16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發
2019-04-18 15:48:47
6010 對于如今的半導體產業而言，EUV光刻機是打造下一代邏輯和DRAM工藝技術的關鍵所在，為了在未來的工藝軍備競賽中保持優勢，臺積電、三星和英特爾等廠商紛紛花重金購置EUV光刻機。 ? 然而，當這些來自
2022-07-22 07:49:002403 TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09989 傳統的光刻工藝是相對目前已經或尚未應用于集成電路產業的先進光刻工藝而言的，普遍認為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因為 193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個技術節點的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 極紫外 (EUV) 光刻系統是當今使用的最先進的光刻系統。本文將介紹這項重要但復雜的技術。
2023-06-06 11:23:54688 
在之前的文章里，我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在，讓我們繼續了解光刻工藝，通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢？
2023-06-28 10:07:472428 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241339 
在7nm及以下節點上，臺積電的進展是最快的，今年量產7nm不說，最快明年4月份就要試產5nm EUV工藝了，不過這個節點的投資花費也是驚人的，臺積電投資250億美元建廠，5nm芯片設計費用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:333674 中芯國際的7nm工藝發展跟臺積電的路線差不多，7nm節點一共發展了三種工藝，分別是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工藝的N7＋，前兩代工藝也沒用EUV光刻機，只有N7＋工藝上才開始用EUV工藝，不過光罩層數也比較少，5nm節點寸是充分利用EUV光刻工藝的，達到了14層EUV光罩。
2020-02-28 09:49:163525 作為近乎壟斷的光刻機巨頭，ASML的EUV光刻機已經在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無論是英特爾、臺積電還是三星，EUV光刻機的購置已經是生產支出中很大的一筆，也成了7nm之下不可或缺的制造設備
2021-12-01 10:07:4110988 電子發燒友網報道（文/周凱揚）到了3nm這個工藝節點之后，單靠現有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。為了實現2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:002200 翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
有參考價值的信息。 英特爾路線圖 從7nm到1.4nm 首先將目光放到最遠，英特爾預計其工藝制程節點將以2年一個階段的速度向前推進。從2019年推出10nm工藝開始（實際產品在市場上非常少見
2020-07-07 11:38:14
ofweek電子工程網訊 國際半導體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業界對半導體制造的關鍵設備之一極紫外光刻機（EUV）的關注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
的耐蝕刻薄膜材料，經曝光和顯影而使溶解度增加的是正性光刻膠，反之為負性光刻膠。光刻膠的分類及其特點見表1。 隨著IC特征尺寸亞微米、深亞微米方向快速發展，現有的光刻機和光刻膠已無法適應新的光刻工藝要求
2018-08-23 11:56:31
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區別如下
2021-01-12 10:17:47
，光源是ArF（氟化氬）準分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機，但是到了7nm這個節點已經的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺積電都會在7nm這個節點引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
`請問PCB蝕刻工藝質量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
%，Lam Research為10億美元，占臺積電采購額的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球僅有ASML一家公司掌握著EUV光刻機的核心技術，這也是5nm制程必需的設備，但EUV
2020-03-09 10:13:54
們的投入中，80%的開支會用于先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進封裝及特殊制程。而先進工藝中所用到的EUV極紫外光刻機，一臺設備的單價就可以達到1.2億美元，可見半導體
