安森美發布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。
2021-12-08 11:46:03
1458 
`深圳市三佛科技有限公司 供應03N10 100V 3A SOT-89 MOS管 HN03N10D，原裝，庫存現貨熱銷HN03N10D參數：100V 3ASOT-89 N溝道 MOS管/場效應管品牌
2021-03-24 10:44:05
型號： 05N10VDS：100VIDS：5A封裝：SOT-23/SOT-89溝道：N溝道05N10原裝正品,05N10現貨熱銷供應100V MOS管05N10產品質量穩定，廣泛運用于LED電源
2020-08-13 11:37:37
`深圳市三佛科技有限公司 供應 10N10 100V 10A 香薰機MOS管 ,原裝，庫存現貨熱銷10N10參數： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場效應管
2020-07-31 14:50:51
（TO-252）低開啟電壓1.6V低內阻低結電容低開啟電壓溫升低轉換效率高過電流大抗沖擊能力強公司主營產品：30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N
2020-11-11 17:10:06
, 100V/5A MOS管 , 100V/8A MOS管，大量現貨。30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N
2020-11-14 14:19:22
深圳市三佛科技有限公司 供應 40N10 霧化器用MOS管 HN40N10KA 100V 40A MOS，原裝，庫存現貨熱銷HN40N10KA 參數 100V40A TO-252低開啟電壓N溝道
2020-08-13 11:20:37
惠海半導體 供應 4N10 100V MOS，替代型號HN0501，mos原廠，庫存現貨熱銷 4N10 ：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應管 HC0551010參數：100V
2020-11-20 14:48:03
`深圳市三佛科技有限公司 供應 100V 15A 汽車LED燈MOS管 HN15N10DA，原裝，庫存現貨熱銷HN15N10DA參數：100V 15A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管品牌
2021-05-08 15:39:38
型號：HC160N1038VDS：100VIDS：3A封裝：SOT-23溝道：N溝道100V MOS管HC160N1038 原廠mos，庫存現貨熱銷可以替代SI2328DS售后服務：公司免費提供樣品，并提供產品運用的技術上
2020-11-20 13:54:17
10LS運用在香薰機MOS管上。HC160N10LS參數：100V 4A SOT-23 N溝道MOS管/場效應管品牌：惠海半導體型號：HC160N10LSVDS：100VIDS：4A封裝：SOT-23溝道：N
2020-10-09 15:36:45
低內阻小節電容發熱小中低壓MOS大全TO-252 SOT23-3封裝100V MOS管100V 30A 35A 50A 23 23L SOP8 TO-252 N溝道MOS管【低電壓開啟低內阻】主營
2021-03-13 09:34:36
：型號：HC160N10L N溝道場效應管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號：HC080N10L N溝道場效應管 100V17A(17N10)TO-252封裝
2020-09-25 15:55:42
, 100V/5A MOS管 , 100V/8A MOS管，大量現貨。30V、60V、100V、150V全系列nmos管，2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N
2020-11-02 15:15:36
SOT-89 N溝道MOS管/場效應管HN03N10D參數：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場效應管HN0801產品應用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
`型號:HC160N10L參數：100V 10A 類型：N溝道場效應管內阻135mR(Vgs=10V)低結電容405pF 封裝：TO-252低開啟電壓1.6V主要應用領域：加濕器霧化器美容儀香薰機
2020-12-04 14:09:20
。型號：HC160N10LS參數：100V5A，絲印：HC510，類型：N溝道場效應管，內阻155mR，低結電容400pF，封裝：SOT23-3，低開啟電壓1.5V，低內阻，結電容小。型號：HC160N10L參數
2020-11-14 13:54:14
HC240N10LS參數：100V 3A SOT23-3N溝道 MOS管/場效應管品牌：惠海半導體型號：HC240N10LSVDS：100V IDS：3ARDS(on)Max：215mΩ封裝
2020-10-09 16:45:54
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管
2020-07-24 17:25:11
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
） （2） 圖5是NCL30161典型應用的能效曲線。其外部MOSFET是安森美半導體的60 V NTTFS5826.左圖是300 mA輸出時不同LED數的效率曲線；右圖是1 A輸出時不同LED數
2018-09-29 16:45:10
快速增長的電動汽車市場，安森美半導體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數字隔離柵極驅動器以及一個用于48V系統的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
外部器件的高性價比方案。安森美半導體還將展出新的NCD570x系列門極驅動器，具有高驅動電流以提供寶貴的、更高的系統能效，和充分集成多種保護功能的能力以增強安全性。安森美半導體的汽車產品陣容不斷擴展
2018-10-30 09:06:50
Ω, 30A, 雙N溝道WLCSP8該N溝道功率MOSFET采用安森美半導體的溝槽技術制造，專為充分減少門極電荷和超低導通阻抗而設計。該器件適用于無人機或筆記本電腦應用。KAI-08052: Interline
2018-10-22 09:08:52
NCP16x及汽車變體器件NCV81x，實現超低噪聲，是用于這類應用的理想電源管理方案。 安森美半導體的超高PSRR LDO穩壓器系列采用了一種新的專利架構，從而實現業界最佳的PSRR（最高達98 dB
2020-10-27 09:02:17
1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封裝等。最新的器件，如安森美半導體的N溝道 NTNS3193NZ及P溝道 NTNS3A91PZ充分利用極纖薄導線架平面網格陣列（XLLGA）亞芯片級
2018-09-29 16:50:56
納斯達克上市代號：ONNN)擴充高性能電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器產品陣容，推出針對工業成像應用的最新器件。安森美半導體先進的CCD圖像傳感器系列新增860萬像素先進攝影系統H型(APS-H)光學制式KAI-08670圖像傳感器，提供最嚴格應用所要求的關鍵成像性能。
2020-04-26 09:46:34
半導體提供的1,500多款通過汽車電子協會(AEC)認證的保護器件之一。 此外，安森美半導體還將展示高性價比的全面MOSFET系列，用于各種汽車應用，如發動機、底盤及車身控制、信息娛樂系統，及更多
2013-01-07 16:46:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
深圳市三佛科技有限公司 供應NCE0140KA新潔能NCE0140KA原裝100V N溝道 MOS，原裝正品，庫存現貨熱銷NCE0140KA參數：100V40ATO-252 MOS管/場效應管 N
2019-11-20 11:02:40
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結型晶體管。該附加的p+區域產生PNP雙極結型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
子的歐姆區域（ohmic region），MOSFET“完全導通”。在對比圖中，N溝道歐姆區的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導電能力更強。施加
2018-03-03 13:58:23
深圳市聚能芯半導體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產、技術服務為一體的綜合性電子元器件公司。供應中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術支持，DEMO測試及設計方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:24:53
AO系列MOS管。SL2060場效應管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
10場效應管100V25A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:23:37
