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中華人民共和國(guó)電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
SJ/T 11365—2006
電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的檢測(cè)方法
Testing methods for hazardous substances in electronic information products
2006-11-06發(fā)布 2006-11-06實(shí)施
中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部 發(fā)布
SJ ICS 31.020
L10
備案號(hào)：
SJ/T 11365—2006
I
目 次
前言..................................................................................III
引IV
1 范圍................................................................................................ 1
2 規(guī)范性引用文件...................................................................................... 1
3 術(shù)語(yǔ)和定義.......................................................................................... 1
3.12 .................................................................................................. 2
4 檢測(cè)方法概述........................................................................................ 4
4.1 檢測(cè)方法的內(nèi)容.................................................................................... 4
4.2 檢測(cè)方法流程...................................................................................... 5
4.3 篩選檢測(cè)方法...................................................................................... 5
4.4 精確測(cè)試方法...................................................................................... 6
5 用X 射線熒光光譜儀對(duì)電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)進(jìn)行篩選的測(cè)試方法............ 6
5.1 范圍.............................................................................................. 6
5.2 方法概要.......................................................................................... 7
5.3 儀器設(shè)備.......................................................................................... 7
5.4 試劑.............................................................................................. 7
5.5 樣品制備.......................................................................................... 7
5.6 測(cè)試步驟.......................................................................................... 8
6 電子信息產(chǎn)品中多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）的測(cè)試方法...................................... 10
6.1 范圍............................................................................................. 10
6.2 方法概要......................................................................................... 10
6.3 儀器設(shè)備......................................................................................... 10
6.4 試劑............................................................................................. 11
6.5 樣品制備......................................................................................... 11
6.6 測(cè)試步驟......................................................................................... 11
7 電子信息產(chǎn)品中鉛（Pb）、鎘（Cd）以及汞（Hg）的測(cè)試方法............................................. 13
7.1 電子信息產(chǎn)品中鉛（Pb）、鎘（Cd）的測(cè)試方法........................................................ 13
7.1.1 范圍............................................................................................ 13
7.1.2 方法概要........................................................................................ 13
7.1.3 儀器設(shè)備........................................................................................ 14
7.1.4 試劑............................................................................................ 14
7.1.5 樣品制備........................................................................................ 15
7.1.6 測(cè)試步驟........................................................................................ 18
7.2 電子信息產(chǎn)品中汞（Hg）的測(cè)試方法................................................................. 22
