手把手教內(nèi)存條超頻 一步步爬上DDR600

?隨著電腦配件的價格逐漸走低，很多玩家開始不僅為了省錢而攢機，而越來越趨向于國外的攢機理念，國外的DIY用戶并不是因為DIY的電腦價格比品牌機低而選擇攢機，而是因為真正的DIY的含義——Do it yourself。其實DIY的根本含義是通過自己動手，打造只屬于你的個人電腦，是個性、創(chuàng)意、性能的集合體。由于我國人均收入還無法達到其他國家的水平，所以DIY一直被我們認為是一種廉價的攢機行為，但是目前這個觀念逐漸轉變，有一批有一批的玩家投入到真正的DIY行列。　

　　
個性與創(chuàng)意
　　

　　在我們打造個性、創(chuàng)意的個人電腦的同時，我們不要忘了性能也是我們所追求的一個終極目標。雖然目前很多玩家對于超頻都有了一定了解，但是很多細節(jié)部分可能還有很多不清楚的地方，讓超頻效果不是很明顯。而容易造成大家超頻失敗的80％都來自于 內(nèi)存部分，今天我給大家專門介紹一下內(nèi)存部分的超頻步驟，希望能夠幫助大家更好的超頻。　

　　● 淺析：為什么要關注內(nèi)存？內(nèi)存對你的電腦有多重要？　

　 在K7時代，我們曾經(jīng)為了當時偉大的nForce2的雙通道去升級內(nèi)存，而購買兩條內(nèi)存的習慣一直延續(xù)到了現(xiàn)在。 　

　首先，我們知道，影響內(nèi)存性能的通常有兩個因素：內(nèi)存帶寬和內(nèi)存延時。內(nèi)存帶寬就好比是一個管道的流量，更高的流量就好比是更多的數(shù)據(jù)。內(nèi)存延時就好比是這個管道的長度，越短的距離才能保證數(shù)據(jù)在第一時間流到需要它的地方。

　　

　

　　這兩點同時影響著系統(tǒng)的性能，而且他們影響系統(tǒng)性能的方式并不相同：　

　　■ 內(nèi)存帶寬：是由內(nèi)存的位寬和內(nèi)存的頻率決定的，就好像是一條馬路的寬度和車流的速度，只有馬路越寬，車速越高才能最大限度的提高性能。我們所熟知的雙通道內(nèi)存設計，就好比是將馬路的寬度進行了擴容，很大程度上提高了系統(tǒng)的性能。　

　　

　　

　 ■ 內(nèi)存延時：就好像是馬路上紅燈的數(shù)量，紅燈越多，車輛就不得不停車起步很多次，耽誤了很多的時間，同樣對性能會產(chǎn)生很大的影響。　

　　● 為什么 內(nèi)存顆粒對內(nèi)存性能有如此大影響？

　　其實世界上真正能有實力生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商卻并不是非常多，我們國內(nèi)比較常見的也只有 三星(SAM SUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infineon)、美光(Micron)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)等等，這些都是世界上優(yōu)秀的內(nèi)存廠商，他們的說生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒不僅在默認下讓內(nèi)存達到最佳化設置，而且其驚人的超頻能力，他們中大部分的內(nèi)存顆粒都有從DDR400超頻至DDR500的能力，有的還會更高，這些都是也是我們花錢去購買的大廠內(nèi)存一個理由。

　　

　

　　

　　 現(xiàn)代(Hynix)D43顆粒－金士頓DDR400　

　　 　　

　　 英飛凌(Infineon)BT-5顆粒－宇瞻DDR400　

　　 　

　　 華邦(Winbond)BH-5顆粒－勤茂DDR400　

　　 　

　　 鎂光(Micron)-5B C顆粒－鎂光DDR400　　

　　 　

　　 三星(SAMSUNG)TCCD顆粒－G.SKILL芝奇DDR400

　　

　　 你可以設想一下，如果你花費了一條DDR400內(nèi)存的錢，而內(nèi)存卻又能超頻至DDR600，是不是你所花費的錢又增值了呢。至于內(nèi)存的選購和對整機性能的影響，大家可以參考文章《1MB僅6毛！市售內(nèi)存六大采購火辣寶典》。　

　● 如果你購買到一條不好的內(nèi)存，那么你將可能遇到這樣的情況：　　

　　

