摘要:首先,針對閃存Flash的存儲(chǔ)編程特點(diǎn),提出一種基于虛擬扇區(qū)的閃存管理技術(shù),使系統(tǒng)對Flash的擦寫次數(shù)大大降低,從而提高Flash的使用壽命和整個(gè)系統(tǒng)的性能。然后,通過嵌入式系統(tǒng)電子名片管理器,介紹這一技術(shù)的使用。隨著閃存的廣泛應(yīng)用,對Flash的有效存儲(chǔ)管理將有很大的實(shí)用意義和社會(huì)效益。
引言
隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用,大量需要一種能多次編程,容量大,讀寫、擦除快捷、方便、簡單,外圍器件少,價(jià)格低廉的非易揮發(fā)存儲(chǔ)器件。閃存Flash存儲(chǔ)介質(zhì)就是在這種背景需求下應(yīng)運(yùn)而生的。它是一種基于半導(dǎo)體的存儲(chǔ)器,具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息,及在線擦寫等功能特點(diǎn),是一種替代EEPROM存儲(chǔ)介質(zhì)的新型存儲(chǔ)器。因?yàn)樗淖x寫速度比EEPROM更快,在相同容量的情況下成本更低,因此閃存Flash將是嵌入式系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成單元。
然而,由于Flash讀寫存儲(chǔ)的編程特點(diǎn),有必要對其進(jìn)行存儲(chǔ)過程管理,以使整個(gè)系統(tǒng)性能得以改善。
1 閃存Flash的存儲(chǔ)編程特點(diǎn)
Flash寫:由1變?yōu)?,變?yōu)?后,不能通過寫再變?yōu)?。
Flash擦除:由0變?yōu)?,不能只某位單元進(jìn)行擦除。
Flash的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內(nèi)容都變?yōu)?,芯片擦除是把整個(gè)Flash的內(nèi)容都變?yōu)?。通常一個(gè)Flash存儲(chǔ)器芯片,分為若干個(gè)擦除block,在進(jìn)行Flash存儲(chǔ)時(shí),以擦除block為單位。
當(dāng)在一個(gè)block中進(jìn)行存儲(chǔ)時(shí),一旦對某一block中的某一位寫0,再要改變成1,則必須先對整個(gè)block進(jìn)行擦除,然后才能修改。通常,對于容量小的block操作過程是:先把整個(gè)block讀到RAM中,在RAM中修改其內(nèi)容,再擦除整個(gè)block,最后寫入修改后的內(nèi)容。顯然,這樣頻繁復(fù)雜的讀-擦除-寫操作,對于Flash的使用壽命以及系統(tǒng)性能是很不好的,而且系統(tǒng)也常常沒有這么大的RAM空間資源。一種基于虛擬扇區(qū)的管理技術(shù)可以有效地控制Flash的擦寫次數(shù),提高Flash的使用壽命,從而提高系統(tǒng)性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虛擬小扇區(qū):以它為單位讀寫Flash內(nèi)容。
VSS ID(Visual Small Sector Identity),虛擬小扇區(qū)號(hào):只通過虛擬扇區(qū)號(hào)進(jìn)行存儲(chǔ),不用考慮它的真實(shí)物理地址。
SI(Sector Identity),分割號(hào):一個(gè)擦寫邏輯塊中物理扇區(qū)的順序分割號(hào)。
BI(Block Identity),塊號(hào):Flash芯片中按擦除進(jìn)行劃分的塊號(hào)。
SAT(Sector Allocate Table),扇區(qū)分配表:一個(gè)擦寫邏輯塊中的扇區(qū)分配表。一個(gè)SAT由許多SAT單元組成,一個(gè)SAT表對應(yīng)一個(gè)Block,一個(gè)SAT單元對應(yīng)一個(gè)VSS。
每個(gè)SAT單元最高兩位為屬性位,后面各位為VSS ID號(hào)。如果一個(gè)SAT單元由16位組成,則VSS ID最大可以達(dá)到16×1024;而如果SAT單元由8位組成,則VSS ID最大可以達(dá)到64,具體約定由應(yīng)用情況而定。
2.2 實(shí)現(xiàn)原理
