納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細制程技術發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現(xiàn)端倪。
2016-05-25 09:08:44833 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 據(jù)悉，紫光南京半導體產業(yè)基地項目由紫光集團投資建設，主要產品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元，月產芯片10萬片。項目達產后，將有力地支撐我國在主流存儲器領域的跨越式發(fā)展。
2017-02-13 09:20:16787 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
Flash SSD/DOM業(yè)者導入十倍于MLC耐用品質等級的iSLC存儲器技術，加上導入種種維護、監(jiān)控SSD內部Flash在擦寫均勻度（Wear Leveling）、品質與穩(wěn)定性的關鍵技術，使得MLC可以導入輕量級工控應用，而iSLC存儲器將成為工控應用的新寵。
2013-03-05 10:50:331544 （Flash Memory）技術達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產品中作為存儲介質，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產廠
2012-08-15 17:11:45
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
同于DRAM的存儲技術。首先，FLASH存儲器中的每個位都由單個晶體管組成，但是這些晶體管具有稱為浮柵的特殊層。通過使用量子隧道將位存儲在FLASH存儲器中，以將電子捕獲在浮柵層中，這使晶體管或多或少具有
2020-09-25 08:01:20
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術的非揮發(fā)性半導體存儲器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對英飛凌XC886這款單片機的Flash進行讀寫，以下為簡要的幾點總結：一、Flash存儲器結構：XC886共有32KFlash，地址映射如下圖所示：共三塊P-Flash用來存儲程序
2022-01-26 06:46:26
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
。 存儲器和儲存的要求不同，具體取決于其特性，包括現(xiàn)在已??經過時的技術 (來源：Lauro Rizza) 為了實現(xiàn)隨時間進展的存儲器和儲存而開發(fā)的技術，可說是人類聰明才智的典范。發(fā)明這些技術的人們利用
2017-07-20 15:18:57
技術的日趨成熟,存儲器價格會回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側.
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結構：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結構芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
7月14日早間消息，據(jù)知情人士透露，紫光集團向美國芯片存儲巨頭美光發(fā)出收購邀約，預計收購價格230億美元。 據(jù)悉，紫光集團提議以每股21美元，總代價230億美元的價格全面收購美光。這是中國企業(yè)
2015-07-14 10:44:29
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術
2020-12-21 07:04:49
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
的產品，現(xiàn)在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。舉個例子，手機軟件一般放在
2015-11-04 10:09:56
STM32_FSMC機制的NORFlash存儲器擴展技術
2014-03-24 15:17:17
1 Flash類型與技術特點Flash主要分為NOR和NAND兩類。下面對二者作較為詳細的比較。1.1 性能比較Flash閃存是非易失存儲器,可以對存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何Flash器件
2011-04-23 09:22:47
是非易失存儲器,可以對存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何Flash器件進行寫入操作前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作十分簡單;而NOR則要求在進行擦除前,先要將目標塊內所有的位都寫為0。擦除
2012-12-25 19:29:41
，大數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術從40nm到16nm，再到64層3D技術，一直為市場提供更好的產品和解決方案。就在幾個月前美
2018-09-20 17:57:05
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
光存儲技術是用激光照射介質，通過激光與介質的相互作用使介質發(fā)生物理、化學變化，將信息存儲下來的技術。其基本物理原理是：存儲介質受到激光照射后，介質的某種性質(如反射率、反射光極化方向等)發(fā)生改變，介質性質的不同狀態(tài)映射為不同的存儲數(shù)據(jù)，存儲數(shù)據(jù)的讀出則通過識別存儲單元性質的變化來實現(xiàn)。
2019-10-11 09:11:06
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
單片機的存儲器——幾個有關的概念：1、數(shù)據(jù)存儲器——RAM(Random Access Memory)2、程序存儲器——ROM(Read Only Memory)3、閃速存儲器——Flash
2022-01-26 07:30:11
花旗銀行的分析師在最新的報告中，維持了對美商存儲器大廠美光股票的中性頻等，但下調了美光在2019年的營收及獲利預期，理由就是2019年的整體存儲器市場將面臨大降價的狀況。在當前市場因為產能過剩、庫存增加
2021-07-13 06:38:27
復雜可編程邏輯器件—FPGA技術在近幾年的電子設計中應用越來越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內嵌存儲陣列等特點使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復雜控制邏輯、精確時序邏輯等場合的應用。而應用FPGA中的存儲功能目前還是一個較新的技術。
2019-10-12 07:32:24
我正在學習如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數(shù)據(jù)。通過Keil編譯，我得到：程序大小：Code=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
存儲器的基本測試技術有哪些？數(shù)字芯片測試的基本測試技術有哪些？
2021-05-13 06:36:41
Flash類型與技術特點有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅動器？如何去設計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
ROM/SRAM/FLASH組0和DRAM/SDRAM組0，暫未使用外擴接口器件。3基于S3C4510B的嵌入式系統(tǒng)Flash存儲器接口電路的調試Flash存儲器的調試主要包括Flash存儲器的編程（燒
2019-06-10 05:00:01
TPMS技術及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調換輪胎時的重新定位問題？怎么實現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術？
2021-05-14 06:13:50
數(shù)字電子技術--半導體存儲器[hide][/hide]
2017-05-01 22:26:01
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
DRAM補全計劃？此前曾傳出紫光將斥資230億美元收購美的消息，后因美國***的限制，使這筆交易暫時壓后。美光就不需要給大家介紹，它的DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊
2016-07-29 15:42:37
