內存最高可擴充至16GB
內存最高可擴充至16GB
因為Intel E7505芯片組采取處理器總線與內存總線同步化(1:1)的設計,因此,只有DDR266內存才適合在這個平臺上使用。875芯片組擁有雙內存控制器,理論上來說,它可以133 MHz的運作速度來達到每秒4.2 GB的效能。因為系統的安全扮演著更重要的角色,這也是Intel的內存整合 ECC(Error Checking and Correction內存實時修正)功能的原因。
升級:ECC功能需要每列額外多加一顆芯片
跟875芯片組一樣, E7505同樣可以管理八個單面列選擇(一般通稱單面模塊)。注:一般內存模塊大致分為單面模塊(single page)或雙面模塊(double page)。以下表格介紹了在該平臺上各種內存升級的搭配組合。
內存可擴充容量 | 模塊 | 傳統結構(沒有ECC) |
1 GB | 2 | 4 Rows x 8 Chips x 256 MBit = 8,192 MBit |
2 GB | 4 | 8 Rows x 8 Chips x 256 MBit = 16,384 MBit |
4 GB | 4 | 8 Rows x 8 Chips x 512 MBit = 32,796 MBit |
8 GB | 4 | 8 Rows x 16 Chips x 512 MBit = 65,536 MBit |
16 GB | 4 | 8 Rows x 16 Chips x 1 GBit = 131,072 MBit |
可是如果買家想在一個既安全又可以切換ECC模式下使用的主機板,就必須要在每單一列內加入額外的芯片。而這顆芯片對于內存最大可以升級并沒有影響,因為它只是引證以上的數字,對內存的升級是沒有任何影響的。
沒有ECC的最多芯片數目 | 有ECC的最大芯片數 |
8 | 9 |
16 | 18 |
Mushkin的registered/ECC功能的內存,時序為CL 2.0-3-2
Legacy Electronics的registered及有ECC功能的內存,時序為CL2.5
Infineon(英飛凌)的DDR333 registered內存,附ECC功能,時序為2.5
這個是最極端的例子,16GB ECC系統內存可以含有144顆內存顆粒,因此,對內存控制器來說可說是負荷非常大。不過,其實這144個顆粒中的128顆是為了真正的存取之用,而其余的則是作管理之用。
Registered Vs Unbuffered內存
傳統的內存都屬于unbuffered版本的類型,最新的則是registered memory(之前被稱為buffered內存)。如果內存控制器要管理愈多的顆粒,它的數據就會愈不明確。
廠商運用的小技倆:如果你在單面模塊的一群內存顆粒面前,放一組小的管理芯片,每一個列選擇就會讓內存控制器以為內存只有一個芯片。當然,這個小把戲也可以改善數據的傳輸的品質跟安全性。不過,這個做法會影響到內存的運作速度,因為電子訊號會延遲,因此也影響到內存的運轉速度。
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