教你如何看筆記本配置內(nèi)存

如今筆記本的軟件容量是不斷增大、版本也是在不斷升級，在機(jī)器的性能就需要更強(qiáng)悍了。機(jī)器的性能是否強(qiáng)悍，在筆記本內(nèi)存方面是有很大的影響的。 對于很多游戲玩家而言，他們一定都會對內(nèi)存這個為CPU提供數(shù)據(jù)計算場所的PC重要部件的容量變化對游戲影響而深有體會。內(nèi)存這個產(chǎn)品長久以來一直受制于處理器和主板芯片組技術(shù)的發(fā)展，它除了容量的不斷提高以外，更重要的在于要讓內(nèi)存為處理器提供足夠?qū)挼臄?shù)據(jù)交換通道，也就是需要不斷的提高內(nèi)存的傳輸帶寬來滿足處理器的發(fā)展需要。

??? 目前主要的內(nèi)存顆粒廠商有現(xiàn)代（Hynix）、三星（Samsung）、南亞（Nanya）、爾必達(dá)(ELPIDA) 、華邦（Winbond）、英飛凌（Infinoen）、美光（Micron）等等。而市面上許多品牌的內(nèi)存條不外乎采用這幾家廠商的內(nèi)存顆粒加工而成。

1、工作原理

??? DRAM的內(nèi)部是一個存儲陣列，可以想象成一張表格，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column）后，系統(tǒng)就可以準(zhǔn)確地找到內(nèi)存陣列中的某個單元格的數(shù)據(jù)，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。對于內(nèi)存，這個存儲陣列叫邏輯Bank（Logical Bank），一般內(nèi)存都有4個或8個邏輯Bank。在內(nèi)存的實際工作中，在某個邏輯Bank中查找與在邏輯bank的某行地址中查找的指令是同時發(fā)出的，這個命令稱之為“行激活”（Row Active）。在此之后，將發(fā)送列地址尋址命令與讀/寫命令，這兩個命令也是同時發(fā)出的，因此一般都會以“讀/寫命令”來表示列尋址。業(yè)界規(guī)定把從“行有效”到“讀/寫命令”發(fā)出之間的延遲時間定義為tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延遲，RAS就是行地址選通脈沖，CAS就是列地址選通脈沖）。列地址也被選中之后，就會準(zhǔn)備開始數(shù)據(jù)傳輸，但數(shù)據(jù)從存儲單元中輸出到出現(xiàn)在內(nèi)存芯片的I/O接口之間還有一段的時間，這段時間就是CL延遲（CAS Latency，列地址脈沖選通潛伏期）。CL的數(shù)值與tRCD一樣，都是以時鐘周期數(shù)表示的。如果接下來要讀取的數(shù)據(jù)還是該bank同行中接著的數(shù)據(jù)，那么內(nèi)存可以用一種叫做突發(fā)傳輸?shù)姆绞焦ぷ?，就是在選定行地址和列地址以后，如果是連續(xù)數(shù)據(jù)，那么可以不重新在該Bank中進(jìn)行列選定，而直接傳輸當(dāng)前行以后連續(xù)7列位置的數(shù)據(jù)（總共一次傳輸8列位置的數(shù)據(jù)）。而如果接下來的數(shù)據(jù)是同bank但是不同行位置的，那么就必須要先把當(dāng)前行關(guān)閉，才能對其他行尋址。從開始關(guān)閉現(xiàn)有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP（Row Precharge command Period，行預(yù)充電有效周期），單位也是時鐘周期數(shù)。上面的CL、tRCD、tRP這三個內(nèi)存參數(shù)都是絕對性能參數(shù)，在任何時候任何平臺下都應(yīng)該是越小越好，調(diào)節(jié)的優(yōu)先順序是CL→tRCD→tRP。

2、內(nèi)存種類

??? EDO：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機(jī)型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費(fèi)電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。

??? SDRAM：SDRAM是Intel提出的具有里程碑意義的內(nèi)存技術(shù)。SDRAM的全稱是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨機(jī)存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統(tǒng)時鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。

??? DDR：顧名思義Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺式機(jī)DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時代，有DDR266、DDR333和DDR400等規(guī)格，在Pentium4-M、Pentium-M等時期都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機(jī)器早早跨入DDR時代。其實DDR的原理并不復(fù)雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣和下降緣通道都利用上，因此DDR本質(zhì)上也就是SDRAM。相對于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電（工作電壓僅為2.25V）、單條容量更加大（已經(jīng)可以達(dá)到1GB）。

??? DDR2：DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。

3、內(nèi)存接口

　　接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的，金手指上的導(dǎo)電觸片也習(xí)慣稱為針腳數(shù)（Pin）。因為不同的內(nèi)存采用的接口類型各不相同，而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用144Pin、200Pin接口；臺式機(jī)內(nèi)存則基本使用168Pin和184Pin接口。對應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同的針腳數(shù)，內(nèi)存插槽類型也各不相同。目前臺式機(jī)系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內(nèi)存插槽，而筆記本內(nèi)存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來，基本原理并沒有變化，只是在針腳數(shù)上略有改變。

??? 列直插內(nèi)存模塊（Single Inline Memory Module，SIMM）或雙列直插內(nèi)存模塊（Dual Inline Memory Module，DIMM）來替代單個內(nèi)存芯片。早期的EDO和SDRAM內(nèi)存，使用過SIMM和DIMM兩種插槽，但從SDRAM開始，就以DIMM插槽為主。為了滿足筆記本電腦對內(nèi)存尺寸的要求，SO-DIMM（Small Outline DIMM Module）也開發(fā)了出來，它的尺寸比標(biāo)準(zhǔn)的DIMM要小很多，而且引腳數(shù)也不相同。同樣SO-DIMM也根據(jù)SDRAM和DDR內(nèi)存規(guī)格不同而不同，SDRAM的SO-DIMM只有144pin引腳，而DDR的SO-DIMM擁有200pin引腳。而在一些輕薄筆記本內(nèi)，還有些機(jī)型使用與普通機(jī)型不同的Micro DIMM接口內(nèi)存。