把每個(gè)block分為更小的虛擬邏輯塊(visual small sector),稱為虛擬扇區(qū),扇區(qū)大小根據(jù)應(yīng)用而定。每個(gè)block前面的一固定單元用于記錄本block中扇區(qū)分配的使用情況(即扇區(qū)分配表),包括扇區(qū)屬性及扇區(qū)邏輯號(hào)。圖1為邏輯扇區(qū)劃分示意圖。
在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫和修改時(shí),以虛擬扇區(qū)塊的大小為單位。要修改某一扇區(qū)的數(shù)據(jù)時(shí),先讀出這個(gè)扇區(qū)的內(nèi)容,重新找一個(gè)未使用的扇區(qū),把修改后的內(nèi)容寫入這個(gè)新扇區(qū)。然后,修改原來扇區(qū)的屬性值為無效,修改這個(gè)新扇區(qū)的屬性為有效,拷貝VSS ID號(hào)到新扇區(qū)對應(yīng)的SAT單元中。
這樣,當(dāng)某一個(gè)block中的SAT屬性都標(biāo)為無效時(shí),才對當(dāng)前block進(jìn)行擦寫。可見,以虛擬扇區(qū)大小為單位的存儲(chǔ)管理,對Flash塊的擦寫次數(shù)可大大減少,從而提高了系統(tǒng)性能。
3 VSS管理實(shí)現(xiàn)要點(diǎn)
3.1 常數(shù)部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根據(jù)Flash型號(hào)修改
#define SECTORSIZE 512 //可根據(jù)Flash型號(hào)及應(yīng)用情況修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除塊個(gè)數(shù)
#define MAX_SI_1B 255 //每個(gè)可擦除塊中有效SI個(gè)數(shù)
#define SATSIZE 510 //扇區(qū)分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值
3.2 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于記錄Flash中各個(gè)block的使用情況。數(shù)組中的某位為1,表示相應(yīng)sector為未使用;否則,為已經(jīng)寫過,系統(tǒng)通過這個(gè)表可以跟蹤各個(gè)block的使用情況。
3.3 函數(shù)功能部分
1) Flash_Format()//擦除整塊Flash存儲(chǔ)介質(zhì)。
2) Flash_Init()//對VSS管理系統(tǒng)參數(shù)進(jìn)行初始化,填充VSS_Table表,統(tǒng)計(jì)Flash的使用情況。在系統(tǒng)復(fù)位初始時(shí)調(diào)用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除塊號(hào)為block ID的塊。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割號(hào)SI。
5) Get_Addr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan_SAT(int blockID)//整理塊號(hào)為block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//從物理地址為addr的Flash處讀取len個(gè)字節(jié)到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//寫pdata中長度為len的數(shù)據(jù)到指定地址為addr的Flash中。
9) Read_Sat(int bi)//讀取塊號(hào)為blockID的SAT。
10) IsValid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否有效。
11) IsFree(vat)//檢查本SAT單元屬性是否未使用。
12) IsInvalid(vat)//檢查本SAT單元屬性是否無效。
13) Read_VSS(addr)//從地址為addr處讀一個(gè)VSS。
14) Write_VSS(addr,*pData)//把pData中的內(nèi)容寫到從地址addr開始的一個(gè)VSS中。
4 計(jì)算VSS ID的物理地址
要對某個(gè)VSS ID進(jìn)行讀寫操作,必須先找到其物理地址。
