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爾必達(dá)收購(gòu)飛索半導(dǎo)體的研發(fā)基地 涉足MCP用閃存業(yè)務(wù)
爾必達(dá)收購(gòu)飛索半導(dǎo)體的研發(fā)基地 涉足MCP用閃存業(yè)務(wù)
爾必達(dá)內(nèi)存進(jìn)入了涉足便攜設(shè)備等使用的MCP（多芯片封裝）用閃存業(yè)務(wù)領(lǐng)域。已收購(gòu)了NOR閃存大廠商美國(guó)飛索半導(dǎo)體（Spansion）位于意大利米蘭的研發(fā)基地。爾必達(dá)計(jì)劃利用飛索半導(dǎo)體的技術(shù)資產(chǎn)，自主生產(chǎn)閃存。
爾必達(dá)此次收購(gòu)的是飛索半導(dǎo)體從事NAND閃存“MirrorBitORNAND2”等開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)的基地。收購(gòu)金額估計(jì)為10億~30億日元左右，該基地在編的約50名飛索半導(dǎo)體技術(shù)人員將加入爾必達(dá)。
爾必達(dá)此次收購(gòu)意在使用TSV（硅通孔）等連接的MCP用“新內(nèi)存的開(kāi)發(fā)”（爾必達(dá)公共關(guān)系部）。新內(nèi)存“并不是像PCM及ReRAM那樣的新一代內(nèi)存”（該部門），估計(jì)爾必達(dá)將從事飛索半導(dǎo)體面向ORNAND2展開(kāi)的氮化膜阱結(jié)構(gòu)閃存或者該閃存的改進(jìn)版。該閃存的生產(chǎn)基地“預(yù)計(jì)在廣島工廠或者（爾必達(dá)的合并結(jié)算子公司）臺(tái)灣瑞晶電子（RexchipElectronics）的工廠”（該部門）。生產(chǎn)開(kāi)始日期尚未公開(kāi)。
爾必達(dá)此舉動(dòng)的背景是，之前美國(guó)美光科技（Micron Technology）決定收購(gòu)NOR閃存最大廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。爾必達(dá)08年與恒憶簽訂了委托生產(chǎn)NOR閃存的協(xié)議，但美光收購(gòu)恒憶后，這一協(xié)議極有可能廢止。爾必達(dá)原打算通過(guò)與恒憶合作來(lái)強(qiáng)化MCP業(yè)務(wù)，但隨著計(jì)劃的落空，爾必達(dá)將觸角又伸向了飛索半導(dǎo)體。
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