2020-02-27 10:42:16
卡巴KEY，可用到０９年６月１７日各版本通用 發個卡巴的KEY，可用到０９年６月１７日，而且卡巴７.０、８.０都能用
2008-07-31 16:50:25
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻機作為集成電路制造中最關鍵的設備，對芯片制作工藝有著決定性的影響，被譽為“超精密制造技術皇冠上的明珠”，根據之前中芯國際的公報，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工藝背后的故事
去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發布相關產品。
2010-03-24 08:52:581085 在SEMICON West上另一個熱點是光刻技術能否達到15nm的經濟制造?半導體業是有希望未來采用EUV技術。
2011-03-08 10:09:572516 光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 進入10nm工藝節點之后，EUV光刻機越來越重要，全球能產EUV光刻機的就是荷蘭ASML公司了，他們總共賣出18臺EUV光刻機，總價值超過20億歐元，折合每套系統售價超過1億歐元，可謂價值連城。
2017-01-19 18:22:593470 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規模集成電路）研討會上，三星首次分享了基于EUV技術的7nm工藝細節。
2018-06-22 15:16:00967 EUV光刻工藝加成，但是7nm EUV工藝在性能上不會有多大的提升，AMD CTO Mark Pappermaster也在采訪中證實7nm EUV工藝主要是改善能效，性能提升只是適度的。
2018-11-27 16:35:243852 。 GlobalFoundries、英特爾、三星和臺積電希望將EUV光刻技術加入到7nm和5nm生產中。但就像以前一樣，EUV由幾部分組件組成，在芯片制造商能夠引入之前，它們必須整合在一起。
2018-03-31 11:52:005861 非關鍵層面上首次嘗試使用EVU極紫外光刻系統，工藝節點從CLN7FF升級為CLN7FF+，號稱晶體管密度可因此增加20%，而在同樣密度和頻率下功耗可降低10%。 臺積電5nm(CLN5)將繼續使用荷蘭
2018-05-15 14:35:133793 
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預計明年量產。那么存儲芯片行業何時會用上EUV
2018-06-07 14:49:006059 美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰略決策會上回答了有關的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。
2018-06-08 14:29:075468 
隨著技術的發展，今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，下一代將在2020年進入5nm工藝，2022年進入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統的DUV光刻工藝，預計到5nm工藝將會上EUV光刻工藝。
2018-08-20 17:41:491149 臺積電前不久試產了7nm EUV工藝，預計明年大規模量產，三星今天宣布量產7nm EUV工藝，這意味著EUV工藝就要正式商業化了，而全球最大的光刻機公司荷蘭ASML為這一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293306 隨著三星宣布7nm EUV工藝的量產，2018年EUV光刻工藝終于商業化了，這是EUV工藝研發三十年來的一個里程碑。不過EUV工藝要想大規模量產還有很多技術挑戰，目前的光源功率以及晶圓產能輸出還沒有
2018-10-30 16:28:403376 現在的EUV光刻機使用的是波長13.5nm的極紫外光，而普通的DUV光刻機使用的是193nm的深紫外光，所以升級到EUV光刻機可以大幅提升半導體工藝水平，實現7nm及以下工藝。
2018-11-01 09:44:264269 晶圓產率方面還有很大發大空間。EUV光刻機對7nm及以下的工藝節點非常重要，臺積電、三星兩大代工巨頭均已在最新產品中引入7納米EUV技術。 EUV光刻機壟斷者ASML 目前，光刻機領域的龍頭老大是荷蘭
2018-11-02 10:14:19834 作為全球頭號代工廠，臺積電的新工藝正在一路狂奔，7nm EUV極紫外光刻工藝已經完成首次流片，5nm工藝也將在2019年4月開始試產。
2018-12-19 15:01:021550 所以，臺積電要想保持優勢，就必須要加快7nm EUV的進程。而7nm EUV工藝的關鍵在于EUV光刻機，今年ASML（荷蘭阿斯麥）也計劃提高EUV光刻機的產能，以及將年出貨量由之前的18臺提升到今年的30臺。
2019-02-14 16:04:593230 彭博報道稱，臺積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產階段，并且計劃在本月進行量產。預計A13芯片將采用臺積電的第二代7nm工藝，并且率先采用EUV光刻技術。
