近日中國半導(dǎo)體業(yè)最引人關(guān)注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產(chǎn)48層3D NAND，及它的投資240億美元的計劃。

　　中國上馬存儲器芯片制造己經(jīng)醞釀己久，眾說紛紜，有附和者，也有人表示擔(dān)心。因為工藝技術(shù)等問題很多，擔(dān)心是完全正常的。目前3DNAND三星走在前列，它的第三代3DNAND去年已開始48層，256GB量產(chǎn)。3DNAND在制造中有許多新的復(fù)雜的工藝。平面NAND中主要與先進的光刻工藝相關(guān)。相比較3D NAND制造中使用成熟工藝制程40nm-20nm。3D NAND制造中更大的挑戰(zhàn)是由先進圖形引成轉(zhuǎn)向淀積與腐蝕。另外，采用芯片剪薄后的堆疊方法，目前的估計最多可達128層。盡管3D NAND前景看好，但是與平面NAND相比，要跨過成本平衡點，最快可能在今年的64層，或者更多層數(shù)堆疊才可實現(xiàn)。

　　此次中國政府層面敢下決心投入巨資，讓全球業(yè)界震驚。因為存儲器與CPU有很大的不同，它的成功依賴于決心，需要持續(xù)的投資以及忍受可能長時間的虧損，所以它不太適合于民營資本去搏奕。對于中國存儲器業(yè)，敢于去“賭”，就有成功的希望。

　　以下分析新芯為什么會選擇3D NAND芯片，而不是邏輯芯片作為突破口。

　　因為全球3D NAND除了三星己經(jīng)量產(chǎn)之外，其它如海力士，東芝及美光都要等上幾個季度之后。

　　而新芯在中科院微電子所等合作幫助下己經(jīng)做成9層3D NAND的樣品，非常有信心在2018年實現(xiàn)48層的量產(chǎn)，這樣與三星之間也就差距在3-4年。而如果做邏輯芯片，臺積電在2011年Q4開始量產(chǎn)28納米，等到2018年新芯也實現(xiàn)量產(chǎn)28納米時，臺積電的設(shè)備大部分折舊己經(jīng)完成，假設(shè)那時的28納米芯片在成品率及功能方面與臺積電的完全相同，因為巨大的折舊負擔(dān)在成本上至少差30%以上，所以可能勝算就很小。而作3D NAND時，估計可以多出幾年時間讓我們可以追趕。另外，未來中國在大數(shù)據(jù)，云計算等推動下數(shù)據(jù)中心市場會大幅增加，因此國內(nèi)市場的需求也是選擇生產(chǎn)NAND閃存的原因之一。

　　對于全球28納米邏輯芯片的市場約100億美元，臺積電占市場份額80%。據(jù)2016 Q1數(shù)據(jù)它的28納米占其銷售額30%，為20億美元。隨著手機處理器芯片等的功能提升，向14納米及以下挺進，預(yù)估全球28納米市場會有所下降。

　　顯然中芯國際己在2015年Q4開始28納米邏輯芯片的量產(chǎn)，目前正在量產(chǎn)爬坡之中，它的目標是28納米占今年Q4銷售額的10%，預(yù)計該季出貨片量應(yīng)該可達約20，000片，即每月出貨有7000片。

　　所以28納米邏輯芯片工藝及48層 3D NAND是兩個“攔路虎“，它們都是中國芯片制造業(yè)前進路上的十分重要節(jié)點，它們的量產(chǎn)水平直接可用來衡量中國芯片制造業(yè)的水平以及差距的逐步縮小。