　　 1、兼容性不好，導致系統(tǒng)無法啟動　

　　 2、質(zhì)量不好，導致系統(tǒng)頻繁死機　

　　 3、性能不好，導致性能下降，成為系統(tǒng)瓶頸　　

　　 4、超頻性不好，導致超頻后不能與CPU同步，異步后性能下降　

　　● 市場上真的還能夠買得到極品內(nèi)存嗎？　

　　談到極品內(nèi)存，想必大家肯定會覺得那是及其希罕的事物，怎么可能被普通的用戶購買得到，其實不然，只要你善于發(fā)現(xiàn)，還是非常之多的，今天小編就發(fā)現(xiàn)了一種內(nèi)存，可能一說品牌很多不是玩家的用戶肯定會很陌生，但是肯定性能是最為重要的，看文章標題大家應該能知道，它能在從DDR400超頻至DD600下，而且能擁有最佳化的1T設置，5-3-3-2.5的延遲，真的是這樣嗎？太強了吧？到底什么顆粒那么厲害？我們帶著問題，下面看我們接下來的測試。

　　● 如何選購 內(nèi)存：“顆粒”論！用料、做工不能忽略的因素　

　　內(nèi)存對于最終得分的影響主要取決于工作頻率以及SPD設置。由于，我們本次測試中的內(nèi)存均是工作在默認頻率下，所以對得分有影響的只有內(nèi)存的SPD信息設置。選購技巧： 　　

　　

　　 一、 DDR內(nèi)存選購技巧　

　　 1、顆粒介紹

　　這兩三年來，內(nèi)存條的品牌漸漸多了起來，不過能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的還是那么幾家半導體大廠。 三星(SAM SUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)、茂矽(MOSEL)、ELPIDA等等。而某些顆粒廠商通常只用在顯存上，比如EliteMT，就不多介紹了。應該說這些內(nèi)存顆粒廠商都具有相當實力，不過最具有實力還屬三星、現(xiàn)代以及美光。　

　　● 現(xiàn)代D43顆粒

　　有些內(nèi)存顆粒上出現(xiàn)不是這些顆粒廠商的LOGO，比如Kingston的部分顆粒、GeIL、KINGMAX等等，這些都是內(nèi)存制造廠商自己打磨的，這個屬于正常的打磨范圍。而某些JS就通過打磨各種各樣的LOGO來冒充正規(guī)產(chǎn)品，以次充好或者以低檔充高檔等等，這個就是俗稱的“打磨條”。打磨條“涉及”的范圍非常之廣，一向假貨極少的金邦內(nèi)存都不能幸免，因此購買內(nèi)存務必到正規(guī)代理商處購買。　

現(xiàn)代應該是大家都非常熟悉的內(nèi)存顆粒品牌了，從SD時代到DDR時代，現(xiàn)代內(nèi)存顆粒在國內(nèi)的占有量絕對是首屈一指的。目前大家在市場中常見的現(xiàn)代內(nèi)存規(guī)格主要分DDR400和DDR500兩種規(guī)格。 　

　　

　

　　在很多玩家心目中，HY D43芯片顆粒有著兼容性好、超頻性出色的特點，而采用HY D43芯片的產(chǎn)品更是被眾多玩家所追捧，有部分玩家還專門對HY D43芯片進行研究，例如HY D43 DT芯片的超頻能力就比HY D43 BT突出。一直采用各種芯片作為內(nèi)存的Kingston在近期就推出部分采用HY D43芯片的產(chǎn)品

　　現(xiàn)代的D43顆粒應該是目前市場上非常流行，同時也是大家公認性價比非常好的內(nèi)存顆粒。除了能在現(xiàn)代自有品牌上看到這種內(nèi)存顆粒外，包括其他比較知名的內(nèi)存廠商也都曾經(jīng)采用過它。如果我們將它細分的話，D43內(nèi)存顆粒又根據(jù)生產(chǎn)批次的不同，在編號上分為AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最為常見，口碑也是最好。　

　　● 三星TCCC顆粒　　

　　三星（SAMSUNG）不愧為DDR時代的終結者，在512MB容量有TCCD和TCC5稱雄，到了海量1GB的今天，又力推UCCC新君登基。

　　

