自然期刊,這對于1nm以下的半導體制程來說是一次巨大的突破。 ? 當前主流半導體制程已經發展至3nm和5nm,乃至IBM也在近期推出了2nm,但單位面積內所能容納的晶體管數目也已經逼近硅的物理極限,雖說制程突破受制于生產設備,卻也
2021-05-18 09:00:005549 制程越先進時,芯片會朝以上兩個方向同時發展,即晶體管數會變多,同時芯片面積也會適當變小一點點,然后性能變強,能耗變小。宏旺半導體總結一下,總的來說,更先進的制程能夠提供更低的功耗、更小的面積以及更強
2019-12-10 14:38:41
是一種半導體器件,通過將一層半導體材料放置在兩層極性相反的材料之間而創建。NPN晶體管(如8050)通常在兩層負極材料之間有一層正極材料。相比之下,正負正(PNP)晶體管在兩個正極之間有一個負層
2023-02-16 18:22:30
半導體材料從發現到發展,從使用到創新,擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初,就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年,氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用,是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成,成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
接觸處形成位壘,因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性,可以制成具有不同功能的半導體器件,如二極管、三極管、晶閘管等。此外,半導體材料的導電性對外界前提(如熱、光、電、磁等因素)的變化非常
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究,搞得國內好多石墨烯材料的股票大漲,連石墨烯內褲都跟著炒作起來了~~小編也順應潮流聊聊半導體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導體基礎知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學習了無源元件,今天我們接著來復習一下半導體以及使用了半導體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
閾值叫死區電壓,硅管約0.5V,鍺管約0.1V。(硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導體材料,硅管較多,鍺管較少)也就是我們在二極管整流得時候理想是,整個周期都是導通的,但是由于死區電壓的存在,實際上并不是全部導通的,當半導體電壓
2021-09-03 07:21:43
,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品,如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。集成電路是一種微型電子器件或部件,采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
非常復雜,尤其是其最核心的微型單元——成千上萬個 晶體管 。我們就來為大家詳解一下半導體芯片集成電路的內部結構。一般的,我們用從大到小的結構層級來認識集成電路,這樣會更好理解。01系統級我們還是以手機為例
2020-11-17 09:42:00
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
計算機開關機的,那么就會把計算機關閉。這就是機器語言的原理。實際用于計算機和移動設備上的晶體管大多是MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),它也分為N型和P型,NMOS就是指N型MOSFET
2021-01-13 16:23:43
硬之城,晶體管這個詞僅是對所有以半導體材料為基礎的元件的統稱,那么問題來了,晶體管有哪些類型,其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管,英文名稱為transistor,泛指一切以半導體材料為
2016-06-29 18:04:43
1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
?
再者在場效應管這種單極性導電半導體中,為什么只是有一種離子導電,而非兩種離子,不像晶體管那種兩種離子導電,請問這是為什么?同樣對于場效應管也有上面的問題?
2024-02-21 21:39:24
20世紀最初的10年,通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉,在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音收,就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。 晶體管的發明
2021-05-11 06:59:53
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-07-23 00:07:18
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
)用業收集電子。晶體管的發射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下:IE=IB+IC3.晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當
2013-08-17 14:24:32
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種,通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管,而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件,它由摻雜類型和濃度不同的三個區(發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態,對GaN 調制摻雜場效應晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進行了具體分析,并同其他微波器件進行了比較,展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
我們獲得的新半導體材料生長和加工技術的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個機場部署先進的空中交通管制雷達系統。從那時起,我們每年都有這種經驗,而今天,Integra為雷達應用提供廣泛
2019-04-15 15:12:37
:IB3042-5產品名稱:晶體管Integra于1997年由一些企業工程師發起,他們相信他們可以為新一代雷達系統設計人員提供創新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場的款產品是采用我們獲得的新半導體
2019-05-14 11:00:13
)的三層結構的Field-Effect Transistor(場效應晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
)的三層結構的Field-Effect Transistor(場效應晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導體構成n-p-n及p-n-p結構的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的縮寫,也叫場效應管,是一種由運算器的基礎構成
2023-03-08 14:13:33