2019-05-13 16:39:514527 臺積電官方宣布，已經開始批量生產7nm N7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業第一次量產EUV極紫外光刻技術，意義非凡。
2019-05-28 16:18:243401 在半導體制造過程中，最重要的一個過程就是光刻工藝，需要用到光刻機，7nm及以下節點工藝則需要EUV光刻機，目前只有荷蘭ASML公司能生產，每臺售價超過1億歐元，可以說是半導體行業的明珠了，是門檻非常高的先進技術。
2019-07-12 10:38:434279 格芯首席技術官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機，那么光刻的步驟將會超過100步，這會讓人瘋狂。所以所EUV光刻機無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產工具，未來圍繞EUV光刻機的爭奪戰將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進工藝市場競爭的關鍵。
2019-09-03 17:18:1812845 
芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長范圍是10~400nm）用以取代現在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空氣和鏡片材料吸收、生成高強度的EUV也很困難。
2019-10-01 17:12:007709 7nm+ EUV節點之后，臺積電5nm工藝將更深入地應用EUV極紫外光刻技術，綜合表現全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:114797 7nm是Intel下一代工藝的重要節點，而且是高性能工藝，其地位堪比現在的14nm工藝，而且它還是Intel首次使用EUV光刻的制程工藝，意義重大。
2019-10-12 14:44:542701 在半導體工藝進入 10nm 節點之后，制造越來越困難，其中最復雜的一步——光刻需要用到 EUV 光刻機了，而后者目前只有荷蘭 ASML 阿斯麥公司才能供應。
2019-12-10 16:04:287122 截至目前，華為麒麟990 5G是唯一應用了EUV極紫外光刻的商用芯片，臺積電7nm EUV工藝制造，而高通剛發布的驍龍765/驍龍765G則使用了三星的7nm EUV工藝。
2019-12-18 09:20:0315995 由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。在這之后，三星已經加快了新工藝的進度，日前6nm工藝也已經量產出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發。
2020-01-06 16:13:073254 由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。
2020-01-06 16:31:033215 三星宣布，位于韓國京畿道華城市的V1工廠已經開始量產7nm 7LPP、6nm 6LPP工藝，這也是全球第一座專門為EUV極紫外光刻工藝打造的代工廠。
2020-02-21 16:19:052214 近些年來EUV光刻這個詞大家應該聽得越來越多，三星在去年發布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473149 近些年來EUV光刻這個詞大家應該聽得越來越多，三星在去年發布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 11:42:4529308 據國外媒體報道，在芯片的制造過程中，光刻機是必不可少的設備，在芯片工藝提升到7nm EUV、5nm之后，極紫外光刻機也就至關重要。
2020-03-07 14:39:545045 臺積電上周發布了3月及Q1季度財報，營收同比大漲了42%，淡季不淡。不過接下來的日子半導體行業可能不太好過了，ASML的EUV光刻機已經斷貨，要延期交付，好在臺積電今年已經在5nm工藝上搶先三星了。
2020-04-15 08:55:173192 CFan曾在《芯希望來自新工藝！EUV和GAAFET技術是個什么鬼？》一文中解讀過EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產7nm或更先進制程工藝的技術，特別是在5nm3nm這個關鍵制程節點上，沒有
2020-09-01 14:00:292234 工藝制程走入10nm以下后，臺積電的優勢開始顯現出來。在7nm節點，臺積電優先確保產能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結果進度領先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優勢。
2020-09-02 16:00:292684 了公司研究概況，他強調通過與ASML公司緊密合作，將下一代高分辨率EUV光刻技術高NA EUV光刻技術商業化。IMEC公司強調，將繼續把工藝規模縮小到1nm及以下。 包括日本在內的許多半導體公司相繼退出了工藝小型化，聲稱摩爾定律已經走到了盡頭，或者說成本太高，無利可圖。
2020-12-02 16:28:53806 在制造芯片的過程中，光刻工藝無疑最關鍵、最復雜和占用時間比最大的步驟。光刻定義了晶體管的尺寸，是芯片生產中最核心的工藝，占晶圓制造耗時的40％到50％。光刻機在晶圓制造設備投資額中約占23