　 UCCC顆粒首現(xiàn)于2004年4月，早期專供服務器高端ECC內(nèi)存使用；幾經(jīng)調(diào)整，最終于2005年1月進入民用領域。前期產(chǎn)品依舊保持著服務器內(nèi)存的特點，只以穩(wěn)定性見長，超頻性能一般。但三星為了重奪高頻內(nèi)存之王的寶座，于今年6月對UCCC做了進一步制程優(yōu)化。兩條1GB組成雙通道，僅用2.8v電壓就實現(xiàn)了1T DDR600。高頻與海量兼得，穩(wěn)定性絕佳，這就是DDR時代的最終王者――三星UCCC。　

　 三星（SAMSUNG）UCCC顆粒一定要選520周期以后的，只有這些周期生產(chǎn)的才是優(yōu)化顆粒，之前的則“服務器”風格較重。

　　● 三星TCCC顆粒　

　 TCCD顆粒固然是好，不過其高昂的價格也是另人難以接受的。然而大家在過于關注TCCD的同時卻忘記了它的同門師兄—TCCC，TCCC其實也是一款非常好的內(nèi)存顆粒，最早我們是在三星原廠的“金條”中認識它。 　

　　

　

　　TCCC的顆粒品質(zhì)基本上和現(xiàn)代D43比較相近，DDR400下可以優(yōu)化到2-3-3-5的延時參數(shù)，部分TCCC顆粒也可以達到DDR500的水平。不過TCCC仍然對內(nèi)存電壓不感冒，如果你手中的TCCC顆粒內(nèi)存無法達到DDR500下工作，那么你如何狂加電壓也是于事無補。很可惜，三星TCCC內(nèi)存顆粒除了在三星自有品牌內(nèi)存上可以看到外，很少在其他品牌內(nèi)存上出現(xiàn)過。不過三星金條的做工確實很優(yōu)秀，兼容性也很好，但是價格方面也比普通內(nèi)存高了一些。　

　　● 英飛凌（infineon）BT5、CE5和BE5顆粒　　

　 來自德國的英飛凌科技前身為 西門子半導體公司，在2000正式上市以后同樣受到業(yè)界的廣泛關注。英飛凌非常重視國內(nèi)的代理渠道，我們在國內(nèi)看到的英飛凌正品內(nèi)存全部為：香港銳科集團有限公司所代理的——星河（Galaxy）系列內(nèi)存。　

　　

目前市場上流行的英飛凌DDR400顆粒編號主要有：BT5、CE5和BE5這3種，其中BT5顆粒最早曾經(jīng)在宇瞻高端的“黑豹”內(nèi)存上出現(xiàn)過。CE5和BE5是英飛凌隨后生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，超頻性能均在BT5之上。而關于CE5和BE5究竟誰更強的說法大家眾說紛紜，不過可以確定的是它們的標準時序都可以在2-3-2-5下穩(wěn)定工作，一些品質(zhì)好的CE5和BE5顆粒內(nèi)存還可以工作在更高的DDR500上，性能非常強勁。另外，英飛凌原廠內(nèi)存的做工也是同類產(chǎn)品中屬一屬二的。

　　PCPOP小常識：有些人看到芯片編號中有“HYB”字樣，便誤以為是現(xiàn)代（HYUNHAI）的內(nèi)存芯片，而現(xiàn)代內(nèi)存芯片編號是以“HY”開頭的，這也難怪會有人認錯，實際上HYB”是英飛凌進入DDR和DDR-2時代后進行統(tǒng)一編號所選用的代碼，Infineon（英飛凌）內(nèi)存顆粒，有人將Infineon稱為西門子（Siemens），事實上英飛凌的前身就是西門子半導體公司，在SDRAM時代，我們經(jīng)常看到Siemens字樣的內(nèi)存，但如今Infineon早已獨立，所以不再叫它西門子內(nèi)存。　

　　● 鎂光MT-5BC和MT-5BG　　

　　鎂光（Micron）身為世界第二大內(nèi)存顆粒制造商，其產(chǎn)品卻在國內(nèi)極少現(xiàn)身。這是因為鎂光很少將自己的優(yōu)質(zhì)顆粒賣給其他內(nèi)存品牌，其極品顆粒一直是專供自家DIY品牌Crucial使用。

　　

　