7.2.1 范圍............................................................................................ 22
7.2.2 方法摘要........................................................................................ 22
7.2.3 儀器設(shè)備........................................................................................ 22
7.2.4 試劑............................................................................................ 23
7.2.5 樣品制備........................................................................................ 23
7.2.6 測(cè)試步驟....................................................................................... 25
8 比色法測(cè)試電子信息產(chǎn)品中的六價(jià)鉻................................................................... 28
8.1 六價(jià)鉻定性測(cè)試................................................................................... 28
SJ/T 11365—2006
II
8.1.1 范圍............................................................................................ 28
8.1.2 方法概要........................................................................................ 28
8.1.3 儀器設(shè)備........................................................................................ 28
8.1.4 試劑............................................................................................ 28
8.1.5 樣品制備........................................................................................ 28
8.1.6 測(cè)試步驟........................................................................................ 29
8.2 比色法定量測(cè)試六價(jià)鉻............................................................................. 29
8.2.1 范圍............................................................................................ 29
8.2.2 方法概要........................................................................................ 29
8.2.3 儀器設(shè)備........................................................................................ 29
8.2.4 試劑............................................................................................ 29
8.2.5 樣品制備........................................................................................ 30
8.2.6 測(cè)試步驟........................................................................................ 32
附錄A（規(guī)范性附錄）有毒有害物質(zhì)檢測(cè)過(guò)程中的機(jī)械制樣方法.......................................... 35
A.1 電子信息產(chǎn)品的結(jié)構(gòu).............................................................................. 35
A.1.1 組成結(jié)構(gòu)...................................................................................... 35
A.1.2 連接方式分類.................................................................................. 35
A.1.3 有毒有害物質(zhì)存在的高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域和形態(tài)............................................................ 35
A.2 電子信息產(chǎn)品的拆分目標(biāo)與拆分原則................................................................ 35
A.2.1 拆分的目標(biāo).................................................................................... 35
A.2.2 拆分原則...................................................................................... 36
A.3 典型拆分示例.................................................................................... 36
A.3.1 電路板組件拆分示例............................................................................ 36
A.3.2 有引腳類集成電路拆分示例...................................................................... 37
A.3.3 陣列類集成電路拆分示例........................................................................ 37
A.3.4 印制電路板拆分示例............................................................................ 38
A.3.5 無(wú)引腳矩形片狀元件拆分示例.................................................................... 38
A.3.6 插裝分立元器件拆分示例........................................................................ 38
A.3.7 插裝電解電容器拆分示例........................................................................ 39