`深圳市聚能芯半導體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產、技術服務為一體的綜合性電子元器件公司。供應中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術支持，DEMO測試及設計方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
10場效應管100V35A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:36:41
深圳市聚能芯半導體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產、技術服務為一體的綜合性電子元器件公司。供應中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術支持，DEMO測試及設計方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:23:09
`SL4430 30V18A 4.5毫歐SOP-8SL4430 N溝道耐壓30V18A系列中低壓MOS管 【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-08-03 14:48:45
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-04-07 15:06:41
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R雙N溝道功率MOS，24V6A，內阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R雙N溝道功率MOS，20V6A，內阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L雙N溝道功率MOS，12V27A，內阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23
2021-03-24 10:35:56
MOSFET作為開關使用串聯在電池負極和開關電源負極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達420A，Vds最大100V，而開關電源是適配48V，電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58
````低壓100V貼片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封裝MOS管型號：HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達到100V，可以滿足LED電源
2020-07-25 14:36:55
`惠海原廠直銷LED汽車大燈電源、電動車燈電源、摩托車燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-09-23 11:38:52
`惠海原廠直銷LED汽車大燈電源、電動車燈電源、摩托車燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V
2020-10-14 15:18:58
溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道 】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
`霧化器、美容儀、加濕器、香薰機MOS 100V 調光LED燈MOS管 5N10【SOT23-3】，10N1012N10 15N10 TO-252HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封
2020-09-23 09:42:17
，N溝道歐姆區的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導電能力更強。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應用中
2021-04-09 09:20:10
型號如下：型號：HC160N10L N溝道場效應管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號：HC080N10L N溝道場效應管100V17A(17N10)TO-252封裝
2020-11-02 15:36:23
安森美ONSEMI 擴充汽車驅動器系列安森美半導體，推出兩款為堅固的汽車和工業應用而特別設計的新型驅動器。NCV7513是可編程六通道低端MOSFET預驅動器，用于控制各種負載類型。NC
2010-02-06 10:41:39
15 全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:32947 安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC
安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列
2010-01-13 11:32:40548 安森美半導體推出12款新N溝道功率MOSFET系列
經過100%雪崩測試的MOSFET提供業界領先的雪崩額定值，能承受電源和電機控制應用中的大電壓尖峰
2010年2月2日 – 應用
2010-02-03 10:13:151095 安森美半導體推出高壓MOSFET系列
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能
2010-02-23 10:06:56831 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52519 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源等.
2011-12-15 09:24:20819 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）專門為助聽器設備應用而設計RHYTHM?系列預配置數字信號處理（DSP）系統，最新增加了兩款新器件。
2014-03-28 09:19:462323 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），它們經過設計及優化，提供領先業界能效，優于市場現有器件。
2014-05-21 11:36:44909 LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內工作
2021-03-18 22:10:113 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內工作
2021-03-19 06:51:081 NP30P10G(100V P溝道增強模式MOSFE)
2022-07-14 09:53:46855 
NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:06:001414 
NP2P10MR(100V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-18 09:14:57946 
采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:190 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA
2023-02-20 20:01:430 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA
2023-02-20 20:01:560 D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標準電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE
2023-02-21 18:48:040 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E
2023-02-21 19:49:290 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS
2023-02-22 19:03:500 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS
2023-03-03 18:53:300 D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標準電平 MOSFET。-PSMN027-100BS
2023-03-03 19:00:210 D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN016-100BS
2023-03-03 19:01:500 N 溝道 100V 8.5 mΩ 標準電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570 安森美半導體怎么樣？安森美是哪國的？ 有人問小編安森美半導體怎么樣？安森美是哪國的？其實行業內人士都知道美國公司安森美半導體實力很強悍，安森美是美國公司；并且在納斯達克上市。 安森美是哪國
2023-03-28 18:37:265914 
點擊藍字?關注我們 智能電源和智能感知技術的領先企業 安森美 （ onsemi ，美國納斯達克上市代號：ON），將于美國時間2023年6月20日星期二開市前被納入 納斯達克100指數 。安森美已連續
2023-06-13 10:35:02262 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
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