報導，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準備。因存儲器削價競爭結束后，三大廠認為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續來臺鎖定IC設計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創員工、并入聯發科的NOR Flash設計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統內存，也就是說我們個人電腦里的內存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統內存，也就是說我們個人電腦里的內存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動態隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動態隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調降調降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現。
2011-11-19 00:26:271152 
單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
。 DRAM是易失性存儲器，這意味著當存儲位放電的電容器時，DRAM將丟失其存儲器的內容。這花費的時間長度可能會有所不同，但是通常會在幾毫秒內放電。結果，DRAM需要刷新周期，該刷新周期讀取數據位，然后將
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
目錄【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結構：芯片參數與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結構芯片引腳解讀：【5】存儲器系統設計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應用就是應用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內部執行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應SRAM/DRAM映射到地址0，重新執行程序可達到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
，指定材料，設置電機運行方式及驅動電路，計算電機性能、確定初始尺寸，并在很短時間內執行數百個假設-條件分析。RMxprt 可以自動構建一個完整的Maxwell 3D或2D工程，QQ
2014-06-13 17:09:22
老師給舉了個例子，說是就像測試規定時間內電燈開關的次數。這個課題的題目是壽命實驗，用的NI采集卡，采集對象是電壓，雙通道給的要求就是：用戶給出一個時間，測量在此時間內雙通道的采集次數我的想法是，這個
2015-12-17 12:17:54
使用NI的 FPGA，開辟了一個1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數據，也就是每個地址刷新時間不到17微秒，一開始出現一個數據都寫不進去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
LVDT位移不發生變化時，AD698所產生的輸出電壓在短時間內不會發生變化，但時間一長就會有20mv~40mv的變化，電壓變大變小的情況都有。并且，在不接LVDT的情況下，把手指搭在AD698芯片上
2023-11-17 06:01:30
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態隨機存儲器，所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
操作采用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。3、容量和成本：NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產過程更為
2015-11-04 10:09:56
靜態隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優缺點？動態隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優缺點？
2021-12-24 07:04:20
DRAM控制器方向的時鐘及由控制器向DRAM方向的時鐘兩個系統，通過改變讀操作與寫操作時所利用的時鐘，實施時鐘相位偏移的處理對策，基本上采用了接近理想的處理方式。 圖的右上
2008-12-04 10:16:36
加大增加引腳，但是為了降低成本和功耗，所以還是要減少地址引腳數量。3. 大容量DRAM芯片一般采用多路尋址技術，這么做雖使DRAM芯片復雜，同時也使DRAM接口更加復雜，但是可以獲得
2010-07-15 11:40:15
分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會逐漸消失，一般信息保存時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息，必須每隔1～2ms對其刷新一次。因此，采用 DRAM的計算機必須配置動態刷新電路，防止信息丟失。DRAM一般用作計算機中的主存儲器。
2011-11-28 10:23:57
三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
Type-C是近幾年大規模普及的充電接口，目前所發布的手機基本上都是該接口，而原來的Micro USB接口也逐漸減少使用，那為什么Type-C接口能在短時間內迅速取代Micro USB接口呢？筆者
2021-09-14 07:34:39
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個就叫動態刷新，所以稱其為動態隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37
控制單元。RCU單元可以自動產生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經適當編程后，RCU將向將處理器的BIU（總線接口）單元產生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元執行刷新周期時，被編程的存儲器范圍片選有效。
2019-11-07 06:01:59
（較新的加速度計）的數據表中讀到，“為了確保擁有與所選 ODR 同步的第一個 DRDY 上升沿（避免圖 2 中的情況：“DRDY 信號同步”）在啟用 ODR 之前將 I1_ ZYXDA 位設置為“1”。沒有運氣。你能給我一個建議，如何在開機后的最短時間內從 LIS2DH 讀取有效數據嗎？先感謝您！
2023-01-04 08:48:17
本文探討了幾個設計考量和方法用以緩解GDDR6 DRAM實施所帶來的挑戰。特別指出了在整個接口通道保持信號完整性的重要性。必須特別重視GDDR6存儲器接口設計的每個階段，才能夠成功解決信號完整性
2021-01-01 06:29:34
哈弗結構是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
系統需要大容量存儲器的情況下，這種方式將使成本猛增。如果采用DRAM存儲器，則可以大幅度降低系統設計成本；但DRAM有復雜的時序要求，給系統設計帶來了很大的困難。為了方便地使用DRAM，降低系統成本
2011-02-24 09:33:15
隨著移動電話向著具有豐富媒體功能的無線平臺發展，對功率預算的控制是開發的重點。降低存儲器的功耗可以顯著延長移動電話的電池壽命。為了降低存儲器的功耗，業界使用了兩種不同的基于DRAM的存儲器架構：本地
2009-10-08 15:53:49
?過去存儲器與晶圓代工業大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內部的數據就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