A.3.8 線纜拆分示例.................................................................................. 39
A.3.9 金屬鍍層類樣品................................................................................ 39
參考文獻(xiàn)............................................................................................. 40
SJ/T 11365—2006
III
前 言
本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC 111/54/CDV 《電子電器產(chǎn)品中六種限用物質(zhì)鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和
多溴二苯醚的檢測(cè)方法》[Procedures for the Determination of Levels of Six Regulated Substances
(Lead, Mercury, cadmium, Hexavalent Chromium, Polybrominated Biphenyls, Polybrominated
Diphenyl Ethers) in Electrotechnical Products]。
本標(biāo)準(zhǔn)附錄A 為規(guī)范性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由信息產(chǎn)業(yè)部電子信息產(chǎn)品污染防治標(biāo)準(zhǔn)工作組提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草單位：中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室/信息產(chǎn)業(yè)部電子第五研究所、SGS 通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有
限公司、上海天祥質(zhì)量技術(shù)有限公司、安捷倫科技有限公司、北京譜尼理化分析測(cè)試中心、深圳華測(cè)檢
測(cè)技術(shù)有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料檢測(cè)中心、華為技術(shù)有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王曉晗、羅道軍、謝成屏、薛建、高志祥、涂傳鴻、陳玉紅、郭冰、何秀坤、
楊榮祥、羅超云、宋薇。
本標(biāo)準(zhǔn)由信息產(chǎn)業(yè)部電子信息產(chǎn)品污染防治標(biāo)準(zhǔn)工作組負(fù)責(zé)解釋。
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IV
引 言
目前許多電子信息產(chǎn)品由于功能、性能或生產(chǎn)技術(shù)的需要，仍含有大量如鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘
（Cd）、六價(jià)鉻[Cr（Ⅵ）]、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）等有毒有害物質(zhì)或元素。這些含有
毒有害物質(zhì)或元素的電子信息產(chǎn)品在廢棄之后，如處置不當(dāng)，不僅會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染，也會(huì)造成資源的
浪費(fèi)。因此，為了達(dá)到節(jié)約資源、保護(hù)環(huán)境的目的，以有毒有害物質(zhì)或元素的減量化、替代為主要任務(wù)
的電子信息產(chǎn)品污染控制工作已經(jīng)提到政府主管部門的議事日程。為此，信息產(chǎn)業(yè)部等七部委以“從源
頭抓起，立法先行”的思路和原則，制定了《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》（信息產(chǎn)業(yè)部39 號(hào)部長(zhǎng)
令，簡(jiǎn)稱《管理辦法》），以立法的形式，推動(dòng)電子信息產(chǎn)品污染控制工作，旨在從電子信息產(chǎn)品的研發(fā)、
設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售、進(jìn)口等環(huán)節(jié)限制或禁止使用上述六種有毒有害物質(zhì)或元素。
為了進(jìn)一步落實(shí)《管理辦法》并達(dá)到限制有毒有害物質(zhì)或元素在電子信息產(chǎn)品中使用的目標(biāo)，必須
有配套使用的統(tǒng)一的檢測(cè)方法標(biāo)準(zhǔn)。因此，為了配合我國(guó)《管理辦法》的實(shí)施，同時(shí)也為我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)
界對(duì)六種有毒有害物質(zhì)或元素鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、六價(jià)鉻[Cr（Ⅵ）]、多溴聯(lián)苯（PBB）和多
溴二苯醚（PBDE）的測(cè)試提供一個(gè)統(tǒng)一的檢測(cè)方法，特制定本標(biāo)準(zhǔn)。
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1
電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的檢測(cè)方法
1 范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子信息產(chǎn)品中含有的鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、六價(jià)鉻[Cr（Ⅵ）]、多溴聯(lián)苯
（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）六種限用的有毒有害物質(zhì)或元素的檢測(cè)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于《管理辦法》定義的電子信息產(chǎn)品。
2 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的
修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
SJ/T11363－2006 電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的限量要求
3 術(shù)語(yǔ)和定義
本標(biāo)準(zhǔn)采用下列術(shù)語(yǔ)和定義。
3.1
電子信息產(chǎn)品 electronic information products
EIP
采用電子信息技術(shù)制造的電子雷達(dá)產(chǎn)品、電子通信產(chǎn)品、廣播電視產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、家用電子產(chǎn)
品、電子測(cè)量?jī)x器產(chǎn)品、電子專用產(chǎn)品、電子元器件產(chǎn)品、電子應(yīng)用產(chǎn)品以及電子材料產(chǎn)品等產(chǎn)品及其
配件。
3.2
物質(zhì) substance
由自然界中存在的化學(xué)元素組成的單質(zhì)或化合物。
3.3
篩選 screening
初步量化被檢物中待測(cè)元素濃度的一種分析方法。
3.4
聚合物材料 polymeric materials
通過(guò)鑄模或壓延能被制成薄膜或各種形狀的合成或半合成有機(jī)高分子濃縮材料。
注：聚合物材料包括聚乙烯, 聚氯乙烯, 環(huán)氧樹脂, 聚酰胺, 聚碳酸酯，ABS 樹脂, 聚苯乙烯等。
SJ/T 11365—2006
2
3.5
金屬材料 metallic materials
金屬元素的單質(zhì)或混合物，包括所有鋼鐵、有色金屬或合金材料。
