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電子發燒友網>EDA/IC設計>Cadence和臺積電加強合作,共同為16納米FinFET工藝技術開發設計架構

Cadence和臺積電加強合作,共同為16納米FinFET工藝技術開發設計架構

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4巨頭強強聯手合作開發7納米工藝CCIX測試芯片

賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布一項合作,將共同構建首款基于臺積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性(CCIX)的加速器測試芯片,并計劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003

淺析TSMC和FinFET工藝技術的Mentor解決方案

Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統也通過了認證,可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術
2017-10-11 11:13:422372

什么是FinFETFinFET的工作原理是什么?

在2011年初,英特爾公司推出了商業化的FinFET,使用在其22納米節點的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524

楷登電子公布與臺灣積體電路公司全新 12FFC 緊湊型工藝技術開發合作內容

楷登電子(美國 Cadence 公司)今日正式公布其與臺灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)全新12nm FinFET緊湊型(12FFC)工藝技術開發合作內容。憑借Cadence 數字
2018-05-08 11:07:001422

Synopsys設計平臺獲得TSMC工藝認證_7-nm FinFET Plus工藝技術

Synopsys設計平臺用于高性能、高密度芯片設計 重點: Synopsys設計平臺獲得TSMC工藝認證,支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術,已成功用于客戶的多個設計項目。 針對
2018-05-17 06:59:004461

中芯國際再獲技術重大突破

中芯國際14納米FinFET技術獲得重大進展 8月9日,中芯國際公布了在14納米FinFET技術開發上獲得的重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術開發也已完成。28納米HKC持續上量,良率達到業界水平。
2018-08-18 10:31:003773

中芯國際發布2018年第4季財報并表示12納米技術開發也開始有所突破

外,在技術研發方面,中芯國際表示,第一代 FinFET 14 納米技術進入客戶驗證階段,產品可靠度與良率已進一步提升。同時,12 納米技術開發也開始有所突破。
2019-02-18 17:03:103076

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術開發

4月16日,三星官網發布新聞稿,宣布已經完成5納米FinFET工藝技術開發,現已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

通過芯片工藝架構為所有產品組合實現高功率效率

UltraScale+ 器件系列以低功耗半導體工藝(TSMC 16 納米FinFET+)為基礎,與 7 系列 FPGA 及 SoC 相比,能將整體器件級電源節省達 60%。架構改進。
2019-08-01 15:46:331252

三星宣布其基于柵極環繞型晶體管架構的3nm工藝技術已經正式流片

目前從全球范圍來說,也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間,據外媒報道,三星宣布其基于柵極環繞型 (Gate-all-around,GAA) 晶體管架構的3nm工藝技術已經
2021-07-02 11:21:542254

楷登電子數字和模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術認證

Cadence 和 TSMC 聯手進行 N3 和 N4 工藝技術合作, 加速賦能移動、人工智能和超大規模計算創新 雙方共同客戶現可廣泛使用已經認證的 N3 和 N4 流程 PDK 進行設計 完整
2021-10-26 15:10:581928

Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N4工藝技術和FINFLEX?架構認證

工藝技術的FINFLEX架構認證 此外,該認證也可擴展到臺積電N4工藝技術 Ansys宣布Ansys電源完整性解決方案榮獲臺積電FINFLEX創新架構以及N4工藝技術認證,持續深化與臺積電的長期技術合作
2022-11-17 15:31:57696

Cadence成功流片基于臺積電N3E工藝16G UCIe先進封裝 IP

來源:Cadence楷登 2023年4月26日,楷登電子近日宣布基于臺積電 3nm(N3E)工藝技術Cadence? 16G UCIe? 2.5D 先進封裝 IP 成功流片。該 IP 采用
2023-04-27 16:35:40453

Cadence定制設計遷移流程加快臺積電N3E和N2工藝技術的采用速度

,包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術。這一新的生成式設計遷移流程由 Cadence 和臺積電共同開發,旨在實現定制和模擬 IC 設計在臺積電工藝技術之間的自動遷移。與人工遷移相比,已使用該流程的客戶成功地將遷移時間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801

行業首創!恩智浦攜手臺積電,推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺積電聯合開發采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM,汽車廠商可以更高效地推出新功能,加速OTA升級,消除量產瓶頸 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術
2023-05-26 20:15:02396

Cadence 數字、定制/模擬設計流程通過認證,Design IP 現已支持 Intel 16 FinFET 制程

流程現已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術認證,其 Design IP 現可支持 Intel Foundry Services(IFS)的此工藝節點。 與此同時,Cadence 和 Intel 共同發布
2023-07-14 12:50:02381

Cadence數字和定制/模擬流程通過Intel 18A工藝技術認證

Cadence近日宣布,其數字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術上成功通過認證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設計IP將全面支持Intel的代工廠在這一關鍵節點上的工作,并提
2024-02-27 14:02:18160

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