　　或許是由于國內(nèi)代理渠道的問題，我們在國內(nèi)很少能夠看到鎂光品牌的原廠內(nèi)存，不過你卻可以在一些知名品牌內(nèi)存上見到鎂光顆粒。目前市場上主要流通的有MT-5BC和MT-5BG兩個型號的DDR400規(guī)格內(nèi)存顆粒，其中根絕國內(nèi)大部分的網(wǎng)友反映，MT-5BC的超頻性能還會更優(yōu)秀一些。 　

　　鎂光的MT內(nèi)存顆粒非常有特點，芯片的兩端分別有個半圓形的缺角很容易就讓人一眼辨認出來它的來自鎂光。與大多數(shù)DDR400內(nèi)存不同的是，鎂光MT顆粒可以在DDR400規(guī)格下達到極低的TRD和TRP延時，默認電壓下可以達到2.5-2-2-5這樣一個非常不錯參數(shù)。其實際效能甚至可以和TCCD在DDR400的環(huán)境下的表現(xiàn)相媲美，略微加電壓則可以達到DDR500的標準甚至更高，如果你在市場中看到了這個系列的內(nèi)存可千萬不要放過！　

　　● 華邦新BH5顆粒　

　　提起華邦BH5內(nèi)存顆粒的大名，我相信無人不知無人不曉。這款內(nèi)存顆粒的最大特點就是耐高電壓。在3V甚至更高以上的電壓下，它的超頻幅度是十分驚人的，因此也有很多人戲稱它為DFI專用內(nèi)存。　

　　

　

　　BH5顆粒真可謂是來也匆匆去也匆匆，剛剛名聲大震后，它也基本在市場上銷聲匿跡了。隨后而來的TCCD蓋過了它的鋒芒，成為新一代超頻王者，但世界上卻再也沒有一款能像BH5那樣性價比出色的內(nèi)存了……

　　在超頻玩家選擇內(nèi)存的時候，有一些內(nèi)存顆粒的編號是相當重要的。比如三星的TCCD和TCCC、還有現(xiàn)代的BT-D43、還有英飛凌的-5-C等等。這些代表內(nèi)存批次的編號通常都有不錯的超頻能力或者上低延遲能力。其中又以三星的TCCC和TCCD顆粒最為著名，海盜船出品的極品內(nèi)存通常都采用這種顆粒，能夠在5-2-2-2時序下超頻在DDR500以上，在發(fā)燒界中口碑極好。　

　　2、如何看內(nèi)存的用料及做工好壞

　　我們可以從下面幾個方面來判斷內(nèi)存條的好壞：金手指、用料、設計、工藝。　

　　

　　金手指：內(nèi)存的金手指通常有兩種制造方法，電鍍和化學鍍(以下簡稱：化鍍)。化鍍的金手指會比電鍍的薄20微米左右，不過肉眼很難看得出來，電鍍的金手指耐磨度和電氣性能更好。但是鑒別起來很簡單，電鍍的金手指在末端會有一個“小辮子”，這個是生產(chǎn)工藝造成了，沒有辦法避免，如圖所示。這兩種工藝成本差價大概在10元左右，相對于目前內(nèi)存的價格，還是比較可觀的。另外，好的金手指通常看起來和黃金差不多，黃顏色很有質(zhì)感；差的金手指看起來泛白。　

　　用料：要看一根內(nèi)存的用料水準很簡單：如果內(nèi)存上面的小貼片元件多，那么這根內(nèi)存用料應該說不錯。用在內(nèi)存上面的小元件主要有兩種，一種上面有數(shù)字的，叫做排阻；一種更小的方塊，叫做電容，通常用作耦合。一般在內(nèi)存顆粒和金手指之間，會有很多的排阻，而內(nèi)存顆粒周圍則會有很多電容。用料差的內(nèi)存，在整個PCB板面上都是“光禿禿”的。　

　 設計：內(nèi)存的PCB板通常為四層板或者六層板，尤其對于DDR內(nèi)存，由于工作頻率較高，采用六層板為佳。

　　

　

