在2012年，整體的電子元器件行業形勢不佳，尤其是半導體芯片庫存積壓過多，而在今年陸續有聽說行業有緩和跡象，不知半導體的發展將如何呢？
2013-02-27 14:12:58
領帶，這可是當年半導體弄潮兒的標配。
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仙童(Fairchild)讓你感慨IC業的歷史
集成電路史上最著名的10個人
于是，第一個半導體時代誕生了——集成器件制造商時代
2024-03-13 16:52:37
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
今年剛考上研究生 本科是學通信的 無奈被調劑到專碩 導師是研究半導體器件的 對這方面不是很了解 想問下它的就業前景怎么樣 以后想往集成電路設計方面發展容易嗎？
2012-07-01 23:15:00
半導體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
地，2020 年業界普遍認為 5G 會實現大規模商用，熱點技術與應用推動下，國內半導體材料需求有望進一步增長。寬禁帶半導體材料測試1 典型應用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征2 典型應用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
(個別的第三位)能存活下來。對于全球設備制造商最關鍵的問題是兼并市場的回報率太低。產業的發展實際上不存在帶強制性理由,以及不會無故的把錢送至您手中。預計在未來半導體設備業中可能有兩個領域會產生強勁
2010-02-26 14:52:33
請問半導體分立器件怎么分類？
2011-10-26 10:29:14
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導體器件的塑封生產線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設備也不需要面面俱到，能進行小規模正常生產就行。哪位大神能告知所需設備的信息，以及這些設備的國內外生產廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
半導體材料從發現到發展，從使用到創新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向導電性。利用PN結的單向導電性，可以制成具有不同功能的半導體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導體材料的導電性對外界前提（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常
2013-01-28 14:58:38
了45%的轉化效率，就輸出功率來看，也從W到了KW級的轉變。目前各國在研制項目的支持下，半導體激光器的芯片結構、外延生長和器件封裝等激光器技術均有了長足發展，單元器件的性能也實現了重大突破：電光轉換
2019-04-01 00:36:01
隔著一條禁帶，當電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導帶跳回價帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長。 小功率半導體
2016-01-14 15:34:44
之一摩爾曾在1965年作出預言：半導體將會得到高速發展，電子學會隨之獲得廣泛的普及，滲透到寬廣的應用領域中。從半個世紀之后再往回看，這一預言早已得到了完美印證。雖然光纖激光器優勢市場潛力很大，不過
2019-05-13 05:50:35
半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看
2021-09-15 07:24:56
要的是，如果在純諍 的半導體中加入適量的微量雜質后，可使其導電能力增加至數十萬倍以上。利用 這一特性，已經做成各種不同用途的半導體器件（如二極管、三極管、場效應管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在純諍 的半導體中加入適量的微量雜質后，可使其導電能力增加至數十萬倍以上。利用 這一特性，已經做成各種不同用途的半導體器件（如二極管、三極管、場效應管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質
2018-02-11 09:49:21
國際半導體芯片巨頭壟斷加劇半導體芯片產業呈現三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
一、測試需求：功率器件如場效應晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開關速度,能夠耐受沒有規律的電壓峰值，被廣泛應用于電源轉換產品的設計。尤其最新第三代半導體
2021-05-20 11:17:57
請問泰克示波器如何使用？
2023-11-01 08:02:32
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
`我司專注中低壓mos管（場效應管）aos美國萬代半導體以及各系列、型號，保證原裝正品，大量現貨供應批發，閃電發貨。產品品牌有AOS美國萬代、LT領泰、新潔能、東沅及長電等等等，型號多，參數廣，質量
2020-03-11 14:54:35
multisim打開運行后右側沒有泰克示波器
2021-09-18 17:49:56
市場的銷售份額將進一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。2023年行業將迎全新發展良機中國半導體產業依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩定經濟增長及產業扶持政策等眾多有利條件快速發展。據數據顯示，從
2023-03-17 11:08:33
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導體器件的應用及工作頻率（來源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來源：來源：寬禁帶半導體技術創新聯盟
2019-02-26 17:04:37
。 （5）本征半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，遭到熱激起后，價帶中的局部電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中短少一個
2020-03-26 15:40:25
市場趨勢和更嚴格的行業標準推動電子產品向更高能效和更緊湊的方向發展。寬禁帶產品有出色的性能優勢，有助于高頻應用實現高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計算中的瓶頸。此外當PBG結構為圓環形時，一般的階梯近似不足以滿足計算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網格建模的MPI并行FDTD程序對圓環形PBG結構進行了分析。討論了單元數目，單元間距，圓孔內徑和導帶寬度對S參數的影響，最后設計了一種寬禁帶圓環形PBG結構。
2019-06-27 07:01:22
”，無疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國三星電子的發展面臨著巨大的挑戰。據最新報導顯示，三星電子計劃明年將半導體事業的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導體？
2021-06-08 07:09:36
市場的銷售份額將進一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。2023年行業將迎全新發展良機中國半導體產業依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩定經濟增長及產業扶持政策等眾多有利條件快速發展。據數據顯示，從
2023-03-17 11:13:35
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
1，半導體基礎2，PN節二極管3，BJT和其他結型器件4，場效應器件
2020-11-27 10:09:56
基于霍耳效應的半導體磁電轉換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性？低阻抗功率半導體開關有哪些應用優勢？
