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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術投入量產

三星宣布第2代14納米FinFET工藝技術投入量產

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2013-07-25 10:10:521049

ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動前沿移動計算未來

  2016年5月19日,北京訊——ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術,此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。
2016-05-19 16:41:50662

中芯長電將為高通提供14納米硅片凸塊量產加工

,中芯長電將為美國高通公司提供14納米硅片凸塊量產加工。這是中芯長電繼規模量產28納米硅片凸塊加工之后,中國企業首次進入14納米先進工藝技術節點產業鏈并實現量產。
2016-08-04 11:42:23854

格羅方德展示基于先進14nm FinFET工藝技術的業界領先56Gbps長距離SerDes

12月13 日,格羅方德公司今天宣布,已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分,FX-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。
2016-12-15 14:03:261344

三星10nm工藝技術已經在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術公告:全球領先的三星電子先進的半導體元器件技術正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術,10LPP(Low Power Plus)已經合格并準備就緒用于批量生產。
2017-05-03 01:00:11580

Cadence數字、簽核與定制/模擬工具助力實現三星7LPP和8LPP工藝技術

2017年6月2日,上?!请娮樱绹?Cadence 公司,NASDAQ: CDNS) 今日宣布其數字、簽核與定制/模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術上實現。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237

格芯交付性能領先的7納米FinFET技術在即

加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術,其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施
2017-06-14 16:24:51877

淺析TSMC和FinFET工藝技術的Mentor解決方案

Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統也通過了認證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術。
2017-10-11 11:13:422372

三星開始量產第二代10納米級制程工藝DRAM內存芯片

據韓聯社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產第二代10納米級制程工藝DRAM內存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

7nm芯片成為今年旗艦處理器標配 三星宣布5/4/3nm工藝技術

的一個關鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭,三星此前也已經宣布了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產,此外,在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上,三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術。
2018-05-25 11:09:003532

中芯14納米FinFET制程良率達95%,預計2019量產

中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段,其試產的良率已經可以達到95%的水準,距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠
2018-07-06 15:23:523383

ANSYS宣布14納米FinFET制程技術獲聯電認證

ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子(UMC)的先進14納米FinFET制程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案,支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算(HPC)應用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:003390

三星7nm LPP工藝進入量產,Intel重申10nm工藝進展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進入量產,并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術開發

4月16日,三星官網發布新聞稿,宣布已經完成5納米FinFET工藝技術開發,現已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

基于三星14納米工藝的百度昆侖AI芯片將量產

這是三星電子和百度的首次半導體代工合作。百度昆侖AI芯片結合百度自主研發的神經處理器架構XPU和三星14納米制造工藝,采用I-Cube封裝解決方案,可廣泛用于云計算和邊緣計算。
2019-12-19 14:11:232746

中芯國際取得海思14納米FinFET工藝代工訂單

據中國臺灣消息報道,中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經從競爭對手臺積電手中,奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:432677

中芯國際從臺積電手中奪得海思14納米FinFET工藝芯片代工訂單

關注半導體產業的臺灣《電子時報》(DigiTimes)1 月 13 日報道稱,中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電,奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094

三星電子奮力趕超臺積電,計劃在2022 年量產 3 納米芯片

,在 2022 年量產 3 納米芯片。該高管透露,三星電子已在與主要合作方開發初步設計工具。 三星電子向其下一代芯片業務投入 1160 億美元,其中包括為外部客戶制造芯片。 三星電子領導人李在镕此前曾透露,該公司計劃采用正在開發的最新 3 納米全柵極 (gate-all-around,簡稱 GAA)工藝技術
2020-11-19 11:39:071446

三星投入7608億實現3納米制程2022年量產

據彭博社報道,三星全力發展晶圓代工業務,規劃投入1160億美元(約合人民幣7608億元),目標實現3納米制程2022年量產,與臺積電同步,是兩強近年先進制程競逐賽中,最接近的一次。業界認為,若三星
2020-11-26 14:44:261862

臺積電 FinFET三星 GAA 在 3nm 制程技術遇瓶頸,量產時間恐將推遲

據 Digitimes 報道,業內人士透露,臺積電 FinFET三星 GAA 在 3nm 制程技術的開發過程中都遇到了不同但關鍵的瓶頸。報道稱,臺積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:102277

三星宣布其基于柵極環繞型晶體管架構的3nm工藝技術已經正式流片

目前從全球范圍來說,也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據外媒報道,三星宣布其基于柵極環繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構的3nm工藝技術已經
2021-07-02 11:21:542254

臺積電3nm即將量產 2nm預計2025年量產

  最近,臺積電總裁魏哲佳出席2022臺積電技術論壇,他表示臺積電的3納米工藝技術即將量產,2納米工藝保證在2025年量產。
2022-08-31 16:40:443076

三星代工廠宣布3納米節點已進入風險生產階段

三星最新的生產工藝技術是他們的4nm節點。該節點去年年底提高了產量。這是他們最后一個基于FinFET的前沿工藝技術,盡管不是他們計劃中的最后一個。
2022-09-09 14:27:18433

智原宣布支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財并已上架

ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財已在三星SAFE IP平臺上架,提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021000

三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時間節點

三星最新公布的制程工藝技術路線圖顯示,該公司計劃在2025年開始量產2納米級SF2工藝,以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿足大規模生產的標準。
2023-06-29 16:26:331270

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