通過觀察2016年全球半導體業(yè)，可以看到如下跡象：

　　一是全球代工仍是紅火。2016年全球代工業(yè)可能有近6%的增長，達到500億美元，其中臺積電是最大贏家，它在2016年可能有10%的增長，市占率達58%。市調(diào)機構(gòu)預測，在2020年，全球代工（包括IDM與純代工）的銷售額可達近640億美元。

　　二是fabless的風光不再。繼2014年增長7.1%，達880億美元之后，2015年下降8.5%，預計2016年再下降3.2%。其中可能有兩個主要因素，一方面是大客戶如蘋果、華為、三星等紛紛設(shè)計自用芯片；另一方面從技術(shù)層面看，繼續(xù)往10納米及以下發(fā)展時，IC設(shè)計的成本急劇增大，終端消費產(chǎn)品逐漸飽和但新的終端應用尚未及時跟上。因此近期看到高通兼并NXP，它從fabless跨界到IDM，未來還可能在汽車電子領(lǐng)域中有所作為。

　　三是兼并加劇。全球半導體業(yè)在2015及2016兩年中的兼并，讓業(yè)界的印象尤為深刻，正所謂”一切皆有可能”。預計2017年會減緩。據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，2015年全球半導體并購案金額達到1400多億美元，而中國在其中只占有170多億美元，所占份額不到12%。

　　四是中國半導體產(chǎn)業(yè)崛起不可逆轉(zhuǎn)。自2014年起，在大基金的推動下，中國半導體產(chǎn)業(yè)正發(fā)起再次的挺進，它的聲勢之大，動作之迅速，己經(jīng)引起全球的極大反響。中國半導體產(chǎn)業(yè)別無選擇，一定要逆勢而上，而且不能退縮。

　　盡管中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，可能會吸收之前光伏、面板及LED等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗，在中央與地方政府的兩個方面共同推力下，采用更多的市場化手段，但是其中難免受到有些非市場化因素的影響。

　　觀察上世紀80年代，日本借助發(fā)展存儲器超過美國，而爭得全球第一。之后90年代，韓國依同樣的手法，利用存儲器打敗了日本，而爭得全球存儲器霸主地位至今。此次中國半導體業(yè)欲同樣采用發(fā)展存儲器來打翻身仗，所以不可避免地會引起全球半導體業(yè)界的巨大反響。

　　對中國半導體業(yè)而言，既要盡可能地爭取外援，又要把基點放在依靠自己的力量為主加強研發(fā)。顯然由于中國半導體業(yè)與先進地區(qū)之間的差距很大，所以產(chǎn)業(yè)的大環(huán)境尚不完善，在此影響下，中國半導體業(yè)的崛起可能走的路不會平坦，費時會更長些。

　　全球半導體市場在經(jīng)過2014年沖高之后，達3355億美元，增長9.8%，而接下來的2015年與2016年，已連續(xù)兩年處于徘徊期，基本上止步不前，按產(chǎn)業(yè)的周期性規(guī)律波動，預計2017年可能會有小幅增長。原因是推動產(chǎn)業(yè)增長的主因之一智能手機，它的數(shù)量在2014年增長28%后，2015年增長7%，而2016年才增長1%，己達飽和，而預期的下一波推手，如AR/VR、汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)等尚未達到預期。

　　從技術(shù)層面看，工藝尺寸由14納米向10納米及以下過渡，3D NAND閃存及TSV等都是技術(shù)方面的硬骨頭，在推進過程中難度不少，都不太可能在短時期內(nèi)有很大突破。所以近期全球半導體業(yè)中出現(xiàn)許多大規(guī)模兼并，表明企業(yè)都在尋找出路，也可以認為半導體業(yè)正處于關(guān)鍵的轉(zhuǎn)折期，預示著一場大的變革即將來臨。