中國已經成為半導體市場需求規(guī)模全球第一的國家。根據IC Insights的數據，中國的半導體市場需求已占到全球市場需求的30%左右。從目前的產能情況來看，12英寸晶圓產能中國的缺口較大。IC Insights的數據是，***和韓國掌握了全球56%的12英寸晶圓產能，而中國大陸廠商僅掌握全球不到1%的12英寸晶圓產能，位于中國大陸（包括外商獨資）的12英寸晶圓產能則有8%。龐大的市場需求，加上制程技術的局限性，讓中國大陸成為投資半導體制造的新熱門。

　　2014年底終于見到28nm工藝營收曙光的臺聯電，在***經濟部確定沒有技術外流疑慮等條件下，經過了審查，確定登陸中國大陸，投資合建一個新的12英寸晶圓廠。項目將采用40與55nm制程，預計正式投產后將每月生產12寸晶圓5萬片。

　　“這是中國第一條合資建設的12英寸生產線，”半導體產業(yè)研究專家莫大康表示，“盡管聯電拿出的是55/40納米技術，但是它負責運行，因此技術，訂單等都不擔心。而且聯電總體上技術全面勝過我們，有中國學習的地方，從雙蠃的角度看，也會改變未來兩岸合作的態(tài)勢。”

　　在技術和市場占有率上更為先進的臺積電，目前僅在上海有一座8寸晶圓廠，也同樣正在考慮在大陸投資12英寸晶圓廠，并以28nm制程切入。但由于***政府要求，前往大陸投資的半導體晶圓廠必須依照“N-2”（落后***兩代制程）的規(guī)定，臺積電投建12英寸晶圓廠的計劃預計最快于2016實現，并且相關產能將低于臺積電總產能的10%。

　　此前，華虹集團旗下的純12英寸晶圓代工廠——華力微電子早已傳出將砸約195億元，再蓋新12英寸廠，并預計鎖定先進制程，從28nm制程開始，按照 28nm到16/14nm再到10nm三個世代制程技術的規(guī)劃，達到月產能約3萬~5萬片。武漢新芯也已與全球最大閃存公司美國飛索半導（Spansion）正式簽約，計劃合資興建12英寸晶圓廠，聯合研發(fā)生產3D NAND（三維閃存芯片）。

　　截止目前，在中國大陸已經建成的本土12英寸晶圓廠共5家，包括中芯國際在上海的一座300mm芯片廠、北京的兩座300mm芯片廠，華力微電子在上海的一座300mm芯片廠和武漢新芯在武漢的一座300mm芯片廠；外商獨資的12英寸晶圓廠包括英特爾在大連的一座300mm芯片廠，海力士（Hynix）在無錫的一座300mm芯片廠和三星在西安的一座300mm芯片廠。