　　 不過為了控制成本，廠商通常有更加折中的辦法 ：采用四層板，然后使用單面；或者采用六層板，雙面都使用。不過仍然有很多廠商采用六層板單面設計，這樣就不惜工本。　

　　 工藝：拿起一根內(nèi)存，看看PCB板的四邊是否有毛邊，是否摸起來光滑。如果是，那么這根內(nèi)存的PCB板邊還是處理的不錯的。　

　　 其次，看看內(nèi)存上顆粒、排阻、電容的焊接工藝，如果焊點圓滑飽滿富有光澤，那么這根內(nèi)存所使用的焊錫和焊接機是比較好的。

　　DDR（Double Data Rate）內(nèi)存是雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存儲器的簡稱，DDR內(nèi)存是SDRAM向前進化的產(chǎn)物，本質(zhì)上和SDRAM完全相同。DDR內(nèi)存可以在時鐘周期的上升或下降階段傳輸數(shù)據(jù)，所以理論上與同頻運行的SDRAM內(nèi)存相比，DDR內(nèi)存具有雙倍于SDRAM內(nèi)存的帶寬。

　　

　

　　 DDR內(nèi)存也好像它們的前輩那樣，經(jīng)歷過FPDRAM、EDORAM、SDRAM到今天的DDRRAM變遷之后，隨著技術進步而被逐步淘汰。　

　　

　

　　 DDR內(nèi)存標準除了中國***的威盛VIA，矽統(tǒng)SIS，揚智ALI三大芯片廠商的支持以外，DDR AMI2 聯(lián)盟內(nèi)的 NEC，MICYON， 三星，現(xiàn)代，日立， 東芝，三菱，富士通(有些已轉RDRAM陣營)等等無一不是世界上有影響力的業(yè)界大廠，在當時同時以AMD 760芯片組、VIA KT266芯片組、ALi的MAGIK1芯片組等DDR 主板的面市，DDR的聲勢日漸浩大，甚至英特爾也不得不接受DDR的各種優(yōu)勢，在845芯片組中使用DDR，其服務器芯片i870也支持DDR SDRAM內(nèi)存。其它的電腦廠商如 IBM，NEC等更已經(jīng)被DDR SDRAM深深吸引住。

　　 過去DDR內(nèi)存規(guī)格出現(xiàn)了4種：目前DDR內(nèi)存已經(jīng)有三種規(guī)格，分別是PC1600（帶寬為1.6GB/s）DDR200、PC2100（帶寬為2.1GB/s）DDR266、PC2700（帶寬為2.7GB/s）DDR333，PC3200（帶寬為3.2GB/s）DDR400。　

　　 由于生產(chǎn)成本上同傳統(tǒng)的SDRAM相比只是略有提高，而且只需對原有的SDRAM生產(chǎn)線進行小范圍的改造就能轉入DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，再加之不存在任何專利等方面的問題，所以DDR內(nèi)存成為今天乃至今后很長一段時間內(nèi)的主流產(chǎn)品已經(jīng)成為一個不爭的事實。　

　　● DDR內(nèi)存神話：三星TCCD內(nèi)存為什么這么牛？ 　　

　　三星是目前世界上最大的半導體公司，也是排名前三名的內(nèi)存廠商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒為各內(nèi)存廠商廣泛采用，編號為TC系列的DDR內(nèi)存顆粒更是得到了超頻玩家們的熱愛，當然其中最著名的就是TCCD顆粒。

　　

　　

　　 繼華邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款應該被大家記住并懷念的顆粒；TCCD被稱之為“BH-5的代替者”，某些人贊同這一說法，當然也有人反對。TCCD可以稱得上最全面的內(nèi)存芯片，要高參有高參，要高頻有高頻，TCCD可以在2-2-2-X的時序下穩(wěn)定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩(wěn)定運行，是目前工作頻率最高的DDR內(nèi)存芯片。由于三星早已宣布停產(chǎn)TCCD顆粒，所以市場上采用該顆粒的內(nèi)存越來越少，有點如當年的BH-5的引退之勢，當然小編還是找到了這樣的內(nèi)存，立即推薦給大家。

　　

　　在很多超頻玩家心目中，諸如：海盜、OCZ等內(nèi)存產(chǎn)品都是這些超頻玩家的首選產(chǎn)品，甚至采用D43顆粒的KingStone都被玩家們津津樂道。但是在很長時間里，玩家們都忽略了這樣一個品牌：G.Skill，G.Skill（芝奇）是我國***省臺北市一家內(nèi)存模塊專業(yè)制造商。和其他廠商不同的是G.Skill（芝奇）是由一群計算機狂熱玩家組合成立的，所以其產(chǎn)品充滿了最新最狂熱的理念，那就是‘超頻’。　

