三星與臺積電工藝之戰從三星跳過20nm工藝而直接開發14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領先一步，都是半導體工藝的重大突破。

在半導體代工市場上，臺積電一直都以領先的工藝著稱，三星為了趕超臺積電選擇直接跳過20nm工藝而直接開發14nmFinFET工藝，臺積電雖然首先開發出16nm工藝不過由于能效不佳甚至不如20nm工藝只好進行改進引入FinFET工藝，就此三星成功實現了領先。

2015年三星成功在年初量產14nmFinFET工藝，而臺積電的16nmFinFET工藝則延遲到同年三季度量產。在臺積電成功量產16nmFinFET工藝后卻優先照顧蘋果用于生產A9處理器，而幫助它研發16nmFinFET工藝的華為海思則沒獲得禮遇導致采用該工藝的麒麟950芯片延遲到11月初發布。

于是雙方將目光聚焦于10nm和7nm工藝上，希望爭取先量產。在過去一年時間，臺媒屢屢發布消息指臺積電的10nm工藝進展快速，不過最終在去年10月份三星宣布自家的10nm工藝正式量產并采用該工藝生產出高通的驍龍835芯片，再次領先于臺積電。

在MWC2017上聯發科大事宣傳其采用臺積電的10nm工藝生產的helio X30芯片，不過暫未知哪個手機企業會采用該款芯片，而早前傳出消息指曾計劃采用該款芯片的小米已放棄引入。采用三星10nm工藝生產的驍龍835則被中興和索尼采用并在MWC2017上展示，預計4月份三星采用該款芯片的高端手機galaxy S8將會大規模上市，從事實上來說這次三星和高通成為10nm工藝的贏家！

當前三星和臺積電正積極推動它們的7nm工藝量產，各方的消息指它們有可能本年底或明年初量產7nm工藝。在最關鍵的EUV（極紫外光微影）設備方面，三星早在2016年就已花費1.78億美元從ASML采購EUV設備，而臺積電則預計從今年1月裝設EUV設備，從這個方面來說前者已搶先一步。

臺積電今年還面臨著其他的問題，當下它的10nm工藝良率過低迫使它集中資源提升良率，同時在開發16nmFinFET的改進工藝12nmFinFET，接下來又需要確保有足夠的產能滿足蘋果將用于iPhone8的A11處理器對10nm工藝產能的強大需求，這導致它難以集中更多資源開發7nm工藝。

三星雖然也面臨著10nm工藝良率的問題，不過它除了這方面需要投入資源外并無需更多需要擔心的地方因此可以將更多資源集中于7nm工藝，在加上在EUV技術方面先于臺積電進行投入，故有可能在7nm工藝上先于臺積電量產。

三星和臺積電在7nm工藝上有可能真正實現對半導體老大臺積電的超越，雖然在命名上這兩者的10nm工藝與Intel的10nm一樣，不過業界普遍認為它們的7nm工藝才能實現領先于Intel的10nm，當前它們的10nm估計只是稍好與Intel的14nmFinFET，Intel預計今年下半年會量產10nm工藝，也因此它們才如此看重誰搶先量產7nm工藝。