目前高級應用要求新的存儲器技術能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導致的結果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關鍵技術特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
網(wǎng)絡附屬存儲技術被定義為一種特殊的專用數(shù)據(jù)存儲服務器，包括存儲器件（例如磁盤陣列、CD/DVD驅動器、磁帶驅動器或可移動的存儲介質）和內嵌系統(tǒng)軟件，可提供跨平臺文件共享功能。
2019-09-12 09:10:10
本文分別介紹了存儲器的分類、組成、層次結構、常見存儲器及存儲器的選擇，最后描述了計算機存儲器的一些新技術。存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39
有兩個問題請教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲器，如何從外部設備啟動呢？有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考？我想外接一個flash存儲器（通過SPI或者EMIF外接）作為程序存儲器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設計DSP自動引導裝載系統(tǒng)的硬件？對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲器去設計引導裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
網(wǎng)絡存儲器技術是如何產生的？怎樣去設計一種網(wǎng)絡存儲器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
給出一種以帶有看門狗功能的新型單片機 AT89C55WD為核心、插拔式FLASH MEMORY為存儲器的無紙記錄儀的設計與實現(xiàn)；介紹該系統(tǒng)的硬件電路構成和基于 C51的系統(tǒng)軟件設計與實現(xiàn)。
2009-04-06 10:03:11
37 較為詳細地介紹嵌入式操作系統(tǒng)uClinux 平臺下的Flash 存儲技術，并給出基于三星S3C4510 系統(tǒng)下Flash 存儲器的具體設計實例。
2009-05-15 15:47:2410 Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng)，該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存儲器技術趨于成熟，應用廣泛，它結合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲器通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 flash存儲器，及閃速存儲器，這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點，是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
將與合肥睿力12吋廠資源整合，全面對決紫光集團旗下長江存儲及聯(lián)電的晉華集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術，爭奪大陸存儲器寶座。
2017-11-24 12:51:38431 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業(yè)代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 紫光南京半導體產業(yè)基地主要將生產3D NAND FLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠，另一個紫光大型的存儲器生產南京基地也已經實質啟動。
2017-11-28 12:54:401970 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業(yè)代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-12-01 15:44:5512720 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國存儲器產業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 DRAM技術上取得的進步伴隨著多內核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運算平臺和應用的越來越多的不同要求，包括服務器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計算機、臺式電腦和筆記本電腦和外設。存儲器技術
2020-05-21 07:52:006238 
作為上市公司全資子公司，西安紫光國芯半導體有限公司為DRAM存儲器芯片設計公司，屬于紫光國微旗下存儲器業(yè)務平臺。e公司記者發(fā)現(xiàn)，本次紫光國微置出資產主要出于研發(fā)投入資金壓力和間接控股股東紫光集團整體戰(zhàn)略部署考慮。
2018-10-17 10:04:118061 盡管ㄧ些新存儲器技術已經研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術的列表。然而，無論哪一個技術勝出，這些新型非易失性技術系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2018-12-25 14:39:563068 隨著福建晉華和合肥長鑫兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術，若兩大廠研發(fā)成功且量產，西安紫光國芯的DRAM設計實力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合，以發(fā)揮集團的存儲戰(zhàn)力，還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:353984 近日，半導體綜合性企業(yè)紫光集團在其官網(wǎng)宣布，公司已經成立一個新的事業(yè)群，專注于內存芯片動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。DRAM是一種最為常見的系統(tǒng)內存，廣泛應用于智能手機、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心服務器等設備中。
2019-08-07 10:59:171196 作為中國DRAM產業(yè)的領導者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術追趕者向技術引領者轉變，用自主研發(fā)的DRAM技術和專利，引領中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲芯片產業(yè)基地項目合作協(xié)議。紫光集團將在重慶建設包括DRAM總部研發(fā)中心在內的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠，據(jù)悉，DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產。
2019-08-30 14:21:29603 據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 的網(wǎng)絡開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲器，DRAM通常被稱為內存，也有些朋友會把手機中的Flash閃存誤會成內存。SRAM的存在感相對較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關鍵。
2020-07-29 11:14:1611869 相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 最近Techinsights舉辦了一場關于存儲技術的網(wǎng)絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術的觀察與分析。以下概述了討論的相關主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 的統(tǒng)一組織下亮相第五屆絲博會，展出了公司研發(fā)設計的包括第四代DRAM 存儲器在內的全系列晶圓、顆粒及模組產品及全球首系列商用內嵌自檢測修復（ECC）DRAM存儲器產品。全面展示了西安紫光國芯在集成電路存儲器領域的技術實力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:502843 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282620 隨著信息技術的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
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