2020-10-09 15:40:112189 ASML的EUV光刻機是目前全球唯一可以滿足22nm以下制程芯片生產的設備，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻機必不可缺。一臺EUV光刻機的售價為1.48億歐元，折合人民幣高達11.74億元
2020-10-19 12:02:499648 
臺積電是第一家將EUV（極紫外）光刻工藝商用到晶圓代工的企業，目前投產的工藝包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:561425 EUV工藝的，這是臺積電三種7nm工藝版本之一，與其他兩種工藝相比，它會使用EUV光刻機，光刻處理效率更高。 在Zen3是否會上EUV工藝的問題上，AMD官方的態度一直很模糊，只強調是改良版的7nm工藝，官方路線圖中直接去掉了EUV的痕跡。 不過臺灣媒體日前提到，AMD的Zen3這次使用的7nm工
2020-10-26 17:49:532077 ASML公司的EUV光刻機全球獨一份，現在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺積電、三星用它生產CPU、GPU等芯片。馬上內存芯片也要跟進了，SK海力士宣布明年底量產EUV工藝內存。
2020-10-30 10:54:211646 制造工藝EUV（極紫外光刻）。Exynos 1080 所采用的 5nm EUV 工藝與 8nm LPP（成熟低功耗）相比，性能提升 14%，功耗降低 30%；與 7nm DUV（深紫外光刻）相比，
2020-11-12 16:48:291670 在半導體工藝進入7nm之后，EUV光刻機就成為兵家必備大殺器了，全球也只有ASML公司能生產，單價達到10億人民幣一臺。不過在EUV技術上，ASML還真不一定就是第一，專利比三星還少。
2020-11-17 10:25:182211 、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規劃，且1nm時代的光刻機體積將增大不少。 據稱在當前臺積電、三星的7nm、5nm制造中已經引入了NA=0.33的EUV曝光設備，2nm之后需要
2020-11-30 15:47:402520 想想幾年前的全球半導體芯片市場，真的可謂哀嚎一片，一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天，我們不僅看到5nm工藝如期而至，臺積電宣布2nm獲得重大進展，就連光刻機的老大ASML也傳來捷報，全球最先進的1nm EUV光刻機業已完成設計。
2020-12-02 16:55:419682 自從芯片工藝進入到7nm工藝時代以后，需要用到一臺頂尖的EUV光刻機設備，才可以制造7nm EUV、5nm等先進制程工藝的芯片產品，但就在近日，又有外媒豪言：這種頂尖的EUV極紫外光刻機，目前全球
2020-12-03 13:46:226379 更多訣竅，領先對手1到2年。 據悉，三星的1z nm DRAM第三代內存已經用上了一層EUV，第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產時間、降低成本，并提高性能。 盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV，但層數過少對
2020-12-04 18:26:542201 據日媒近日消息，IMEC公司（比利時的一家微電子研究機構，總部在比利時魯汶，是一個專注于納米科技的世界級研究中心）在ITF Japan 2020大會上公布了3nm、2nm、1．5nm以及1nm以下
2020-12-07 17:07:108923 ? 導 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發的 ArF 光刻膠產品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 Luc Van den hove表示，IMEC的目標是將下一代高分辨率EUV光刻技術高NA EUV光刻技術商業化。由于此前得光刻機競爭對手早已經陸續退出市場，目前ASML把握著全球主要的先進光刻機產能，近年來，IMEC一直在與ASML研究新的EUV光刻機，目前目標是將工藝規模縮小到1nm及以下。
2020-12-30 09:23:481673 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機。
2021-02-25 09:28:551644 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻
2021-02-25 09:30:232047 隨著半導體工藝進入10nm節點以下，EUV光刻機成為制高點，之前臺積電搶購了全球多數的EUV光刻機，率先量產7nm、5nm工藝，現在內存廠商也要入場了，SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機。
2021-02-25 11:39:091844 從中芯國際官網的介紹來看，該公司提到的最先進工藝還是14nm，接下來的是N+1、N+2工藝，但沒有指明具體的工藝節點。
