高性能同步器件在統一封裝中堆棧 2 個 NexFET MOSFET 可支持高電流、多相位 POL 應用


    北京2010年6月9日電 /美通社亞洲/ -- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合，可為服務器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實現高性能。

    NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達 1.5 MHz 的開關頻率生成高達 40 A 的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發時間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實現與 GaN 等其他半導體技術相當的性能。
CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優勢：
    -- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式
       MOSFET 器件的 50%；
    -- 可在 25 A 的工作電流下實現超過 90% 的電源效率，與同類競爭器件相比，效
       率高 2%，功率損耗低 20 %；
    -- 與同類解決方案相比，無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍；
    -- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。

    供貨與價格情況
    采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權分銷商進行訂購。此外，樣片與評估板也已同步開始提供。

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