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ADI公司發(fā)布集成iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)的4A雙通道柵

2010-05-06 12:05www.elecfans.co 本站我要評論(0我要去社區(qū)論壇 ->

ADI公司發(fā)布集成iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)的4A雙通道柵極驅(qū)動器

采用 iCoupler(R) 數(shù)字隔離技術(shù)的新款雙通道柵極驅(qū)動器可代替光耦和脈沖變壓器,并能減少多達(dá)70%的電路板空間和30%的成本

    北京2010年5月6日電 /美通社亞洲/ -- Analog Devices, Inc.,全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最近推出一款集成了 ADI 公司 iCoupler 數(shù)字隔離技術(shù)的 4A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器 ADuM3220。這款新型雙通道柵極驅(qū)動器可以高效地驅(qū)動同步整流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的高壓開關(guān)型 FET(場效應(yīng)管)。通過將數(shù)字隔離和4A 柵極驅(qū)動器集成進(jìn)小型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOIC(小外形集成電路)封裝,ADuM3220可完全替代傳統(tǒng)的分立式柵極驅(qū)動器解決方案,對于小型 DC/DC 模塊設(shè)計(jì)來說,可節(jié)省多達(dá)70%的電路板空間,并減少最高至30%的成本。

    分立式解決方案使用獨(dú)立的元器件實(shí)現(xiàn)隔離和柵極驅(qū)動,包括體積碩大且難用的脈沖變壓器以及性能不高、隨時(shí)間性能會劣化的光耦。新款 ADuM3220雙通道柵極驅(qū)動器可以比競爭性器件提供更好的傳播延時(shí)(最大60ns)和通道至通道偏移(最大5ns),并且具有 CMOS 數(shù)字隔離技術(shù)帶來的出色可靠性。

    “在與電源客戶的緊密合作過程中,我們發(fā)現(xiàn)許多設(shè)計(jì)師還在使用分立的隔離器和柵極驅(qū)動器,這種方案會占用很大的電路板面積。”ADI 公司電源管理產(chǎn)品部副總裁 Peter Henry 表示,“ADI 的 iCoupler 數(shù)字隔離技術(shù)將柵極驅(qū)動器功能和雙通道高性能數(shù)字隔離技術(shù)集成在一起,因而能極大地簡化設(shè)計(jì),降低設(shè)計(jì)成本!

    -- 關(guān)于ADuM3220 4A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器

    ADuM3220 4A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個(gè)獨(dú)立的隔離通道,輸入電壓范圍從3.0V至5.5V,并且兼容更低的電壓系統(tǒng)。每個(gè)輸出可工作在7V 至18V,支持用于同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的典型柵極驅(qū)動器電壓。ADuM3220雙通道柵極驅(qū)動器的輸出默認(rèn)是邏輯低狀態(tài),可以防止兩個(gè)柵極驅(qū)動器同時(shí)導(dǎo)通,從而避免對高壓 FET 造成的潛在損壞。另外,ADuM3220雙通道柵極驅(qū)動器可以工作在-40攝氏度至125攝氏度的寬溫度范圍。

    相比采用高壓電平轉(zhuǎn)換方法的柵極驅(qū)動器,ADuM3220雙通道柵極驅(qū)動器提供輸入和每個(gè)輸出之間真正的電流性隔離,支持隔離勢壘之間的電壓轉(zhuǎn)換和安全隔離。ADuM3220具有2.5kVrms 的額定隔離值,正在申請 UL(美國安全檢測實(shí)驗(yàn)室公司)、IEC(國際電工委員會)和 VDE(德國電子電氣工程師協(xié)會)認(rèn)證。

    -- 供貨、報(bào)價(jià)和配套產(chǎn)品

    產(chǎn)品型號     供貨      千片訂量報(bào)價(jià)   封裝
    ADuM3220     現(xiàn)在      1.84美元/片    8引腳 SOIC 
  
    -- iCoupler(R) 技術(shù)

    目前,已有超過3.5億個(gè)隔離通道采用了 ADI 公司專有的 iCoupler 技術(shù),與傳統(tǒng)光電耦合器中使用 LED 和光電二極管不同,這種技術(shù)基于芯片級變壓器,支持更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗,性能更加穩(wěn)定。通過采用晶圓級工藝直接在芯片上制作變壓器,iCoupler 可以在低成本條件下實(shí)現(xiàn)多通道及其它半導(dǎo)體功能集成。iCoupler 變壓器采用平面結(jié)構(gòu),在晶圓鈍化層上使用 CMOS 金屬和金構(gòu)成。金層下有一個(gè)高擊穿的聚酰亞胺層,將頂部的變壓器線圈和底部線圈隔離開來。連接頂部線圈和底部線圈的 CMOS 電路為每個(gè)變壓器及其外部信號之間提供接口。

標(biāo)簽雙通道(29)
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