傳統(tǒng)上講，LRDIMM（低負(fù)載雙列直插存儲(chǔ)器模塊） 和 RDIMM（雙列直插存儲(chǔ)器模塊） 為數(shù)據(jù)中心企業(yè)服務(wù)器提供補(bǔ)充解決方案——LRDIMM 針對(duì)需要更深存儲(chǔ)器的應(yīng)用，而 RDIMM 則針對(duì)需要更高數(shù)據(jù)帶寬的應(yīng)用。然而，隨著 8Gb DRAM 的推出，LRDIMM 已提供出色的備選解決方案，能同時(shí)滿足更深存儲(chǔ)器和更高數(shù)據(jù)帶寬需求。

　　尤其是基于8Gb DDR4 DRAM 的 32GB 2RX4 LRDIMM 已證明在服務(wù)器內(nèi)存容量和帶寬方面全面超越 32GB 2RX4 RDIMM。

　　需要同時(shí)具備更深存儲(chǔ)器和更高數(shù)據(jù)帶寬

　　越來越多的互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，例如內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù) （IMDB），正受益于更深存儲(chǔ)器和更高數(shù)據(jù)帶寬。更大的 IMDB意味著更多的數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)在高速 DDR4 DRAM 存儲(chǔ)器中，從而減少數(shù)據(jù)處理過程中與較慢存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)交換。減少與較慢存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)交換意味著內(nèi)存密集型應(yīng)用將運(yùn)行得更快。IMDB 應(yīng)用包括數(shù)據(jù)分析、金融算法、游戲和搜索算法。圖 1 給出了一些實(shí)例。

　　圖1

　　LRDIMM 的優(yōu)勢(shì)

　　在 8Gb DRAM 之前，32GB LRDIMM 基于采用比較昂貴的DDP1 封裝的 4Gb DRAM 構(gòu)建而成，如圖 2 所示。

　　圖 2

　　在基于 4Gb DRAM 的 32GB 4RX4 LRDIMM 中，來自前側(cè) DDP 的兩路 DRAM 數(shù)據(jù)負(fù)載和來自后側(cè) DDP 的兩路 DRAM 數(shù)據(jù)負(fù)載共享相同的數(shù)據(jù)總線。這四路 DRAM 數(shù)據(jù)負(fù)載經(jīng) LRDIMM 的獨(dú)特?cái)?shù)據(jù)緩沖架構(gòu)進(jìn)一步縮減為一路數(shù)據(jù)緩沖器負(fù)載。

　　采用這種數(shù)據(jù)負(fù)載減少技術(shù)后，當(dāng)在一條內(nèi)存通道中放置三個(gè) LRDIMM 時(shí)，只會(huì)出現(xiàn)三路負(fù)載。 此外，九個(gè)數(shù)據(jù)緩沖器位于距離邊緣連接器非常近的位置，能減少數(shù)據(jù)傳輸短截線長(zhǎng)度 （transmission stublength）。減少傳輸短截線長(zhǎng)度和數(shù)量能提高信號(hào)完整性。圖 3 給出了用 3 個(gè) LRDIMM （3 DPC） 配置的內(nèi)存控制器通道 （MCH）。提高信號(hào)完整性可增加更多的信號(hào)裕度，因此在將數(shù)千個(gè)存儲(chǔ)器模塊放置在典型數(shù)據(jù)中心的數(shù)千臺(tái)服務(wù)器中時(shí)，能夠提高服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性。

　　圖 3