到更多省電又輕薄的手機。比如目前全球領(lǐng)先芯片制作商都在追的10nm線程,不僅如此,廠商們還把目光投向7納米甚至是5納米,相信不久的將來會有更精湛的產(chǎn)品呈現(xiàn)在我們面前。敬請期待吧!
2016-12-16 18:20:11

電子行業(yè)人士帶你入行之納米制程小白篇

,并以此為資本爭奪下一代iPhone的芯片代工業(yè)務(wù),隨著電子行業(yè)的競爭升級,我們將能看到更多省電又輕薄的手機。比如目前全球領(lǐng)先芯片制作商都在追的10nm線程,不僅如此,廠商們還把目光投向7納米甚至是5納米,相信不久的將來會有更精湛的產(chǎn)品呈現(xiàn)在我們面前。敬請期待吧!
2016-06-29 14:49:15

納米管陣列天線的輻射性能

1、引言自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來,納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究,是目前科學(xué)界的研究熱點。基于碳納米管獨特的電學(xué)特性,提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想
2019-05-28 07:58:57

納米纖維的應(yīng)用前景怎么樣?

納米纖維是指具有納米尺度的碳纖維,依其結(jié)構(gòu)特性可分為納米碳管即空心碳納米纖維和實心碳納米纖維。
2019-09-20 09:02:43

中芯國際65納米技術(shù)國際領(lǐng)先

中芯國際65納米技術(shù)國際領(lǐng)先   虎年春節(jié),寧先捷終于和家人一起過了年。身為中芯國際集成電路制造(北京)有限公司技術(shù)開發(fā)中心負責(zé)人,他此
2010-03-23 11:10:16919

賽靈思可能領(lǐng)先于Altera進入28納米節(jié)點

繼在40納米節(jié)點上落后于Altera之后,可編程邏輯器件廠商賽靈思有望取得明顯成長,可能在28納米節(jié)點再度從Altera手中奪回技術(shù)領(lǐng)先地位。
2011-03-21 09:45:04448

Cadence采用FinFET技術(shù)流片14納米芯片

該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節(jié)點上開發(fā)系統(tǒng)級芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標準設(shè)計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551270

三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

新思科技公司日前宣布:該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑,即采用三星的14LPE工藝成功實現(xiàn)了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062

智原與聯(lián)電合作完成交付40納米三億邏輯閘SoC

智原與聯(lián)電合作完成交付40納米三億邏輯閘SoC。由于其中整合了超過100種以上不同功能的 IP設(shè)計,其挑戰(zhàn)性更不是一般設(shè)計服務(wù)同業(yè)可以克服的。
2013-01-28 09:50:41852

IBM展示領(lǐng)先芯片技術(shù),3D晶體管碳納米管來襲

FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上,IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外,還展示了諸如硅光子晶體管,碳納米管等前沿技術(shù)
2013-02-20 23:04:307799

Xilinx與臺積電合作采用16FinFET工藝,打造高性能FPGA器件

,采用臺積公司先進的16納米FinFET (16FinFET)工藝打造擁有最快上市、最高性能優(yōu)勢的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:14869

華力微電子與Cadence共同宣布交付55納米平臺的參考設(shè)計流程

全球電子創(chuàng)新設(shè)計Cadence公司與上海華力微電子,15日共同宣布了華力微電子基于Cadence Encounter數(shù)字技術(shù)交付55納米平臺的參考設(shè)計流程。華力微電子首次在其已建立55納米工藝上實現(xiàn)了從RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383

Cadence宣布推出基于臺積電16納米FinFET制程DDR4 PHY IP

全球電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布,立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP(知識產(chǎn)權(quán))。
2014-05-21 09:44:541769

臺積電采用Cadence的FinFET單元庫特性分析解決方案

全球知名電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司 (NASDAQ: CDNS),今日宣布臺積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性分析解決方案。
2014-10-08 19:03:221594

Cadence為臺積電16納米FinFET+制程推出IP組合

美國加州圣何塞(2014年9月26日)-全球知名的電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今日宣布為臺積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。
2014-10-08 19:19:22919

ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動前沿移動計算未來

  2016年5月19日,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結(jié)果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù),此測試芯片展現(xiàn)更佳運算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662

格羅方德展示基于先進14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes

12月13 日,格羅方德公司今天宣布,已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分,F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應(yīng)對最嚴苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準備。
2016-12-15 14:03:261344

4巨頭強強聯(lián)手合作開發(fā)7納米工藝CCIX測試芯片

賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布一項合作,將共同構(gòu)建首款基于臺積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性(CCIX)的加速器測試芯片,并計劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003

為什么這些公司都采用 7 納米工藝的 CCIX 測試芯片

賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布計劃在 2018 年交付 7 納米 FinFET 工藝芯片。這一測試芯片旨在從硅芯片層面證明 CCIX 能夠支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器實現(xiàn)一致性互聯(lián)。
2017-09-25 11:20:206826

什么是FinFETFinFET的工作原理是什么?