注：金屬材料有鐵合金,鎳合金, 錫合金, 鋁合金, 鎂合金, 銅合金, 鋅合金, 貴金屬合金等。
3.6
專用電子材料 special electronic materials
在電子信息產(chǎn)品中所使用的一些特殊材料，由金屬材料、有機(jī)材料、無(wú)機(jī)非金屬材料中兩種或三種
材料組成的混合物。
注：專用電子材料有線路板基材、導(dǎo)電膠、半導(dǎo)體功能材料等。
3.7
無(wú)機(jī)非金屬材料 inorganic nonmetallic materials
以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物以及硅酸鹽、鋁酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等物質(zhì)組成
的材料。是除有機(jī)高分子材料和金屬材料以外的所有材料的統(tǒng)稱。
注：無(wú)機(jī)非金屬材料有玻璃、陶瓷等材料。
3.8
基體 matrix
含有或附有被分析物的材料或物質(zhì)。
3.9
均勻材料 homogeneous materials
由一種或多種物質(zhì)組成的各部分均勻一致的材料。
3.10
檢測(cè)單元 test unit
可以直接提交進(jìn)行精確檢測(cè)的不需要進(jìn)一步機(jī)械拆分的樣品。
3.11
X射線熒光光譜法 X-Ray fluorescence spectrumetry
XRF
用一束X射線或低能光線照射待測(cè)試樣，使之發(fā)射特征X射線而對(duì)物質(zhì)成分進(jìn)行定性和定量分析的方
法。按激發(fā)、色散和探測(cè)方法的不同，分為波長(zhǎng)散射－X射線熒光光譜法和能量散射－X射線熒光光譜法。
3.12
波長(zhǎng)散射－X射線熒光光譜法 wavelength dispersive X-ray fluorescence spectrumetry
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3
WD-XRF
試樣中被測(cè)元素的原子受到高能輻射激發(fā)而引起內(nèi)層電子的躍遷，同時(shí)發(fā)射出具有一定特征波長(zhǎng)的
X射線，根據(jù)測(cè)得譜線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度來(lái)對(duì)被測(cè)元素進(jìn)行定性和定量分析。
3.13
能量散射－X射線熒光光譜法 energy dispersive X-ray fluorescence spectrumetry
ED-XRF
試樣中被測(cè)元素的原子受到高能輻射激發(fā)而引起內(nèi)層電子的躍遷，同時(shí)發(fā)射出具有一定能量的X 射
線，利用具有一定能量分辨率的X 射線探測(cè)器探測(cè)試樣中被測(cè)元素所發(fā)出的各種能量特征X 射線，根
據(jù)探測(cè)器輸出信號(hào)的能量大小和強(qiáng)度來(lái)對(duì)被測(cè)元素進(jìn)行定性和定量分析。
3.14
背景 background
疊加在分析線上的連續(xù)譜，主要來(lái)自試料對(duì)入射輻射的散射。
3.15
分析線 analyte lines
需要對(duì)其強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量并據(jù)此判定被分析元素含量的特征譜線。
3.16
檢出限 limit of detection
在一定置信水平下能檢出的最低含量。
3.17
干擾線 interference lines
與分析線重疊或部分重疊，從而影響對(duì)分析線強(qiáng)度進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的譜線。
3.18
基體效應(yīng) matrix effects
試料的化學(xué)組成和物理－化學(xué)狀態(tài)對(duì)分析線強(qiáng)度的影響，主要表現(xiàn)為吸收－增強(qiáng)效應(yīng)、顆粒度效應(yīng)、
表面光潔度效應(yīng)、化學(xué)狀態(tài)效應(yīng)等。
3.19
氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用法 gas chromatography - mass spectrometry
GC-MS
將氣相色譜儀與質(zhì)譜儀連接起來(lái)，利用氣相色譜高效的分離能力與質(zhì)譜的特征檢測(cè)來(lái)對(duì)有機(jī)化合物
進(jìn)行定性與定量分析的方法。
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4
3.20
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法 inductively coupled plasma atomic emission spectrometry
ICP-AES/OES
利用高頻等離子體使試樣原子化或者離子化，通過(guò)測(cè)量激發(fā)原子或離子的能量對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)來(lái)確定試
樣中存在的元素。
3.21
電感耦合等離子體質(zhì)譜法 inductively coupled plasma mass spectrometry
ICP-MS
通過(guò)高頻等離子體使試樣離子化的方法確定試樣所含的目標(biāo)元素。用質(zhì)譜儀測(cè)出產(chǎn)生的離子數(shù)量，
并由目標(biāo)元素的質(zhì)/荷比來(lái)分析目標(biāo)元素及其同位素。
3.22
原子吸收光譜法 atomic absorption spectrometry
AAS
用火焰或化學(xué)反應(yīng)等方式將欲分析試樣中待測(cè)元素轉(zhuǎn)變?yōu)樽杂稍樱ㄟ^(guò)測(cè)量蒸氣相中該元素的基
態(tài)原子對(duì)特征電磁輻射的吸收，以確定化學(xué)元素含量的方法。
3.23
冷蒸氣原子吸收光譜法 cold vapour generation atomic absorption spectrometry
CVAAS
將欲分析試樣中的汞離子，還原成自由原子，通過(guò)測(cè)量該蒸氣相中的基態(tài)原子對(duì)特征電磁輻射的吸
收，以確定汞元素含量的方法。
3.24
原子熒光光譜法 atomic fluorescence spectrometry
AFS
利用原子熒光譜線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度進(jìn)行物質(zhì)的定性與定量分析的方法。
4 檢測(cè)方法概述
4.1 檢測(cè)方法的內(nèi)容
各種有毒有害物質(zhì)或元素的檢測(cè)方法由如下6個(gè)部分組成：
——范圍；
——方法概要；
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5
——儀器設(shè)備；
——試劑；
——制樣方法；
——測(cè)試步驟。
4.2 檢測(cè)方法流程
標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)方法流程見(jiàn)圖1。其中，檢測(cè)單元為SJ/T××××－200×中規(guī)定的EIP-A/B/C。
圖1 檢測(cè)方法流程圖
4.3 篩選檢測(cè)方法
用能量散射X射線熒光光譜法（ED-XRF）或波長(zhǎng)散射X射線熒光光譜法（WD-XRF）對(duì)試樣中目標(biāo)
物進(jìn)行測(cè)試，可以是直接測(cè)量樣品（不破壞樣品），也可以是破壞樣品使其達(dá)到“均勻材料”（機(jī)械破壞
制樣）后測(cè)試。很多有代表性的均勻材料（如塑料，合金，玻璃等）樣品可以不破壞樣品直接進(jìn)行篩選，
而由多種材料組成的復(fù)雜樣品（如組裝印制電路板）則須進(jìn)行機(jī)械破壞性樣品制備。機(jī)械破壞性樣品制
備既適用于篩選也適用于精確檢測(cè)方法。機(jī)械破壞性制樣的程序步驟見(jiàn)附錄A。
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6
注意：第5章詳細(xì)介紹的用XRF光譜法進(jìn)行篩選的方法盡管是一種快速且節(jié)省資源的分析手段，但