定位某個(gè)VSS ID物理地址的過程如下。
① 查找這個(gè)VSS ID所在的塊號(hào)(BI)以及在這個(gè)塊中所處的分割號(hào)(SI)。
從第一個(gè)block開始,搜索這個(gè)塊的SAT表。首先搜索屬性,只有屬性為有效的才比較VSS ID號(hào)。如果條件滿足,記錄所在的塊號(hào)BI及SAT的位置,即扇區(qū)分割號(hào)SI;否則,block號(hào)增加,繼續(xù)按照上面步驟查找。
bFound=0;
for(int i=0;i {//讀取對應(yīng)block的SAT表 psat=ReadSat(i) for(j=0;j {//分析每個(gè)SAT單元 sat=*psat++; if(IsValid(sat))//比較屬性是否有效 {//比較邏輯號(hào)是否相等,相等設(shè)置標(biāo)志退出 if(Equal(sat,VSSID)){bFound=1;break;} } } if(bFound){bi=i;si=j;break;}//找到后記錄塊號(hào)和分割號(hào)退出 } ②找到VSS ID所在的塊號(hào)及分割號(hào)(SI)后,這個(gè)VSS ID的物理地址為: ADDR=整個(gè)Flash的偏地址+ BLOCKID*BLOCKSIZE+SATSIZE+SI*SECTERSIZE。 5 應(yīng)用 應(yīng)用于名片記錄管理系統(tǒng):由于名片記錄很大,而且記錄很多,存在常常修改的情況,因此可以使用Flash作存儲(chǔ)介質(zhì)。 名片記錄結(jié)構(gòu)為: struct CARD { char name[10]; //姓名:10字節(jié) char position[15]; //出職務(wù):15字節(jié) char companyname[40]; //公司名稱:15字節(jié) char mobilephone[11]; //手機(jī)號(hào)碼:11字節(jié) char homephone[15]; //家庭電話:15字節(jié) char officephone[15]; //辦公電話:15字節(jié) char Email[30]; //郵件地址:30字節(jié) char homepage[30]; //公司主頁:30字節(jié) char remark[40]; //備注:40字節(jié) }card_record; 每個(gè)名片記錄大小為:181字節(jié)。 對于1MB的Flash,分為8個(gè)block,每個(gè)block為128KB(131072字節(jié))。 針對以上情況,作如下分配: 每個(gè)扇區(qū)大小為181字節(jié); SAT大小為1432字節(jié),每個(gè)SAT單元用16位(2字節(jié)); 分為716個(gè)扇區(qū),也相當(dāng)于1個(gè)block能存716條名片記錄,則131072-1432-716×181=44字節(jié)為空閑。 常數(shù)定義部分修改如下: #define blockSIZE 128*1024 //每個(gè)block大小 #define SECTORSIZE 181 //每個(gè)扇區(qū)大小 #define MAX_SI_1B 716 //每個(gè)可擦除塊中有SI個(gè)數(shù) #define SATSIZE 1432 //扇區(qū)分配表大小 #define VSS_MASK 0XC000 //VSS屬性屏蔽值 #define VSS_FREE 0XC000 //VSS為未使用的屬性值 #define VSS_VALID 0X4000 //VSS為有效的屬性值 #define VSS_INVALID 0X0000 //VSS為無效的屬性值 約定:首先對名片進(jìn)行編號(hào),且約定名片的編號(hào)對應(yīng)于VSS ID邏輯號(hào)。 a) 記錄增加。增加一個(gè)記錄時(shí),根據(jù)提供的VSS ID號(hào),首先查找這個(gè)記錄號(hào)是否在使用。如果還沒有使用,首先查找這個(gè)記錄號(hào)是否在使用。如果還沒有使用,則申請一個(gè)未使用的VSS,把相在內(nèi)容寫入這個(gè)VSS,修改其對應(yīng)的SAT單元,寫入有效屬性值和VSSID號(hào);否則,進(jìn)入記錄修改過程。 b) 記錄刪除。要?jiǎng)h除一個(gè)記錄時(shí),根據(jù)提供的VSS ID號(hào),查找SAT表。如果找到,修改其對應(yīng)的SAT屬性為無效;否則,說明這個(gè)記錄不存在。 