4Gb到100Gb的密度.談及循環及數據保留間的強相關性，使用N削D來獲得高寫入性能的系統經常面對一個困難即在長時間的休止狀態下如何保證足夠的數據保留。變相存儲器：新的儲存器創建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
地址有效算起，到有效數據輸出的時間；圖1.4 (b)中t1 是從地址和使能信號穩定到寫信號有效所需的最小時間，t2 是寫信號無效之前必須保持的最小時間，t3是寫信號無效之后地址信號仍需保持的最小時間。t1、t2、t3 相加就是一個寫周期時間。圖1.4 存儲器的讀寫時序原作者：英尚微電子
2022-11-17 16:58:07
基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言
當代計算機系統越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很
2010-01-07 10:00:451224 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機存貯器)是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態隨機存儲器"。。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，
2010-03-24 16:17:211587 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發出全球最薄的動態隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:46
10 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術發展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
許多高性能儀器使用動態隨機存取存儲器(DRAM)作為本地存儲器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊， 您便可自由地將此類本地存儲納入
2017-11-17 17:28:15996 
紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲器市況呈現兩樣情，DRAM持續穩健發展，價格平穩或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 動態存儲器的一個顯著特點就是存儲的數據具有易失性，必須在規定時間內對其刷新。在本系統中采用8031的定時器1定時中斷實現對 DRAM 的刷新。其定時中斷刷新的程序如下： 刷新時，先將Tl
2018-03-17 11:30:002948 
劉愛力表示，中國電信雖然大部分業務均在內地，但如果不是能與用戶分享公司的發展，再加上要考慮公司未來股價走勢等諸多問題，故而公司短時間內未有回A 股上市的決定。
但中電信是有計劃將旗下子公司如翼支付或一些資管公司分拆上市，只是還沒有決定在A股或者赴港上市。劉愛力表示，翼支付剛完成了新一輪融資。
2018-05-29 09:51:00862 存儲器市場爆發，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達到60%，首次超越邏輯電路，成為半導體第一大產品。DRAM繼續保持半導體存儲器領域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 “2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下，以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內掀起漲價潮。
2018-07-26 17:47:13530 RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間
2018-09-21 22:27:01229 
RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間
2018-09-22 00:06:011049 
，并成功實現無束縛飛行。就外觀而言，該飛行器有兩大特色：一對額外的翅膀（四翼）和頂部的太陽能電池。它可以在短時間內不受束縛地飛行。
2019-07-07 10:38:263756 雖然深圳的企業運營成本在不斷上漲，但是深圳的優勢在于制造業產業鏈非常的齊全，這不是其他城市短時間內能夠趕上的。
2019-07-29 15:17:323555 任何關于電源完整性的討論都包括對目標阻抗和平坦阻抗要求的概念的大量強調。但我們如何設計專門用于平坦阻抗的穩壓器模塊(VRM)?本文不僅將討論該特定問題，還將解決如何在5秒或更短時間內完成該問題。
2019-08-12 10:34:552095 
業內研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 DRAM模塊是大多電子設備均存在的模塊之一，大家對于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結構是什么樣的呢？DRAM的工作原理是什么呢？如果你對DRAM具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942485 
DRAM是目前常見的存儲之一，但DRAM并非唯一存儲器件，NAND也是存儲設備。那么DRAM和NAND之間有什么區別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優勢在于結構簡單，每一個bit的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
12月25日消息 根據網易暴雪游戲客服團隊的消息，暴雪游戲平臺近期受到了持續 DDOS 攻擊，官方稱無法斷言能在短時間內完全解決該問題。 暴雪表示，近期受到的一系列大型惡意“分布式拒絕服務（DDOS
2020-12-25 15:14:171666 終止科創板上市”，這意味著，聯想的科創板IPO之路，只走了短短一個工作日。 為何聯想會選擇在這么短時間內提交就撤回申請？這個問題在當時眾說紛紜，有人猜測聯想達不到科創板上市標準，有人猜測是因為聯想負債率過高，也有機構報告
2021-11-08 14:38:301249 如何在短時間內解決電廠鍋爐風機軸修復問題？
2022-05-25 16:10:500 華強北眾生相2021年，受到國內外疫情的影響，加上2020年被壓抑的需求得到釋放，導致消費電子銷量大幅上漲，繼而使芯片需求在短時間內暴漲，而本地芯片供應也很難跟上，大多只能向海外求購，但疫情導致物流受阻，芯片供應減少，市場中開始掀起炒作的浪潮，很多人的夢從這一刻開始。
2022-08-22 09:32:312395 如果你的Linux服務器突然負載暴增，告警短信快發爆你的手機，如何在最短時間內找出Linux性能問題所在？來看Netflix性能工程團隊的這篇博文，看它們通過十條命令在一分鐘內對機器性能問題進行診斷。
2022-12-28 09:21:36138 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數據，電容需要持續地充電來保持數據的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數據丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數據的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創新技術具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領未來內存技術的發展。
2024-01-12 14:42:03282 在電力系統中，電容器是一種重要的電氣設備，常用于提高功率因數、改善電網穩定性等方面。然而，電容器作為一種電壓敏感的元件，對于電壓波動非常敏感，特別是在短時間內的過電壓情況下，可能引發嚴重的問題。為什么電力電容器不允許短時間內過電壓運行？
2024-02-26 14:30:26120
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