這種分析技術(shù)在獲得結(jié)果的適用性和應(yīng)用方面存在一定的局限性。
篩選分析可以把樣品分成三個(gè)基本類別：
—— 合格（P）：試樣中目標(biāo)物的濃度低于允許值。
—— 不合格（F）：試樣中目標(biāo)物的濃度高于允許值。
—— 不確定（X）：試樣中目標(biāo)物的濃度在允許值附近，因?yàn)闆](méi)有肯定的合格與否的結(jié)果而需要
進(jìn)一步檢測(cè)。
通過(guò)篩選后，合格的樣品即是符合要求；不合格的樣品則不符合要求；而對(duì)于無(wú)定論的樣品則需用
4.4 規(guī)定的精確測(cè)試程序來(lái)驗(yàn)證該樣品是否符合要求。
4.4 精確測(cè)試方法
精確測(cè)試方法是運(yùn)用多種分析方法來(lái)分析有機(jī)材料、金屬材料、無(wú)機(jī)非金屬材料以及專用電子材料
中受限物質(zhì)的濃度。表1是精確測(cè)試方法的簡(jiǎn)單概要，詳細(xì)內(nèi)容分別見(jiàn)第6章到第8章。
表1 精確測(cè)試方法簡(jiǎn)單概要
步驟 物質(zhì) 金屬材料 聚合物材料 無(wú)機(jī)非金
屬材料
專用電子材料
機(jī)械制樣 - 破碎 破碎 破碎 破碎
化學(xué)制樣 -
微波消解
酸消解
微波消解
酸消解
灰化
溶劑提取
微波消解
酸消解
溶劑提取
微波消解
酸消解
溶劑提取
PBB/PBDE 無(wú)
氣相色譜-質(zhì)譜
法（見(jiàn)第6 章）
無(wú)
氣相色譜-質(zhì)譜
法（見(jiàn)第6 章）
Pb/Cd
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法、電感耦合等離子體質(zhì)譜法、
原子吸收光譜法（見(jiàn)7.1）
Hg
電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法、電感耦合等離子體質(zhì)譜法、
冷蒸汽原子吸收光譜法、原子熒光光譜法（見(jiàn)7.2）
分析方法
Cr(VI)
鍍層顯色法(見(jiàn)
8.1) 堿消解-
比色法（見(jiàn)8.2）
堿消解-比色
法（見(jiàn)8.2）
堿消解-比色
法（見(jiàn)8.2）
堿消解-比
色法（見(jiàn)
8.2）
5 用X 射線熒光光譜儀對(duì)電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)進(jìn)行篩選的測(cè)試方法
5.1 范圍
本章規(guī)定了用X射線熒光光譜儀對(duì)電子信息產(chǎn)品中含有的鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、鉻（Cr）
以及溴（Br）的篩選測(cè)試方法。
SJ/T11365 —2006
7
本測(cè)試方法適用于電子信息產(chǎn)品按附錄A機(jī)械制樣后的各種部件和材料中鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘
（Cd）、鉻（Cr）以及溴（Br）的測(cè)試。
5.2 方法概要
用適當(dāng)方法制備好不同材料的樣品放入X射線熒光儀樣品室內(nèi)，按所選定的測(cè)試模式對(duì)試樣進(jìn)行X射
線分析。根據(jù)不同樣品不同元素的篩選限值判斷試樣中鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、鉻（Cr）和溴
（Br）的含量是否合格以及是否需要進(jìn)行精確測(cè)試。
5.3 儀器設(shè)備
5.3.1 X射線熒光儀（波長(zhǎng)散射－X射線熒光儀WD-XRF或能量散射－X射線熒光儀ED-XRF）:主要由激發(fā)
源、探測(cè)器、樣品室以及數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)組成。
5.3.2 附屬設(shè)備：常用的附屬設(shè)備有自動(dòng)進(jìn)樣裝置、試料切割機(jī)、研磨機(jī)、粉碎機(jī)、混勻機(jī)、壓樣機(jī)、
熔融機(jī)等，需要時(shí)性能應(yīng)滿足使用要求。
5.3.3 參數(shù)選擇：
元素 首選分析線 次分析線 有機(jī)樣品分析線金屬類分析線
鉛 Lβ Lα Lα Lβ
鎘 Kα － Kα Kα
汞 Lα － Lα Lα
鉻 Kα － Kα Kα
溴 Kα Kβ Kα Kα
5.4 試劑
5.4.1 硼酸（HBO3）：分析純， 105℃烘1h，置于干燥器內(nèi)儲(chǔ)存；
5.4.2 含鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、鉻（Cr）以及溴（Br）五種元素的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)樣品。
5.4.3 方法中所用到的其他試劑和材料都必須不含待分析的鉛、鎘、汞、鉻、溴等元素或化合物，制
樣過(guò)程中也不能受到這些元素或化合物的污染。
5.5 樣品制備
5.5.1 塊狀勻質(zhì)樣品
對(duì)各種塊、板或鑄件等不定形試樣，可用切割機(jī)、研磨機(jī)等加工成適合測(cè)試的一定尺寸的樣品。樣
品的照射面應(yīng)能代表樣品整體。
5.5.2 膜狀材料
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用薄膜材料制備膜狀樣品時(shí)要特別注意薄膜厚度的一致性及組成的均勻性。測(cè)量時(shí)為使薄膜平整鋪
開，可加內(nèi)襯材料作為支撐物，盡量選用背景低的內(nèi)襯材料。
5.5.3 電子專用材料
對(duì)電子專用材料通常為非均勻材料，可用切割機(jī)將樣品切割破碎，然后用研磨機(jī)將破碎后的樣品研
磨成粒徑不超過(guò)1mm的粉末狀樣品，混合均勻后用硼酸襯底壓片制樣，厚度不低于1mm。
5.5.4 液體樣品
測(cè)試液體樣品時(shí)要定量分取試液裝入液杯。測(cè)試過(guò)程中要注意避免試液揮發(fā)、泄漏、產(chǎn)生氣泡或沉
淀等現(xiàn)象。也可取液體樣品滴加到適當(dāng)?shù)妮d體（如濾紙）上干燥后測(cè)量。
5.5.5 樣品污染防止
受到污染的樣品將造成分析誤差。X射線熒光分析中要特別注意防止樣品表面的污染，制樣過(guò)程中
應(yīng)注意的污染有以下幾個(gè)方面：
a) 來(lái)自粉碎機(jī)、研磨機(jī)材質(zhì)的污染；
b) 在溶解、熔融過(guò)程中來(lái)自容器的污染；
c) 實(shí)驗(yàn)室工作環(huán)境的污染；
d) 試劑的污染；
e) 用手觸及試料表面時(shí)造成的污染；
f) 內(nèi)襯材料的污染；
g) 粉末試料加壓成型時(shí)造成的污染。
5.6 測(cè)試步驟
5.6.1 儀器的準(zhǔn)備
按儀器廠家提供的說(shuō)明書使用儀器，應(yīng)該連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)以保持最佳的穩(wěn)定性。
5.6.2 繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線
將含有鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、鉻（Cr）以及溴（Br）五種元素不同濃度的一組（不少于
3個(gè)不同濃度）標(biāo)準(zhǔn)樣品放入樣品室，在儀器廠家推薦的時(shí)間內(nèi)對(duì)該組標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試，每個(gè)濃度的標(biāo)準(zhǔn)
樣品至少進(jìn)行4次測(cè)試，然后計(jì)算結(jié)果的平均值，最后根據(jù)各元素的譜線強(qiáng)度和濃度繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線。若
配有計(jì)算機(jī)的分析儀，可自動(dòng)繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線。
5.6.3 校驗(yàn)
在每次分析試樣前，應(yīng)用含有鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、鉻（Cr）以及溴（Br）五種元素的