c) 記錄查找。①由VSS ID號(hào)進(jìn)行的查找:根據(jù)提供的VSS ID號(hào),查找所有的SAT表中屬性為有效的VSS ID,返回相應(yīng)的BI及SI。②根據(jù)名片的用戶名查找:檢測所有的SAT表中屬性為有效的VSS ID,得到相應(yīng)的BI及SI,由BI及SI定位到指定Flash物理地址讀入用戶各到RAM中,比較是否相等。如果相等,讀取并返回SAT單元的VSS ID;否則,繼續(xù)查找。 d) 記錄修改。當(dāng)要修改一名片記錄時(shí),由VSS ID先把這個(gè)記錄讀入到RAM中,然后修改其內(nèi)容,重新找一個(gè)未使用的扇區(qū),把修改后的內(nèi)容寫入到這個(gè)新扇區(qū)中,并拷貝其VSS ID號(hào)到這個(gè)新扇區(qū)對應(yīng)的SAT單元,修改其屬性為高,修改原來的扇區(qū)屬性為無效。 結(jié)語 本文提出的Flash存儲(chǔ)管理技術(shù)原理簡單實(shí)用。它是對那些復(fù)雜的Flash文件管理系統(tǒng)的一種剪裁、簡化和定制。對于那些不需要復(fù)雜的文件管理系統(tǒng),而又使用了Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)的嵌入式系統(tǒng)有很好的借鑒意義和使用價(jià)值,如手機(jī)電話號(hào)碼簿管理、短信管理等都可以利用這種技術(shù)進(jìn)行管理。 相關(guān)推薦
HP存儲(chǔ)虛擬化存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)解決方案帶來的好處及未來發(fā)展
NAND Flash非易失存儲(chǔ)器簡介
Flash頁、扇區(qū)、塊的區(qū)別
FLASH的塊/扇區(qū)/頁關(guān)系是什么?
Flash存儲(chǔ)器的使用壽命有什么辦法延長嗎?
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)
flash是由哪幾個(gè)扇區(qū)組成的
flash磨損均衡處理的相關(guān)資料推薦
存儲(chǔ)芯片扇區(qū)
虛擬主機(jī)管理系統(tǒng)
Cheap_Flash--嵌入式NandFlash驅(qū)動(dòng)文件系統(tǒng)源代碼下載
Cheap_Flash_FS(SPI_Flash版本)--嵌入式SPI_FLASH文件系統(tǒng)免費(fèi)源碼,請下載
Cheap_Flash_FS(普通版)(SPI_Flash版)--嵌入式SPI_FLASH文件系統(tǒng)免費(fèi)源碼
Cheap_Flash_FS--嵌入式NandFlash文件系統(tǒng)源碼(使用極速版代碼)下載
Cheap_Flash_FS--嵌入式NandFlash文件系統(tǒng)源碼(使用極速版代碼)下載
Cheap_Flash_FS--嵌入式NandFlash文件系統(tǒng)源碼下載
Cheap_Flash_FS極速版--嵌入式NandFlash文件系統(tǒng)源碼下載
Cheap_flash--嵌入式NandFlash的壞塊管理驅(qū)動(dòng)層免費(fèi)C源碼下載
FCoE存儲(chǔ)的虛擬化注意事項(xiàng)
Linux虛擬內(nèi)存管理技術(shù)的相關(guān)資料分享
NAND Flash的分區(qū)情況
ROM加載初始扇區(qū)0的flash_mode和時(shí)鐘頻率?
STM32F407的FLASH為什么只能按扇區(qū)擦除
STM32F4寫FLASH扇區(qū)太大
uClinux平臺(tái)下的Flash存儲(chǔ)技術(shù)
uClinux平臺(tái)下的Flash存儲(chǔ)技術(shù)
uClinux平臺(tái)下的Flash存儲(chǔ)技術(shù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
一種超輕量級(jí)的flashKV數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案分享
幾種主要的虛擬化技術(shù)有什么不同?
在擦除扇區(qū)和寫入扇區(qū)時(shí)報(bào)FLASH_ERROR_PROGRAM錯(cuò)誤的原因
如何使用STM32 FLASH存儲(chǔ)器?
如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器?
