“肖特基勢壘”是一種量子力學勢壘，形成于金屬和半導體的界面處。反向偏置電壓增加時勢壘也增加，正向偏置時勢壘減少（或者接近消失）。反向偏置時半導體材料的電子沒有足夠的能量越過勢壘，所以此時沒有電流。當正向偏置時，勢壘減少直至電子可以穿過它，從半導體流入金屬區域。

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　　結二極管的微波頻段性能的關鍵取決于它的開關時間，有時也叫開關速度。一般來講，開關速度越快（即開關時間越短），其工作頻率也越高。普通PN結二極管的開關時間主要由半導體內的少數載流子所決定。少數載流子一般處在靜止或者“儲能”狀態，所以不會由于電勢的變化很輕易地快速移動。但是多數載流子可移動性更強，因此可以迅速地響應電場的變化。而肖特基二極管就是靠多數載流子來完成開關操作，所以它工作時可以達到很高的開關速度，很多型號可以工作到微波頻段。

　　工作速度也是電路分布參數如RLC（圖（b））的函數。工作到微波頻段的肖特基二極管，其串聯阻值為3～10Ω，電容為1μF，串聯導線電感為1nH或者更小。

　　肖特基二極管為一個整流元件，廣泛應用于混頻器和檢波電路中。雙平衡混頻器（DBM）電路通常是由一組匹配的肖特基二極管組成。雙平衡混頻器可用于超外差接收和產生抑制載波的雙邊帶信號，還可以用于相敏檢波器。許多雙平衡混頻器工作到微波頻譜的低端。