標(biāo)準(zhǔn)試樣校驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)曲線的有效性。
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5.6.4 樣品測(cè)試
將制備好的試樣放入樣品室內(nèi)，按所選定的測(cè)試模式對(duì)試樣進(jìn)行X射線分析，每個(gè)試樣應(yīng)至少進(jìn)行2
次測(cè)試，然后計(jì)算結(jié)果的平均值。
5.6.5 結(jié)果分析
5.6.5.1 結(jié)果計(jì)算
將試樣測(cè)得的各元素的譜線強(qiáng)度，按所選定的測(cè)試模式計(jì)算出試樣中各元素的濃度。
5.6.5.2 元素的篩選
根據(jù)表2中不同樣品不同元素的篩選限值，用X射線熒光分析對(duì)電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的篩
選測(cè)試結(jié)果有三種情況：
合格（P）——如果所有元素的分析結(jié)果都低于設(shè)定的最低限，則結(jié)果為合格。
不合格（F）——如果所測(cè)元素中某個(gè)元素的測(cè)試結(jié)果高于設(shè)定的最高限值，則結(jié)果為不合格。
不確定（X）——如果所測(cè)元素的測(cè)試結(jié)果在設(shè)定的最低限值和最高限值之間，則結(jié)果為不確定，
需要進(jìn)行精確測(cè)試。
表2 電子信息產(chǎn)品中不同樣品不同元素的篩選限值 單位為質(zhì)量分?jǐn)?shù)(mg/kg)
元素 聚合物材料 金屬材料 無(wú)機(jī)非金屬材料 專用電子材料
鎘 P≤70-3σ130+3σ≤F
P≤70-3σ130+3σ≤F
P≤70-3σ130+3σ≤F
X<150+3σ≤F
鉛 P≤700-3σ1300+3σ≤F
P≤700-3σ1300+3σ≤F
P≤700-3σ1300+3σ≤F
P≤500-3σ<1500+3σ≤F
汞 P≤700-3σ1300+3σ≤F
P≤700-3σ1300+3σ≤F
P≤700-3σ1300+3σ≤F
P≤500-3σ1500+3σ≤F
溴 P≤300-3σ鉻 P≤700-3σσ—測(cè)試結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
5.6.6 適用性
盡管X射線熒光光譜儀是一種快速無(wú)損便宜的分析儀器，由于XRF存在一些局限性，使用時(shí)應(yīng)當(dāng)充分
考慮到限制條件以及結(jié)果的適用性。需要特別注意的是對(duì)于鉻和溴元素的檢測(cè)結(jié)果若為F，并不能證明
樣品中含有有害的“六價(jià)鉻”和“多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚”，但相反，如果檢測(cè)結(jié)果為P，則可以說(shuō)明
不含有“六價(jià)鉻”和“多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚”。對(duì)于含有異相材料的樣品，如塑料表面的油漆樣品，
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對(duì)于表面油漆樣品的X射線熒光分析，既要考慮到膜厚對(duì)靈敏度的影響，也要考慮到X射線可能會(huì)擊穿薄
層樣品到達(dá)基材，造成對(duì)結(jié)果的偏差。此外，還需考慮設(shè)備對(duì)最小檢測(cè)面積的要求以及被測(cè)樣品表面的
平整度可能帶來(lái)的干擾；來(lái)自樣品基體背景的干擾也不能忽視。
5.6.7 測(cè)試結(jié)果報(bào)告
取兩次測(cè)試結(jié)果的算術(shù)平均值報(bào)告結(jié)果，單位為質(zhì)量分?jǐn)?shù)（mg/kg）。
6 電子信息產(chǎn)品中多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）的測(cè)試方法
6.1 范圍
本測(cè)試方法適用于在電子信息產(chǎn)品中所使用的聚合物材料和電子專用材料中多溴聯(lián)苯（PBB）和多
溴二苯醚（PBDE）的測(cè)試,測(cè)試濃度范圍為（100～20000）mg/kg。如果采取適當(dāng)?shù)臐饪s和凈化步驟，
本方法可測(cè)試更低濃度的樣品。
6.2 方法概要
本方法采用索氏提取法從聚合物材料和電子專用材料中提取多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚，通過(guò)適當(dāng)?shù)南?br>釋后，使用氣相色譜-質(zhì)譜法(GC-MS)選擇離子監(jiān)測(cè)模式（SIM）來(lái)測(cè)試提取液中多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚，
然后計(jì)算出它們?cè)诰酆衔锊牧现械暮俊?br>6.3 儀器設(shè)備
6.3.1 設(shè)備
a) 實(shí)驗(yàn)用通風(fēng)櫥；
b) 電子分析天平，精確到0.1mg；
c) 玻璃器皿；
d) 帶冷凝器的索氏提取裝置；
e) 用來(lái)加熱索氏提取裝置中用的燒瓶的加熱裝置；
f) 粉碎裝置：包括切割機(jī)或剪刀、研磨機(jī)、冷凍粉碎設(shè)施等裝置，主要用于樣品的粉碎；
g) 加熱爐 (可加熱到400℃以上)；
h) 烘箱（可持續(xù)升溫至105℃～250℃）；
i) 18目標(biāo)準(zhǔn)篩(篩孔直徑1mm)。
6.3.2 儀器
a) 氣相色譜儀：帶有程序升溫控制系統(tǒng)；
b) 毛細(xì)管柱：（10～30）m（長(zhǎng)）×0.25mm（內(nèi)徑）×0.1μm（膜厚）的熔融石英毛細(xì)管柱（DB-5
或其他經(jīng)證明同樣適用的色譜柱）；
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c) 質(zhì)譜儀：能產(chǎn)生能量為70eV的電子用于電離被分析物，應(yīng)能掃描（50～1000）m/z的區(qū)域；
d) 數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：能采集、記錄、儲(chǔ)存以及處理MS數(shù)據(jù)。
6.4 試劑
a) 溶劑：丙酮、甲苯、環(huán)己烷、正己烷、甲醇、二氯甲烷、異辛烷、壬烷，分析純；
b) 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液：多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）同分異構(gòu)體的混合標(biāo)準(zhǔn)溶液；
c) 校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液：用標(biāo)準(zhǔn)貯備液至少需配制5種不同濃度的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液，其中最低濃度應(yīng)稍高于
本測(cè)試方法的檢測(cè)限；
d) 內(nèi)標(biāo)溶液：對(duì)于多溴二苯醚（PBDE）的分析，用13C12 標(biāo)記的BDEs或 4,4’-二溴八氟聯(lián)苯 (f) 或
十氘代菲（Phenathrene D10）或十氯聯(lián)苯作為內(nèi)標(biāo)物質(zhì)；對(duì)于多溴聯(lián)苯（PBB）的分析，可把
13C12 標(biāo)記的多溴聯(lián)苯（PBB）或 4,4’-二溴八氟聯(lián)苯 (f) 或十氘代菲（Phenathrene D10）或十
氯聯(lián)苯 作為內(nèi)標(biāo)物質(zhì)；
e) 液氮：工業(yè)級(jí)。
6.5 樣品制備
6.5.1 樣品的粉碎
按附錄A將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，用剪刀或切割機(jī)（或其他方式）將樣品制成小于
10mm×10mm×10mm小塊，液氮冷凍后用粉碎機(jī)（或采用其他等同效果的粉碎方法）將樣品粉碎成粒徑小
于1mm的顆粒（過(guò)18#標(biāo)準(zhǔn)篩），混合均勻。
6.5.2 樣品液的提取
稱取上述混勻的樣品0.1g～0.2g，精確到0.001g，放入纖維素套筒中，置于索氏提取裝置中，加入
