Numonyx與Intel 開發(fā)堆疊式交叉點(diǎn)相變化內(nèi)存技術(shù)

Numonyx B.V. 與 Intel Corporation 宣布相變化內(nèi)存 (PCM) 研究的關(guān)鍵性突破，此項(xiàng)非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)結(jié)合了現(xiàn)今多種類型內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)。研究人員也首度展示可于單一芯片堆疊多層PCM 陣列的 64Mb 測(cè)試芯片。對(duì)于隨機(jī)存取非揮發(fā)性內(nèi)存及儲(chǔ)存應(yīng)用而言，此一成果也為發(fā)展容量更高、功耗更低且體積更小的內(nèi)存裝置奠定重要基礎(chǔ)。

此為Numonyx 與 Intel 長(zhǎng)期合作研究的成果，該計(jì)劃著重于研究多層式或堆疊式 PCM 單元陣列。Numonyx 與 Intel 雙方的研究人員目前已展示PCMS (相變化內(nèi)存及開關(guān))的垂直式整合內(nèi)存單元。PCMS 包含一個(gè) PCM 元件，此元件與全新的堆疊雙向閾值開關(guān) (Ovonic Threshold Switch, OTS)堆疊于交叉點(diǎn)陣列 (cross point arrays) 中。其堆疊 PCMS 陣列的能力有助擴(kuò)充內(nèi)存容量，同時(shí)維持 PCM 的效能特性，這對(duì)于傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)而言是相當(dāng)不易克服的挑戰(zhàn)。

Numonyx 資深技術(shù)研究員 Greg Atwood 表示相當(dāng)看好目前成果的前景，此項(xiàng)成果同時(shí)也顯示了未來的 PCM 產(chǎn)品發(fā)展更高容量、可擴(kuò)充式陣列及類 NAND 使用模式的可能。由于從手機(jī)到資料中心，每一項(xiàng)應(yīng)用對(duì)內(nèi)存的需求都持續(xù)增加，而傳統(tǒng)的快閃存儲(chǔ)器技術(shù)正面臨某些實(shí)體限制和可靠性等問題，這項(xiàng)成果在此刻更顯重要。

Intel 研究員兼內(nèi)存技術(shù)開發(fā)總監(jiān) Al Fazio 表示，Intel 持續(xù)開發(fā)內(nèi)存技術(shù)，以期推動(dòng)運(yùn)算平臺(tái)發(fā)展。Intel 對(duì)于目前研究的里程碑感到相當(dāng)振奮，并且預(yù)期未來 PCMS 等內(nèi)存技術(shù)對(duì)于延伸內(nèi)存在運(yùn)算解決方案中所扮演的角色，以及對(duì)于效能及內(nèi)存擴(kuò)充方面的重要性。

內(nèi)存單元是由儲(chǔ)存元件及選擇器堆疊而成，而多個(gè)單元又組成內(nèi)存陣列。Numonyx 與 Intel 的研究人員現(xiàn)已利用薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴(kuò)充時(shí)的實(shí)體及用電需求。透過薄膜 PCMS 的相容性，多層的交叉點(diǎn)內(nèi)存陣列目前已成為可能。當(dāng)整合并嵌入交叉點(diǎn)陣列后，多層式陣列便可結(jié)合 CMOS 電路的解碼、偵測(cè)及邏輯功能。

更多關(guān)于內(nèi)存單元、交叉點(diǎn)陣列、實(shí)驗(yàn)及成果的資訊登載于 “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” 這份共同文件中，并且將于 2009 年 12 月 9 日在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國(guó)際電子裝置會(huì)議 (International Electron Devices Meeting) 中發(fā)表。此文件由 Numonyx 與 Intel 雙方的技術(shù)人員共同完成，并將由 Intel 資深首席工程師 DerChang Kau 代表發(fā)表。