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常,NPN晶體管將一塊P型硅(基極)夾在兩塊N型(集電極和發射極)之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作?以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
晶體管是現代電子產品的基本組成部分之一。在二極管教程中,我們看到簡單的二極管由兩塊半導體材料組成,形成一個簡單的pn結。而晶體管是通過背靠背連接兩個二極管而形成的三端固態器件。因此,它有兩個PN結
2023-02-15 18:13:01
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管(BJT)。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中,兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉,使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
的切換速度可達100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管(bipolar transistor)指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導體材料中流過的關系。雙極晶體管根據
2010-08-13 11:36:51
的電子工程是一個嶄新的領域,主要研究真空管中的電荷運動。如今,電子學研究的內容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學研究集成電路(IC)技術,它能夠在一塊半導體材料上制造包含數百萬甚至更多個電路元件
2018-02-08 18:13:14
晶閘管)、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IEGT(電子注入增強柵晶體管)、IPEM(集成電力電子模塊)、PEBB(電力電子積木)等。圖表2 功率半導體器件分類方式及代表類型(來源:電力電子技術
2019-02-26 17:04:37
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體元器件,研制人員在為這種器件命名時,想到它的電阻變換特性,于是取名為trans-resister(轉換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
調節電流或電壓的設備,充當電子信號的按鈕或門。
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晶體管的類型
晶體管由三層半導體器件組成,每層都能夠移動電流。半導體是一種以“半熱敏”方式導電的材料
2023-08-02 12:26:53
制造商更多采用高K電介質和金屬門材料,這種偏壓不穩定性越來越明顯。 Bashir Al-Hashimi教授的團隊在仿真試驗中使用的是高性能CMOS邏輯晶體管,BTI老化使得這些器件的實際功耗在降低
2017-06-15 11:41:33
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么,為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限,碳納米管復合材料又是怎么一回事呢?面對美國的技術突破,中國應該怎么做呢?XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝,也可以封裝在非常小的區域內,容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術)嚴格來說,晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件,包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
地,氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬,并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導體(MOS)結構。為確保透明,我們可以調整這種設計,將這些不透明金屬改變為透明導電材料如氧化銦錫,它廣泛應用于透明
2020-11-27 16:30:52
摻雜水平的p型半導體材料制成。發射器摻雜的供體雜質比收集器高得多,而收集物的摻雜水平遠低于發射器。NPN晶體管的偏置排列與PNP晶體管的偏置排列相反。電壓已反轉。電子具有比空穴更高的遷移率,是NPN類型
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
暴露在入射光中。除了曝光的半導體材料是雙極性晶體管晶體管(BJT)的基礎之外,光電晶體管的功能也是類似的。一個光敏晶體管被描述為一個去掉基極端子的 BJT,箭頭暗示基極對光敏感。本文中的其他圖只描述了
2022-04-21 18:05:28
電場控制材料的電導率。 鰭式場效應晶體管是一種非平面器件,即不受單個平面的限制。它也被稱為3D,因為具有第三維度。 為避免混淆,必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
從7nm到5nm,半導體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
的電流。2.晶體管的主要功能是什么?晶體管是一種半導體器件,用于放大或切換電子信號和電力。晶體管是現代電子產品的基本組成部分之一。它由半導體材料組成,通常具有至少三個用于連接到外部電路的端子。3.晶體管
2023-02-03 09:32:55
的規則,則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管,基極用作公共連接。PNP 結點如何工作?PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管,請問這個單結晶體管是什么?能夠實現負阻特性?
2024-01-21 13:25:27
的作用相當于一個二極管D。國產單結晶體管的型號有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導體,T表示特種管,3表示電極數,第四個數表示耗散功率(分別代表100、200、300和500mW)。 購線網 gooxian.com專業定制各類測試線(同軸線、香蕉頭測試線,低噪線等)
2018-01-09 11:39:27
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件,屬于電壓控制性半導體器件,具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,沒有
2012-08-03 21:44:34
場效應晶體管(英語:field-effecttransistor,縮寫:FET)是一種通過電場效應控制電流的電子元件。它依靠電場去控制導電溝道形狀,因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性
2019-05-08 09:26:37
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
同國產管的第三位基本相同。 晶體管是內部含有兩個PN結,外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用,應用十分廣泛。二、晶體管的種類晶體管有多種分類方法。(一)按半導體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測晶體管的性能?怎樣去檢測特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