50mL～200mL提取甲苯或其他溶劑[6.4 a)]，同時(shí)加入內(nèi)標(biāo)溶液[6.4 d)]，然后加入1～2粒沸石，安裝
好索氏提取裝置，加熱提取（4～24）h，每小時(shí)至少6個(gè)循環(huán)。待溶液冷卻后，定容到適當(dāng)體積的容量
瓶中。該溶液可以直接用于測(cè)試步驟。如果試樣中待測(cè)物的濃度超過(guò)校正曲線的范圍，適當(dāng)稀釋后再測(cè)
試。
6.6 測(cè)試步驟
6.6.1 氣相色譜分析條件
a) 進(jìn)樣口溫度：（250～320）℃；
b) 柱溫箱起始溫度及保持時(shí)間：100℃，保持（1～3）min；
c) 柱溫程序升溫條件：由（100～320）℃以（5～20）℃/min 程序升溫，最后恒溫5min；
d) 載氣：氦氣，流量：（1～2）mL/min；
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e) 氣相色譜－質(zhì)譜接口溫度：320℃；
f) 進(jìn)樣方式：（脈沖）不分流進(jìn)樣；
g) 進(jìn)樣量：（1～2）μL。
6.6.2 質(zhì)譜分析條件
a) 電離方式：EI；
b) 電子能量：70eV；
c) 離子源溫度：（250～300）℃；
d) 分辨率：大于800（最好大于1000）；
e) 分析模式：選擇離子監(jiān)測(cè)（SIM），監(jiān)測(cè)的離子分別見(jiàn)表3和表4。
6.6.3 樣品分析
a) 啟動(dòng)儀器，待儀器穩(wěn)定；
b) 根據(jù)儀器要求，用儀器校準(zhǔn)樣品對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)；
c) 建立標(biāo)準(zhǔn)曲線：依次將不同濃度的校準(zhǔn)溶液（6.4 c）注入氣相色譜-質(zhì)譜儀中，以校準(zhǔn)溶液濃
度為橫坐標(biāo)，以校準(zhǔn)樣的色譜峰面積為縱坐標(biāo)建立標(biāo)準(zhǔn)曲線；
d) 樣品測(cè)試：按建立標(biāo)準(zhǔn)曲線時(shí)注入的體積將樣品提取液注入氣相色譜-質(zhì)譜儀中，根據(jù)表3和表4
給定的離子峰來(lái)確定試樣中含有的PBB和PBDE。然后根據(jù)峰面積，從標(biāo)準(zhǔn)曲線上計(jì)算出相對(duì)應(yīng)的
PBB和PBDE的含量。如果不需要計(jì)入十溴二苯醚，則可在統(tǒng)計(jì)或計(jì)算時(shí)去除。
表3 多溴聯(lián)苯的分子量以及定性離子峰
序號(hào) 化學(xué)名稱 分子式 分子量 定量離子定性離子峰
1 一溴聯(lián)苯 C12H9Br 233.1 234.0 236.0 232.0 152.2
2 二溴聯(lián)苯 C12H8Br2 312.0 312.0 314.0 310.0 152.2
3 三溴聯(lián)苯 C12H7Br3 390.9 391.8 393.8 389.8 230.0
4 四溴聯(lián)苯 C12H6Br4 469.8 469.8 467.8 309.9 307.9
5 五溴聯(lián)苯 C12H5Br5 548.7 549.6 547.6 389.8 387.8
6 六溴聯(lián)苯 C12H4Br6 627.6 627.6 625.6 467.7 465.7
7 七溴聯(lián)苯 C12H3Br7 706.5 705.5 703.5 545.6 543.6
8 八溴聯(lián)苯 C12H2Br8 785.4 785.4 783.4 625.5 627.5
9 九溴聯(lián)苯 C12HBr9 864.3 703.4 863.2 705.4 703.4
10 十溴聯(lián)苯 C12Br10 943.2 781.3 943.2 783.3 781.3
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表4 多溴二苯醚的分子量以及定性離子峰
序號(hào) 化學(xué)名稱 分子式 分子量 定量離子定性離子峰
1 一溴二苯醚 C12H9BrO 249.1 250.0 252.0 248.0 141.0
2 二溴二苯醚 C12H8Br2O 328.0 328.0 330.0 325.9 168.0
3 三溴二苯醚 C12H7Br3O 406.9 405.8 403.8 246.0 123.0
4 四溴二苯醚 C12H6Br4O 485.8 485.7 483.7 325.9 162.9
5 五溴二苯醚 C12H5Br5O 564.7 564.6 562.6 403.8 201.9
6 六溴二苯醚 C12H4Br6O 643.6 483.7 643.5 483.7 241.9
7 七溴二苯醚 C12H3Br7O 722.5 561.6 721.5 561.6 563.6
8 八溴二苯醚 C12H2Br8O 801.4 641.5 801.4 641.5 320.8
9 九溴二苯醚 C12HBr9O 880.3 719.4 881.3 719.4 360.7
10 十溴二苯醚 C12Br10O 959.2 799.3 959.2 799.3 400.3
6.6.4 結(jié)果計(jì)算
試樣中多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）的結(jié)果計(jì)算按下式：
×106
× ×
=
i
i i
i m
C V d
X ??????????????????????????????(1)
式中：
Xi—試樣中多溴聯(lián)苯和多溴聯(lián)苯醚i的含量，單位為質(zhì)量分?jǐn)?shù)（mg/kg）；
Ci－樣品提取液中多溴聯(lián)苯和多溴聯(lián)苯醚i的含量，單位為毫克每升（mg/L）；
Vi－樣品提取液定容體積，單位為升（L）；
d －提取液的稀釋倍數(shù)；
mi－試樣量，單位為毫克（mg）。
6.6.5 精密度
在重復(fù)性條件下獲得的兩次獨(dú)立測(cè)試結(jié)果的絕對(duì)差值不得超過(guò)算術(shù)平均值的20％。
7 電子信息產(chǎn)品中鉛（Pb）、鎘（Cd）以及汞（Hg）的測(cè)試方法
7.1 電子信息產(chǎn)品中鉛（Pb）、鎘（Cd）的測(cè)試方法
7.1.1 范圍
本方法適用于電子信息產(chǎn)品中所使用的聚合物材料、金屬材料、電子專用材料以及無(wú)機(jī)非金屬材料
中鉛和鎘含量的測(cè)試。
7.1.2 方法概要
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稱取適量樣品，以微波消解、酸消解和灰化等方法處理后制成均勻液體。利用電感耦合等離子體原
子發(fā)射光譜法（ICP-AES/OES）、電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)或原子吸收光譜法（AAS）測(cè)試樣品
溶液中的鉛（Pb）和鎘（Cd）的濃度。
7.1.3 儀器設(shè)備
a) 原子吸收光譜儀（AAS）；
b) 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀（ICP-AES/OES）；
c) 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）；
d) 實(shí)驗(yàn)室用各種玻璃器皿；
e) 加熱裝置；
f) 馬弗爐；
g) 微波消解系統(tǒng),配有高壓消解罐；
h) 電子分析天平，精確到0.1mg；
i) 坩鍋，50mL或150mL；
j) 耐氫氟酸容器；
k) 本生噴燈或相似的煤氣噴燈。
7.1.4 試劑
除非另有說(shuō)明，在分析中僅使用認(rèn)可的優(yōu)級(jí)純以上試劑和18MΩ 去離子水或相當(dāng)純度的去離子
水。
a) 硝酸：ρ約1.4g/mL, 65%；
b) 鹽酸：ρ約1.16g/mL, 37%；
c) 過(guò)氧化氫：ρ約1.10g/mL，30％；
d) 硫酸：ρ約1.84g/mL，95％；
e) 氫氟酸：濃度大于40%；
f) 氫溴酸：ρ約1.48g/mL，47%～49%；
g) 高氯酸：ρ約1.67g/mL，70%；
h) 磷酸：ρ約1.69g/mL，大于85%；
i) 硼酸；
j) 混合酸1（3份鹽酸+1份硝酸）；
k) 混合酸2（3份鹽酸+1份過(guò)氧化氫）；
l) 混合酸3（1份硝酸+3份氫氟酸）；
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m) 混合酸4（2份氫氟酸+1份硝酸+2份水）；