如何計(jì)算flash地址線
嵌入式Flash管理有什么特點(diǎn)?
怎么通過I2C管理扇區(qū)安全狀態(tài)?
用SPI接口擴(kuò)展外部Flash存儲(chǔ)器
用stm32內(nèi)部flash存儲(chǔ)一些系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)
講解STM32F207內(nèi)部Flash編程
請問有什么工具可以支持STM32F207內(nèi)部FLASH指定扇區(qū)燒寫文件?
嵌入式系統(tǒng)中的Flash 存儲(chǔ)管理
uClinux 平臺(tái)下的Flash 存儲(chǔ)技術(shù)
基于虛擬扇區(qū)的Flash 存儲(chǔ)管理技術(shù)
FLASH存儲(chǔ)管理子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
基于VxWorks的FLASH存儲(chǔ)器實(shí)時(shí)存取管理方案
基于FLASH星載存儲(chǔ)器的高效管理研究
基于FLASH星載存儲(chǔ)器的高效管理研究
Nand+Flash存儲(chǔ)管理在DSP系統(tǒng)中的實(shí)現(xiàn)
淺析虛擬化技術(shù)各種形式管理方案
存儲(chǔ)虛擬化技術(shù)的規(guī)劃
Flash存儲(chǔ)器概述
虛擬化存儲(chǔ)分層技術(shù)
基于EVMS的帶外虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom
存儲(chǔ)虛擬化技術(shù)的幾種層面實(shí)現(xiàn)
解讀虛擬存儲(chǔ)的三大技術(shù)方向
cheap_flash_fs極速版
基于虛擬存儲(chǔ)技術(shù)構(gòu)建容災(zāi)備份系統(tǒng)李懷江
Flash存儲(chǔ)功能介紹
基于MCU的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及管理方法的研究
flash存儲(chǔ)器在線編程
控制器存儲(chǔ)虛擬化的誤解分析
基于虛擬通道的Flash映射技術(shù)提高VDI環(huán)境下的用戶體驗(yàn)
嵌入式系統(tǒng)Flash存儲(chǔ)管理策略研究
基于分塊管理和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的嵌入式Flash管理
基于虛擬通道的Flash映射技術(shù)解析
數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)面臨的問題,存儲(chǔ)虛擬化技術(shù)及其實(shí)現(xiàn)方式
基于虛擬扇區(qū)管理技術(shù)提高Flash存儲(chǔ)器的應(yīng)用系統(tǒng)性能
單片機(jī)上FLASH和EEPROM有什么不同?
虛擬化技術(shù)有哪些
云存儲(chǔ)的核心技術(shù) 虛擬化存儲(chǔ)
東芝存儲(chǔ)XL-Flash技術(shù)2020年將量產(chǎn)
東芝存儲(chǔ)器最新發(fā)布XL-Flash技術(shù)
虛擬存儲(chǔ)有什么樣子的特點(diǎn)
存儲(chǔ)虛擬化為何還存在障礙
虛擬化存儲(chǔ)的系統(tǒng)構(gòu)成是怎樣的
存儲(chǔ)虛擬化 最強(qiáng)大的虛擬化技術(shù)之一
存儲(chǔ)虛擬化的存儲(chǔ)資源架構(gòu)解析
什么是虛擬存儲(chǔ)器,虛擬存儲(chǔ)器的特征
STM32F207內(nèi)部Flash編程詳解
結(jié)合F4系列描述關(guān)于FLASH的相關(guān)內(nèi)容
Flash存儲(chǔ)器的擦寫操作流程
詳解什么是STM32對其Flash的保護(hù)
虛擬化存儲(chǔ)管理策略的組成部分
BSP-flash
flash 磨損均衡處理
解決stm32f103同一個(gè)扇區(qū)flash只能擦除一次,再次擦除報(bào)FLASH_ERROR_PG錯(cuò)誤問題
寫flash芯片時(shí)為什么需要先擦除?
stm32 flash寫數(shù)據(jù)怎么存儲(chǔ)的
評論
查看更多