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　　全球半導體產業奉為圭臬的摩爾定律(Moore’s Law)發展雖有面臨瓶頸的挑戰，然目前半導體業者仍積極發展新材料，并在制程微縮上加緊腳步，國研院國家奈米元件實驗室便表示，三角型鍺鰭式電晶體技術可克服矽基材上的鍺通道缺陷問題，讓半導體技術進入10奈米制程。

　　半導體產業制程演進速度愈來愈快，英特爾(Intel) 22奈米制程即將進入量產，臺積電制程技術也進入28奈米，DRAM技術制程年底進入30奈米，2012年將進入20奈米世代，而NAND Flash產業制程在2011年則是26、27奈米制程，2012年將進入20、19奈米制程，半導體業者預計未來2、3年會進入14奈米制程世代。

　　半導體業者表示，制程技術愈往下微縮，尤其是半導體制程技術在進入10奈米制程以下，新機臺和新材料會是半導體業者面臨的2大挑戰，以新機臺設備為例，超紫外光微影(EUV)價格昂貴，對于半導體業者而言相當頭痛，平均1臺EUV機臺設備要1億美元，折合新臺幣要30億元左右，對晶圓廠而言是非常高價的投資。

　　臺積電研發資深副總蔣尚義曾表示，臺積電在14奈米制程還未決定采用哪一種機臺設備，EUV機臺效率讓晶圓產出不如預期，半導體制程技術未來不論是用EUV技術或是多電? l光束無光罩微影技術(MEB)，半導體設備端都是很大問題，需要再加把勁。

　　半導體材料方面，= 研院國家奈米元件實驗室表示，相較于矽基材，純鍺材料的電晶體運行速度可提升2~4倍，而三角型鍺鰭式電晶體技術則可克服矽基材上鍺通道會出現缺陷的問題，可實現10奈米電晶體元件;再者，銀金屬直立導線技術則是利用底部成長(bottom-up)方式，突破傳統鎢金屬栓塞結構在尺寸微縮時的制程瓶頸。

　　國家奈米元件實驗室分析，銀是目前電阻值最低的金屬，可符合10奈米世代金屬導線制程需求。

　　再者，在矽晶片上制作綠色環保雙面入光型高效率太陽能電池，結合銅銦鎵硒薄膜電晶體技術，可開發自供電力線路模組的矽基太陽能元件，包含多項與積體電路后段連導線相容的關鍵技術，包括低溫(~400°C)銅銦鎵硒薄膜共蒸鍍技術、無鈉無鎘綠色環保制程技術和高光采集率表面粗糙化技術，可緊密與半導體產業及技術結合。