　　 極致效能內(nèi)存的制造商 - G.SKILL芝奇發(fā)了他們最新的DDR400 2-2-2-5 一對 1GB 的FX 系列，國內(nèi)市場也已經(jīng)全面到貨，玩家已不用擔心這只是“非賣品”。 FX 系列是使用三星科技最著名的高效能內(nèi)存顆粒 – TCCD。FX 系列同時兼容于Intel 以及AMD 平臺。　

　　

　　 　

　　 強悍的默認參數(shù)DDR400 ，5-2-2-2　

　　

　　 芝奇 G.SKILL 1GBFX，512×2雙通道套裝　

　　 　

　　 在發(fā)表了多款暢銷的高頻率系列之后，芝奇發(fā)表的 FX 系列是 DDR400 2-2-2-5。　

　　 　　

　　 官方提供的內(nèi)存技術參數(shù)

　　

　

　　 介紹了這么多內(nèi)存超頻極品，大家是否已經(jīng)想要試試自己的電腦超頻性能如何呢？接下來我們給大家介紹一下如何更好的超頻自己的內(nèi)存，我們一起來看看吧。

　　目前市售的 內(nèi)存很多都標榜著DDR600,但是DDR600可不是買回來插在主機板上開機就會變成DDR600,也并不是每種平臺都可達到DDR600甚至更高,我們以DFI nf4平臺為例教大家如何超頻到DDR600。　

　　

　　

　　● 第一步：倍頻

　　

　　

　　這個選項關乎我們超頻的成功率，很多玩家沒有超頻成功大部分原因都是因為這個選項沒有調(diào)節(jié)好。在這里我們超頻之前先把這項數(shù)值調(diào)節(jié)為2X或者3X然后在進行接下來的參數(shù)調(diào)節(jié)。　

　　

　　

　　以下以DFI nF4系列平臺為例為各位作示范,想要將內(nèi)存超頻到DDR600我們首先要確保自己的CPU能夠上到300外頻，雖然我們可以通過CPU與內(nèi)存異步調(diào)節(jié)，使CPU不需要達到如此高的外頻就可以讓內(nèi)存上到DDR600，但是內(nèi)存異步對于性能的損失相當大，或者說你CPU外頻較低，而僅僅是提高內(nèi)存頻率，對于整機性能如杯水車薪一般。所以CPU的外頻最好能夠和內(nèi)存同步，這樣才能夠達到性能最大化。

　　

　　

　　首先，我們要確定自己的CPU能夠達到300外頻。有些處理器可能無法直接上到300外頻，我們可以通過調(diào)節(jié)處理器的倍頻使內(nèi)存較容易上到300外頻。我們這里拿一顆Athlon 3000+為例，Athlon 3000+主頻為1.8GHz，外頻為200MHz，倍頻為9，此時如果我們直接讓外頻超到300MHz的話，可能很多處理器無法達到，這是我們可以調(diào)節(jié)處理器的倍頻選項來達到我們的目的（AMD處理器一般鎖定倍頻向上調(diào)節(jié)，但是沒有鎖定向下調(diào)節(jié)）。　　

　　這個時候我們只需要把CPU倍頻調(diào)節(jié)到8X，然后再把CPU外頻調(diào)節(jié)到300MHz的話，超300MHz外頻的成功率就會大大增加，并且你不會因為降低倍頻而造成性能的損失。　

　　● 參數(shù)　

　　

　　接著DRAM+0.03V可開可不開,在范例中是未開的,因為開機后要先測試MEMTEST86+所以這個選項也請打開(MEMTEST86+為測試內(nèi)存穩(wěn)定度的 軟件)

　　● 時序　

　　

　

　　第一項為內(nèi)存頻率調(diào)節(jié)選項，這里可以調(diào)節(jié)內(nèi)存的時鐘頻率，我們的目標是讓這個頻率調(diào)節(jié)到300MHz。第二項為Command Per Clock選項，這個選項直接關系到整機的性能，1T與2T時序可以讓整機出現(xiàn)5％左右的性能差距，這里我們最優(yōu)先選擇1T時序。　

　　

　　

