如何判斷可控硅的三個(gè)極？如何判斷可控硅是否損壞？
如何判斷可控硅的三個(gè)極？如何判斷可控硅是否損壞？
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鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時(shí)測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時(shí)，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
如何鑒別可控硅的三個(gè)極
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可 維持導(dǎo)通
1、陽極電位高于陰極電位
2、陽極電流大于維持電流 兩者缺一不可 從導(dǎo)通到關(guān)斷 1、陽極電位低于陰極電位
2、陽極電流小于維持電流 任一條件即可
2、基本伏安特性 可控硅的基本伏安特性
答：簡介如下：
（1）極性鑒定：
①將萬用表的量程撥到R×10或×100檔
②陽極—陰極之間的正向電阻在幾百KΩ以上，反向電阻為∞。
③陽極—門極間的正向電阻在幾百KΩ以上。
④門極—陰極間的正向電阻約在幾十Ω范圍內(nèi)，一般反向電阻比正向電阻大，電阻在幾百Ω范圍內(nèi)。
（2）損壞鑒定：
①方法同上。若測得陽極—陰極正反向電阻都很小，說明已經(jīng)短路。若測得門極—陰極正反向電阻很大，說明可控硅損壞或短路。
②在測量門極正反向電阻時(shí)，不要用10K檔，以防表內(nèi)高壓反向擊穿門極。
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