2021-06-26 06:14:32
汽車毫米波雷達的工作原理是什么？汽車毫米波雷達的測試挑戰有哪些？泰克汽車毫米波雷達測試解決方案
2021-06-17 09:02:39
，MOS器件面臨一系列的挑戰。例如短溝道效應(ShortChannelEffect-SCE)，熱載流子注入效應(HotCarrierInject-HCI)和柵氧化層漏電等問題。為了克服這些挑戰，半導體
2018-11-06 13:41:30
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
測試對測 試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時利
2019-10-08 15:41:37
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
產線擁有生產設備近1000臺，工廠設有先進實驗室，2021年公司的年產能100億顆。合科泰在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計等方面積累了豐富的核心技術，擁有多項國家發明專利和實用新型專利等
2023-03-10 17:34:31
下一代電源半導體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
在昨天的博客《安森美半導體在PCIM展示寬禁帶技術的最新創新》中，我們談到了圍繞安森美半導體將于本周在歐洲PCIM展示的WBG的所有令人興奮的發展。除了WBG，該公司還將在9號廳342號展臺展示其
2018-10-30 09:06:50
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
本帖最后由 像懶惰的貓 于 2017-6-25 22:02 編輯
嵌入式系統的發展對半導體器件的影響，什么方面的都行。求助大神！
2017-06-25 21:49:06
半導體元器件是用半導體材料制成的電子元器件，隨著電子技術的飛速發展，各種新型半導體元器件層出不窮。半導體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學習電子技術必須首先了解半導體元器件的基本結構和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
隨著半導體工業的飛速發展，新型電力電子器件不斷涌現，用戶對器件建模的需求越來越迫切，對專用建模工具的開發提出了新的挑戰。設計射頻器件建模工具，我們具體該怎么做呢？
2019-08-20 06:20:17
的自然規律一樣，從圖4、圖5中可見一斑。3．1．3 2005年我國分立器件封裝業發展的基本態勢(1)分立器件是我國半導體市場兩大分支之一(另一支是集成電路)。半導體分立器件由于具有通用性強、應用范圍廣泛
2018-08-29 09:55:22
來源:半導體器件應用網 www.ic.bit-bit.com原創摘要：2011年轉眼即逝，縱觀2011年，企業在半導體行業的市場有著怎么樣的發展呢？為適應市場需求，半導體器件市場出現了哪些新的技術
2011-12-08 17:24:00
的機遇和挑戰等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用2
2017-07-11 14:06:55
文/編譯楊碩王家農在網絡無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導體技術路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導體技術發展預測中認為，隨著技術和體系結構推進“摩爾定律”和生產力極限
2019-07-24 08:21:23
回顧過去30年半導體產業的發展，在上世紀80年代的時候是以電腦作為主要的推動力，上世紀90年代是以通信產品為主，最近幾年，消費電子產品的發展在數量上給半導體產品的增長提供了動力。可見，市場應用的拓展不斷為半導體產業帶來新的發展契機。
2019-08-19 07:20:01
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
`海飛樂技術目前產品范圍包括有：快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優異的半導體性能，在各個現代工業領域發揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
在電力電子行業的發展過程中，半導體技術起到了決定性作用。其中，功率半導體器件一直被認為是電力電子設備的關鍵組成部分。隨著電力電子技術在工業、醫療、交通、消費等行業的廣泛應用，功率半導體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點如表1所示，其絕緣擊穿電場強度較高。只要利用這個性質，就可提高與Si元件相同結構時的耐壓性能。只要實現有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導體材料具有可見光波段的發光特性、高擊穿場強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優勢，可以應用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經過多年的發展
2017-02-22 14:59:09
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
`泰科天潤招聘貼~研發工程師崗位職責：1.半導體器件設計；2.半導體工藝開發；3.研究SiC功率器件方面的最新進展，包括研究文獻、新設計、新技術、新產品等；4.協助小組項目開發。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制，范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中
2016-11-27 22:34:51
泰克示波器有什么特異功能？
2021-06-17 11:22:25
請問一下半導體發展至今經歷了什么？
2021-06-17 08:10:52
請問怎么優化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
解釋說：“在產品研發方面，由我們做主導。客戶提出要求，我們提供方案。至于技術使用的問題，最關鍵是靠雙方信譽，如果為了雙方共同的發展，就不會計較小利。” 飛銳泰克并不拘泥于某一兩個行業，而是為各行業
2019-06-27 08:24:59
半導體器件,半導體器件的種類
半導體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運用于手機、數碼家電產品
2010-03-01 17:25:02
5985 市場成長率將保持了7.9%左右，半導體分立器件應用范圍的不斷拓展，將為行業發展帶來新契機。在2015年度第86屆中國電子展上，半導體分立器件將開設專門展區，充分展示這一行業的新科技與新產品。 第86屆中國電子展 與世界溝通的
2015-09-01 18:47:06850 近日Cree科銳宣布，其與意法半導體簽署了一份多年供貨協議，為意法半導體生產和供應其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。
2019-01-11 16:21:504432 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:583929 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284098 Cree是碳化硅（SiC）領域的龍頭。Cree Wolfspeed產品組合包括了碳化硅（SiC）材料、功率器件、射頻器件，廣泛應用于電動汽車、快速充電、逆變器、電源、電信、軍事、航空航天等領域。
2021-03-03 14:22:043411 行業正在構建一個全面的 Chiplet 生態系統，以充分利用這些優勢。隨著異構集成（HI）的發展迎來了巨大挑戰，行業各方攜手合作發揮 Chiplet 的潛力變得更加重要。前段時間，多位行業專家齊聚在一場由 SEMI 舉辦的活動，深入探討了如何助力 Chiplet 生態克服發展的挑戰。 ? 日月光集
2023-04-12 11:20:31513 
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