　　第三項為CAS值，這個數(shù)值早在SDRAM時代就被很多玩家所關注，也是當時超頻內(nèi)存時最為重要的一個選項，但是在進入DDR時代以后，這個數(shù)值對于整機性能影響減小，但是即使是1%或2％的性能提升也不能夠放過。這里如果內(nèi)存體制好的話最好設置在2.5，如果不穩(wěn)定調(diào)節(jié)到3。　

　　● RAS值的重要性與調(diào)節(jié)　　

　　

　　 我們最好將系統(tǒng)內(nèi)存想程序一個二維的查詢表，當我們要存取數(shù)據(jù)時，需要先指定存放數(shù)據(jù)的一列（row）地址所在，也就是送出一個稱為RAS（Row Address Strobe）的訊號，然后接著送出CAS（Column Address Strobe）的訊號來定義行（Column）的數(shù)據(jù)位置，透過哪一行及哪一列的位置確定，就可以找到正確的數(shù)據(jù)存放位置，不過在接連送出的RAS和CAS的訊號間，需要有一個短暫停頓，以確保內(nèi)存的正確位置被鎖定，這就是本文所謂的RAS-to-CAS的延滯，一般與的數(shù)值是二到三個內(nèi)存頻率的延遲時間。　

　　

　

　　 設定SDRAM RAS to CAS Delay數(shù)值是為了設定RAS的訊號送出后，在隔多少內(nèi)存頻率后才送出CAS的訊號，可能的數(shù)值范圍是2到5，2是最快的，每次調(diào)一個數(shù)字再測試整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性，愈好的內(nèi)存模塊，可以讓你設定更快的數(shù)值而系統(tǒng)依然可以穩(wěn)定運作。　

　　

　　

　　 一般默認的為4-8-4，當我們調(diào)節(jié)好剛才我們介紹的許昂想以后，確認系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運行，這個時候我們逐一把這三個數(shù)值向下調(diào)節(jié)，每調(diào)節(jié)一項測試一下系統(tǒng)的穩(wěn)定性，這里我向大家推薦Super PI，這個軟件對于系統(tǒng)穩(wěn)定性要求較高，并且檢測速度快，是一個不錯的選擇。　

　　測試完成一切穩(wěn)定時可以試著調(diào)整到2.5-4-7-3重測一次，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定可以適當?shù)恼{(diào)節(jié)內(nèi)存電壓。　　

　　

　

　 接著是Row to Row delay下去的4個選項，在確保系統(tǒng)在調(diào)節(jié)穩(wěn)定以后，可以把接下來的4個內(nèi)存參數(shù)由默認的2-2-2-3，調(diào)節(jié)到2-2-1-2測試一下穩(wěn)定性，如果不能夠穩(wěn)定運行可以適當加一些內(nèi)存電壓，這個參數(shù)對于內(nèi)存性能影響不是很明顯，如果不能夠穩(wěn)定運行使用默認設置即可。

　　 Refresh period最好設置為100 1.95us，這個設置可以加快浮點運算性能。接著來看DRAM Drive strength跟DRAM Data Drive strength這兩項設定攸關CPU內(nèi)存控制器兼容性的優(yōu)劣,也攸關整體平臺的穩(wěn)定。

　　

　

　　在一般情況下如果DRAM Drive strength設的愈高,進操作系統(tǒng)會愈穩(wěn)定,但設的低的話跑MEMTEST會更穩(wěn)過,所以有些人會在跑MEMTEST86+時DRAM Drive strength設5或更低,以便很順利完成MEMTEST86測試,但是以這樣的設定別想順利進入OS桌面或完成PI測試。

　　

　　接著請看MAX Async Latency與Read Preamble Time,這里是設8與5,建議也可以設auto,在auto時會隨著外頻的升高而放松這兩項參數(shù),當然8-5是最佳設置。　

　　● 注意事項　

　　

　　

　　以上是范例跑PASS3 OK我就跳出(這張頻率是設3G)接著進入TEST8，進入步驟請按C-1-3-8-0會進入TEST8。　

　　接著就是Dynamic counter范例是設enable,enable是嚴謹?shù)?當你過不了測試有加電壓無效時,請試著關掉Dynamic counter再測一次,還有DRAM Response請務必設fast　

　　R/W Queue Bypass 設16x 就ok(對于性能提升不是很重要)　　

　　By Passmax設7x 。　　

　　設定完成請按F10存檔,一開機會進入MEMTEST86+畫面,請直接進入TEST5與TEST8,進入步驟請按C-1-3-5-0會進入TEST5。　

　　

