2016年12月30日，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新區正式動工建設。該項目總投資240億美元，主要生產存儲器芯片，總占地面積1968畝。 此次正式開工建設的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的儲存型快閃存儲器FAB廠房。

紫光集團董事長趙偉國表示：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協議。我們會在那里投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠“。紫光布局半導體戰略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協議，要在四川打造百億云計算中心。

存儲器最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，據統計，存儲芯片在整個芯片市場占比超過25%，未來將達到45%左右。國家存儲器基地正式動工建設不僅僅是一個項目的開工，更具有特別的意義，存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，相當于中國科技領域的遼寧號航空母艦出海試航。

中國面臨發展存儲器的歷史性機遇，或許是最后的機遇。

一是國際半導體產業在向中國轉移；

二是中國消費市場巨大，有足夠的需求拉動消費；

三是存儲器行業出現新的增長引擎，如物聯網、大數據中心、智能家居、穿戴設備等；

四是新技術的出現，老技術迎來拐點，中國有望出現發展存儲器捷徑，縮小差距；

五是國家政策對半導體產業的大力扶持，是中國產業界發展存儲器的良好契機。

雖然中國自主3D儲存型快閃存儲器面臨難得機遇期，但由于門檻較高，仍有很長且很艱巨的路要走，這是一個持久戰，我們需要有清醒的認識和思想準備。從三星、東芝、海力士、美光的3D儲存型快閃存儲器研發經歷也可以看出，盡管他們都投入了大量資源，但仍耗費相當長的時間才構建完成，3D儲存型快閃存儲器技術的發展成熟以及制作當中所必需的精密工藝技術都需要長時間打磨方可實現。

國家存儲器基地項目的實施將打破我國主流存儲器領域的空白

CBN點評：國家存儲器基地項目建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，為行業發展起到推動作用。A股市場相關概念股紫光國芯、深科技、音飛儲存以及長電科技等有望受益。

芯片國產化是我國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一，作為信息技術的基礎產業，半導體集成電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標志著芯片國產化之路邁出可靠而重要的一步。

存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國后，全球第三個掌握相變存儲技術的國家。

在半導體產業上升為國家戰略的大背景下，我國芯片產業鏈上的企業發展前景值得期待。從上市公司來看，紫光國芯是國內IC設計龍頭企業，主要產品包括智能芯片、特種集成電路及存儲芯片。公司技術積累雄厚，市場優勢突出，是國內稀缺的IC設計、制造平臺型公司。