,掌握它們的特性和參數。本章從討論半導體的導電特性和PN 結的單向導電性開始,分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應晶體管和半導體光電器件等常用的半導體元器件。喜歡的頂一頂,介紹的非常詳細哦。。。。[此貼子已經被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
結型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。前者是本次討論的重點。 雙極結型晶體管的類型 BJT安排有兩種基本類型:NPN和PNP。這些名稱是指構成組件的P型(正極)和N型(負極)半導體材料
2023-02-17 18:07:22
抗飽和晶體管的作用 羅姆應用筆記 前些天我出差到杭州臨安節能燈市場,在銷售員的帶領下走了幾家節能燈制造廠,我發現市場上對深愛半導體公司生產的節能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因,但我認為
2009-12-17 10:27:07
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導體之一,普渡大學通過這種材料做出了全球首款3D環繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外,三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
將晶體管縮小到1nm,大規模量產的困難有些過于巨大。不過,這一研究依然具有非常重要的指導意義,新材料的發現未來將大大提升電腦的計算能力。
2016-10-08 09:25:15
晶體管的半導體的電流由空穴(正極性)和電子(負極性)產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱,是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
模擬電子復習總結(一):半導體二極管一、半導體的基礎知識1.半導體---導電能力介于導體和絕緣體之間的物質(如硅Si、鍺Ge)。2.特性---光敏、熱敏和摻雜特性。3.本征半導體----純凈的具有
2019-07-10 19:15:30
幾十年來,電子設備變得越來越小,科學家們現已能將數百萬個半導體集成在單個硅芯片上。天一通訊科技,變號軟件,該研究的領導者、密歇根理工大學的物理學家葉躍進(音譯)表示:“以目前的技術發展形勢看,10年到20年間,這種晶體管不可能變得更小。半導體還有另一個先天不足,即會以熱的形式浪費大量能源。”
2013-07-03 10:44:31
、日本等國家和組織啟動了至少12項研發計劃,總計投入研究經費達到6億美元。借助各國***的大力支持,自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來,化合物半導體器件的制造技術取得了快速的進步,為化合物半導體
2019-06-13 04:20:24
電子產品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
,硅的電阻率就大大減小,利用這種特性制成了各種不同的半導體器件,如二極管、雙極型晶體管、場效晶體管及晶閘管等。4、本征半導體就是完全純凈的、晶格完整的半導體。5、在本征半導體的晶體結構中,原子之間以
2016-10-07 22:07:14
,滿足未來輕薄化的需求。 芯片晶體管橫截面 到了3nm之后,目前的晶體管已經不再適用,目前,半導體行業正在研發nanosheet FET(GAA FET)和nanowire FET(MBCFET
2020-07-07 11:36:10
沒事看看了電力電子,看到這個原理圖,有點迷糊了,按圖所示,如果集電極C處為N型半導體,按照圖中來C極應該接負極才對呀?為什么還接正極?這樣如何導通?有沒有大神指導下GTR的雙晶體管模型是什么樣的?
2020-06-11 09:03:42
,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業光刻和加工技術。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產生各種各樣的器件拓撲結構變得相對簡單。其他寬帶隙的半導體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至氮化鎵也不
2023-02-27 15:46:36
半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
、上位機等,給新手綜合學習的平臺,給老司機交流的平臺。所有文章來源于項目實戰,屬于原創。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電,故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導體三...
2021-07-21 06:31:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
晶體管分類
按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534103 晶體管通道的硅底板進行的從負極流向正極的運動,也就是漏電。在柵長大于7nm的時候一定程度上能有效解決漏電問題。不過,在采用現有芯片材料的基礎上,晶體管柵長一旦低于7nm,晶體管中的電子就很容易產生隧穿效應。
2016-10-10 16:49:395833 勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限,將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小,同樣體積的芯片上就能集成更多,這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
2018-06-22 15:44:044460 半導體制程已經進展到了3nm,今年開始試產,明年就將實現量產,之后就將向2nm和1nm進發。相對于2nm,目前的1nm工藝技術完全處于研發探索階段,還沒有落地的技術和產能規劃,也正是因為如此,使得1nm技術具有更多的想象和拓展空間,全球的產學研各界都在進行著相關工藝和材料的研究。
2021-12-17 15:18:0610991 1nm芯片是什么意思?目前芯片的代工工藝制程工藝已經進入3nm節點,在1nm芯片制造技術節點迎來技術突破。芯片的發展一直都很快,有消息稱IBM與三星聯手將實現1nm及以下芯片制程工藝。
2021-12-17 14:34:4330435 三星3nm采用的晶體管架構是GAAFET,也被稱為Nanosheet,而1nm制程對晶體管架構提出了更高的要求。
2022-09-05 15:03:574512 高性能單層二硫化鉬晶體管的實現讓科研界看到了二維半導體的潛力,二維半導體材料的發展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限(< 1 nm),同樣的科學家們也沒有停止追尋二維半導體晶體管橫向尺寸的極限(也就是晶體管溝道長度的縮放極限)。
2022-10-17 10:50:042020 在 VLSI 2021 上,imec 推出了 forksheet 器件架構,以將納米片晶體管系列的可擴展性擴展到 1nm 甚至更領先的邏輯節點。
2022-11-01 10:50:423482 然而,前不久麻省理工學院(MIT)華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維(2D)材料制造成功的原子晶體管,每個晶體管只有 3 個原子的厚度,堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:481309 然而,前不久麻省理工學院(MIT)華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維(2D)材料制造成功的原子晶體管,每個晶體管只有 3 個原子的厚度,堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:291164
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