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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>緩沖/存儲(chǔ)技術(shù)>自旋力矩MRAM是否能再縮短開機(jī)時(shí)間 - 神秘拆解:新一代MRAM能否取代閃存?

自旋力矩MRAM是否能再縮短開機(jī)時(shí)間 - 神秘拆解:新一代MRAM能否取代閃存?

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新一代馭龍高手?iQOO Neo5S拆解.#硬核拆解

產(chǎn)品拆解
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-10-16 21:15:45

QLC閃存跟TLC閃存有什么區(qū)別?QLC能否取代TLC成為SSD閃存首選?

目前,東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片,即QLC閃存,這也意味著QLC SSD將要來臨。那么,它與TLC閃存又有什么區(qū)別,能否取代TLC成為SSD主流閃存之選?
2017-08-01 10:21:1393396

蘋果iPhoneX深度拆解評(píng)測(cè):神秘芯片亮相

原標(biāo)題:iPhone X最專業(yè)深度拆解!驚現(xiàn)神秘芯片 雖然現(xiàn)在各種拆機(jī)滿天飛,但最專業(yè)、最細(xì)致的當(dāng)然還是iFixit。現(xiàn)在iPhone X已經(jīng)發(fā)售了,iFixit拆解怎么能少呢? 一起來吧! 既然是
2018-01-23 14:11:0018373

QLC閃存是否會(huì)取代TLC成為新一代的主流閃存

QLC是否會(huì)取代TLC?以目前的發(fā)展趨勢(shì),與其說取代TLC,QLC的任務(wù)更應(yīng)該是取代機(jī)械硬盤。
2018-09-11 16:06:115020

IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD強(qiáng)勢(shì)登場(chǎng)

,但與NAND閃存或英特爾的3D XPoint存儲(chǔ)設(shè)備相比,它的密度嚴(yán)重受限。 到目前為止,MRAM大多都應(yīng)用在嵌入式系統(tǒng)中,MRAM可以取代小型閃存芯片或電池供電的DRAM和SRAM緩存。
2018-12-02 09:31:053664

MRAM存儲(chǔ)器在未來將得到更多的應(yīng)用

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,可與其他的NVM技術(shù)相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖然MRAM的擴(kuò)展性好,但其容量仍遠(yuǎn)低于NAND閃存, SSD中的高密度存儲(chǔ)介質(zhì)大都是NAND閃存
2018-12-22 14:37:344678

新一代STT-MRAM升級(jí)到12nm,適用于各種嵌入式領(lǐng)域

GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:562516

新型MRAM技術(shù)量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)低功耗

訪問速度也相當(dāng)快,這便意味著不僅可以用它取代這類硬件設(shè)備上的閃存,還可以替換掉大部分SRAM,從而進(jìn)一步節(jié)約成本。 和 MRAM 的目標(biāo)市場(chǎng)不同的是,ReRAM 和 PCRAM 更有可能出現(xiàn)在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中,這兩種器件是存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存的理想選擇。SCM 提供的一種比 NAND 產(chǎn)品
2020-04-07 14:08:17720

高密度MRAM未來將會(huì)取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備

高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對(duì)于Everspin而言,Toggle MRAM的成功正在
2020-07-28 11:26:41891

MRAM可實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM閃存一樣
2021-03-03 16:35:01418

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見表1)。具體在功能方面,自旋注入MRAM閃存一樣
2021-12-07 15:21:108

切換面向5G的MRAM準(zhǔn)備

高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465

可替代SPI NOR/NAND閃存方案的xSPI MRAM

Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案,其讀寫速度
2022-06-29 17:08:02843

MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)是否可替代取代電子存儲(chǔ)器

一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM(磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器)已經(jīng)商業(yè)化,在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器,但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141596

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420

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