在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524

FinFET技術(shù)的詳細分析

我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)
2017-12-26 16:44:2924211

中芯14納米FinFET制程良率達95%,預(yù)計2019量產(chǎn)

中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達到95%的水準,距離2019年正式量產(chǎn)的目標似乎已經(jīng)不遠
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術(shù)獲聯(lián)電認證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯(lián)華電子(UMC)的先進14納米FinFET制程技術(shù)認證。ANSYS和聯(lián)電透過認證和完整套裝半導(dǎo)體設(shè)計解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應(yīng)用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:003390

三星10nm工藝性能方面如何? 7nm工藝是極限了嗎?

與上一代14納米FinFET工藝相比,三星10納米工藝在減少30%芯片尺寸基礎(chǔ)上,實現(xiàn)性能提升27%或高達40%功耗降低。讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間,以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計。
2018-07-22 11:13:494568

中芯國際再獲技術(shù)重大突破

中芯國際14納米FinFET技術(shù)獲得重大進展 8月9日,中芯國際公布了在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得的重大進展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量,良率達到業(yè)界水平。
2018-08-18 10:31:003773

GlobalFoundries宣布將暫停所有7納米FinFET技術(shù)的研發(fā)

格芯方面表示,他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源,讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042

臺積電3納米技術(shù)有望突破 5納米明年試產(chǎn)

臺積電7納米制程明年營收占比估逾2成,有望持續(xù)領(lǐng)先對手,7納米制程加強版以及5納米進度也按計劃進行,3納米制程技術(shù)更已進入實驗階段,業(yè)內(nèi)人士更透露,3納米制程在"Gate All Around(GAA) "、環(huán)繞式閘極技術(shù)上已有新突破。
2018-11-05 16:39:464435

格芯回應(yīng)為何擱置7納米FinFET項目

三個月前,晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項目,業(yè)內(nèi)嘩然。在臺積電、三星等競爭對手正在努力搶占7nm制程市場之時,格芯為何作出此舉?放棄7nm制程后,格芯未來的路又將走向何方?這是業(yè)界關(guān)心的問題。
2018-12-03 14:30:562838

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

益華計算機宣布已與臺積電合作 助推臺積電5納米FinFET制程技術(shù)制造交付

Cadence客制/類比工具獲得臺積電領(lǐng)先業(yè)界的5納米制程技術(shù)認證,這些工具包括Spectre加速平行模擬器(APS)、Spectre eXtensive分割模擬器(XPS)、Spectre RF
2019-05-07 16:29:202491

FinFET技術(shù)未來有怎樣的發(fā)展的前景

FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù),是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:363193

中芯國際取得海思14納米FinFET工藝代工訂單

據(jù)中國臺灣消息報道,中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經(jīng)從競爭對手臺積電手中,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677

中芯國際從臺積電手中奪得海思14納米FinFET工藝芯片代工訂單

關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺灣《電子時報》(DigiTimes)1 月 13 日報道稱,中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094

FinFET到了歷史的盡頭?

如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極(GAA)”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)FinFET猶可淡定;而到如今,英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA,就已有一個時代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616

臺積電將繼續(xù)采用FinFET晶體管技術(shù),有信心保持良好水平

臺積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù),這意味著臺積電確認了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸,甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下,在3納米制程里取得水準以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術(shù)遠超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929

3納米量產(chǎn)在即 如何實現(xiàn)2納米芯片?

據(jù)悉,臺積電在本次技術(shù)論壇上主要透露以下三點信息:一是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正發(fā)生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應(yīng)鏈瓶頸;三是3納米量產(chǎn)在即,2納米2025年量產(chǎn)。
2022-09-06 16:00:202998

行業(yè)首創(chuàng)!恩智浦攜手臺積電,推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM(磁隨機存儲器)。在向軟件定義汽車(SDV)的過渡中,汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396

新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程,助力加速射頻芯片設(shè)計

是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝(4納米射頻FinFET工藝)的全新參考流程。該
2023-10-30 16:13:05106

性能翻倍的新型納米片晶體管

IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計將帶來多項技術(shù)進步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是,它可能會導(dǎo)致更強大的芯片類別的開發(fā)。
2023-12-26 10:12:55199

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