2021-05-14 09:46:013193 7nm之下不可或缺的制造設備，我國因為貿易條約被遲遲卡住不放行的也是一臺EUV光刻機。 但EUV光刻機的面世靠的不僅僅是ASML一家的努力，還有蔡司和TRUMPF（通快）兩家歐洲光學巨頭的合作才得以成功。他們的技術分別為EUV光刻機的鏡頭和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1010742 臺積電和三星從7nm工藝節點就開始應用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導體制造過程中的EUV光刻層數。
2022-05-13 14:43:202077 
先進光刻工藝EUV相關知識，適合對半導體工藝有興趣的人員，或者是從事光刻工藝的工程師
2022-06-13 14:48:231 HVM中的EUV光刻
?背景和歷史
?使用NXE的EUV光刻：3400B
?EUV生成原理
?EUV來源：架構
?現場EUV源
?電源展望
?總結
2022-06-13 14:45:450 在芯片研發的過程中，光刻機是必不可少的部分，而隨著芯片制程工藝的不斷發展，普通的光刻機已經不能滿足先進制程了，必須要用最先進的EUV光刻機才能完成7nm及其以下的先進制程，而目前臺積電和三星都在攻克
2022-06-28 15:07:126676 隨著 0.55 NA EUV 光刻機量產提上日程，芯片廠商的“2nm 工藝戰”也將徹底打響。
2022-06-29 15:59:111297 1、IBM的2nm芯片，所有關鍵功能都是使用EUV光刻機進行刻蝕。而7nm芯片只有在芯片生產的中間和后端環節使用EUV光刻機，意味著2nm工藝對EUV光刻機擁有更高的依賴性。
2022-07-05 17:26:497169 光刻機是芯片制造的核心設備之一。目前世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML的EUV光刻機。
2022-07-06 11:03:077000 EUV光刻機是在2018年開始出現，并在2019年開始大量交付，而臺積電也是在2019年推出了7nm EUV工藝。
2022-07-07 09:48:444523 目前，光刻機主要分為EUV光刻機和DUV光刻機。DUV是深紫外線，EUV是非常深的紫外線。DUV使用的是極紫外光刻技術，EUV使用的是深紫外光刻技術。EUV為先進工藝芯片光刻的發展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1078127 euv光刻機原理是什么 芯片生產的工具就是紫外光刻機，是大規模集成電路生產的核心設備，對芯片技術有著決定性的影響。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻機生產。那么euv光刻機原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1015099 光刻是半導體工藝中最關鍵的步驟之一。EUV是當今半導體行業最熱門的關鍵詞，也是光刻技術。為了更好地理解 EUV 是什么，讓我們仔細看看光刻技術。
2022-10-18 12:54:053181 來源：云天半導體 廈門云天半導體繼九月初812吋 “晶圓級封裝與無源器件生產線”正式通線后，經過團隊的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發終破2/2um L/S大關； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 電子發燒友網報道（文/ 周凱揚 ）到了3nm這個工藝節點之后，單靠現有的0.33NA EUV光刻機就很難維系下去了。 為了實現2nm乃至未來的埃米級工藝，將晶體管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:02952 過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術的發展。在使用 F2 準分子激光器開發基于 157 納米的光刻技術方面付出了一些努力，但主要關注點是使用 13.5 納米軟 X 射線作為光源的極紫外 (EUV) 光刻技術。
2023-02-02 11:49:592234 光掩模可以被認為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創建圖案的原因。
2023-03-03 10:10:321129 日本最寄望于納米壓印光刻技術，并試圖靠它再次逆襲，日經新聞網也稱，對比EUV光刻工藝，使用納米壓印光刻工藝制造芯片，能夠降低將近四成制造成本和九成電量，鎧俠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司則規劃在2025年將該技術實用化。
2023-03-22 10:20:391837 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環境中開發，必須通過精心設計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰，imec 最近開發了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
了。 ? 芯片制造離不開光刻機，特別是在先進制程上，EUV光刻機由來自荷蘭的ASML所壟斷。同時，盡管目前市面上，EUV光刻機客戶僅有三家，但需求不斷增加的情況底下，EUV光刻機依然供不應求。 ? 針對后3nm時代的芯片制造工藝，High-NA（高數值孔徑）EUV光刻機
2022-06-29 08:32:004635
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