　

　　全部內(nèi)存參數(shù)均是相同設定,但是內(nèi)存電壓我加到2.8v,因為我先前有做過測試，電壓加到2.8V才能穩(wěn)跑(這里按照你自己的實際情況設置)。跑SP2004 Blend stress CPU and RAM. Priority設9已經(jīng)47分鐘ok,現(xiàn)在仍然持續(xù)測試中。　

　　● 超頻失敗怎么辦？

　　

　

　　有時候參數(shù)一下調(diào)節(jié)過高，機子無法穩(wěn)定運行，并且還忘記剛才參數(shù)的數(shù)值，不要慌，我們只需要選擇上圖的選項即可解決。這個選項是恢復BIOS默認設置的，即使你把BIOS調(diào)的連“他媽（ 主板設計師）”都不認得也沒有關系，只要Load一下就OK了，初學者注意使用這個功能。　

　　● 測試總結　

　　

　　一切調(diào)節(jié)好以后，來看看我們調(diào)節(jié)的成果吧。通過對于內(nèi)存的有效調(diào)節(jié)對于 游戲性能和科學運算會有明顯的性能提升。在內(nèi)存調(diào)節(jié)部分可能用戶與我使用的主板或者內(nèi)存情況不同，但是所有的超頻選項都類似，希望這篇文章能夠起到拋磚引玉的作用。

　　● 編輯點評　　

　　這篇超頻測試主要針對 內(nèi)存部分的超頻設計，而在實際生活中，如果想要發(fā)揮整機的全部性能，內(nèi)存部分僅僅是一部分，其他設置也同樣重要。這次內(nèi)存超頻部分主要介紹了內(nèi)存參數(shù)設置的先后順序，內(nèi)存參數(shù)的調(diào)節(jié)等，而實際超頻時需要按照自己的實際情況適當做些調(diào)整。初學者超頻一開始電壓不要加的太高，在默認電壓的基礎上加15％以內(nèi)是比較 安全的，盡量不要超過這個范圍。　

　　● 當前市場超值內(nèi)存推薦　

　　■ 主流用戶：金士頓512M DDR400 315元

　　

　　 金士頓內(nèi)存進入大陸市場已經(jīng)很多年了，不論是內(nèi)存的品質(zhì)還是超頻性能都擁有不錯的口碑，并且提供終身質(zhì)保。目前市場上出現(xiàn)很多金士頓內(nèi)存的假貨，不僅品質(zhì)沒有保障，保修也成了問題，推薦大家到大型的代理柜臺選購。　

　　 ■ 威剛 萬紫千紅 512M DDR400 310元　 　

　　

　　 威剛內(nèi)存雖然上市不久，但是其低廉的價格，和不錯的超頻性能讓起迅速走紅。威剛512M DDR400內(nèi)存經(jīng)測試超頻性能均有不錯表現(xiàn)，并且在保證提高頻率的同時，參數(shù)可以保證在較低水平，推薦大家選購。目前威剛內(nèi)存市場里面出現(xiàn)了打磨條，大家選購時要注意。　

　　 ■ 中高端用戶：威剛紅龍512M DDR400 370元

　　

　

　　 威剛紅龍內(nèi)存可以說個個都是超頻極品，幾乎每條都可以穩(wěn)定上DDR500，并且搭配了散熱效果不錯的散熱片，是追求頻率與參數(shù)的玩家不錯的選擇。這款內(nèi)存目前為370元，雖然比之前介紹的內(nèi)存價格要高一些，但是綜合來看還是物超所值的。

　　■ 海盜船 512M DDR400 335元

　　

　

　　 海盜船這款512M DDR400內(nèi)存目前村里 報價只要335元，憑借海盜船品牌的強大知名度受到很多玩家的追捧，我不推崇品牌的盲目，但是如果能夠以不高的價格拿到世界一流大廠的產(chǎn)品，對于喜歡追求品牌的用戶還是值得選購的。　

　　 結束語：這篇文章范例針對的是AMD NF4平臺，由于平臺的規(guī)格局限了內(nèi)存的支持，所以只推薦了DDR內(nèi)存。過幾天我會以775平臺為范例，推出一篇DDR2內(nèi)存超頻文章，有興趣的朋友敬請期待。　　?
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