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韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能

作者:佚名  來源:www.xsypw.cn  發布時間:2010-1-28 9:23:52  [收 藏] [評 論]

韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能

 首爾大學指出,1組韓國工程師已改良手機用芯片技術,可大幅提升手機性能。

    首爾大學表示,該團隊研發的NOR芯片,可課服過去的諸多缺點。負責人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NANDFlash可儲存32GB的資料,占據更大優勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。

    一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學工程師所開發的芯片卻有重要特點。該團隊負責教授表示,藉由將NOR芯片彎曲成圓錐狀,將可全面提升該芯片的電子和物理質量,理論上可使其功能達到NAND芯片的水平。

    雖然仍有些為差異,但改良后的NOR芯片基本上可取代NAND芯片,用于各種電子裝置中,特別是手機。然而,由于目前傳統NOR芯片的價格較高,改良后的NOR芯片是否將因為價格而受到發展限制,仍待觀察。

    不過,對三星電子(SamsungElectronics)和其它韓國科技鉅子而言,使用本國的技術將有助于控制成本,進而提高對英特爾(Intel)的競爭力。

    據悉,包括NOR和NAND芯片的Flash市場,在2010年的規模將可望超過200億美元,較2009年的180億美元攀升。

    此改良NOR芯片的計畫是由韓國政府資助,共花費4年時間和投入3億韓元(約26.7萬美元)。

 

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