n) 鉛標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；
o) 鎘標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；
p) 鈧標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；
q) 釔標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；
r) 銠標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL。
7.1.5 樣品制備
7.1.5.1 樣品的粉碎
按附錄A將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，將樣品制成小于10mm×10mm×10mm小塊。對(duì)金屬
材料和無(wú)機(jī)非金屬材料可直接進(jìn)行下一步工作，而對(duì)聚合物材料和電子專用材料，需繼續(xù)粉碎成粒徑小
于1mm的顆粒狀或粉末狀固體樣品，然后混合均勻備用。
7.1.5.2 金屬材料樣品的制備
7.1.5.2.1 酸消解法
稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)被檢元素的含量調(diào)整稱樣量）樣品于燒杯中,精確至0.0001g。根據(jù)金屬
材料基體的不同，加入適量7.1.4中指定的酸（或適當(dāng)比例的混合酸），加熱至試樣完全溶解。轉(zhuǎn)移至
50mL容量瓶，用水定容至刻度以備分析。
推薦采用鹽酸、硝酸或其混合酸溶液[7.1.4 l),m)]。當(dāng)試樣難以消解時(shí)，需采用氫氟酸、高氯酸
或硫酸等進(jìn)一步溶解。在用氫氟酸時(shí)，需使用PTFE/PFA燒杯和其他耐氫氟酸的裝置。
注意：在溶解過(guò)程中，可能會(huì)產(chǎn)生沉淀（硫酸鉛，硫酸鋇，氯化銀，三氧化二鋁或氫氧化鋁等）因
此需確定所選用的溶解方法不會(huì)造成目標(biāo)元素的損失。若殘留物中含有目標(biāo)分析物，需采用其他方法進(jìn)
行試樣溶解（如堿熔法或密封壓力容器法）。
a)一般合金方法
稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)被檢元素的含量調(diào)整稱樣量）樣品于燒杯中,精確至0.0001g。緩緩加
入10mL鹽酸與硝酸的混合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整），低溫加熱使之溶解完全。冷卻
至室溫，轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相
應(yīng)濃度的樣品溶液。
當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W） 時(shí)（該信息可
從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），需再加入1mL氫氟酸以保證試樣消解完全。
b)錫合金方法
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稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)被檢元素的含量調(diào)整稱樣量）樣品于燒杯中,精確至0.0001g。緩緩加
入10mL鹽酸與硝酸的混合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整），蓋上表面皿，待劇烈反應(yīng)后，
微熱至試樣完全溶解。稍冷，移去表皿，沿杯壁加入10mL硫酸，加熱蒸發(fā)至剛冒SO3白煙，冷卻。
沿杯壁加入20mL氫溴酸，充分混勻，加熱至剛冒SO3白煙。重復(fù)3次。冷卻至室溫，加入10mL硝酸
溶解鹽類。冷卻，轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，
稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
或者，稱取0.5g樣品，精確至0.0001g，加入10mL鹽酸與過(guò)氧化氫的混合酸2（可根據(jù)基體成份進(jìn)
行適當(dāng)調(diào)整）溶解試樣。
當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可
從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），需再加入1mL氫氟酸以保證試樣消解完全。
7.1.5.2.2 微波消解法
稱取0.10g樣品，精確至0.0001g, 置于消解罐中，加入5 mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸1（可
根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,
鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加1mL濃氫氟酸。
待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)樣品進(jìn)行微波消解，
直至樣品被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟
酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方
法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
7.1.5.3 無(wú)機(jī)非金屬樣品的制備
通常無(wú)機(jī)非金屬樣品中含有硅等非金屬元素，在樣品制備過(guò)程中需加入強(qiáng)腐蝕性的氫氟酸，應(yīng)采用
耐氫氟酸器皿。
稱取0.10g樣品，精確至0.0001g, 置于消解罐中。加入3mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸1和3mL
氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐放入微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波
消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用
耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的
分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
7.1.5.4 聚合材料樣品的制備
7.1.5.4.1 灰化法
a) 當(dāng)樣品中不含鹵素化合物時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得）：
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稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于坩堝中，精確至0.0001g。
坩堝置于耐熱絕熱板的孔中，緩慢加熱至焦化狀態(tài)，逐漸加溫直至揮發(fā)的消解產(chǎn)物被充分排出，
僅剩余最后只留下碳化物殘?jiān)③釄逡迫?450±25)℃的馬弗爐中，爐門輕微開啟以提供足夠
的空氣來(lái)氧化碳，直至剩余干凈的灰分。將坩堝及其里面的物質(zhì)從爐中取出，冷卻至室溫。加
入5mL硝酸，溶解，轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，
稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
b) 當(dāng)樣品中含有鹵素化合物時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得）：
稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于坩堝中，精確至0.0001g。
加入(10～15)mL的硫酸，將坩堝置于電熱板或砂浴上緩慢加熱，直到塑料熔化并變黑。再加入
5mL硝酸，繼續(xù)加熱至塑料完全降解并產(chǎn)生白煙。冷卻，將坩堝移入(450±25)℃的馬弗爐中，
試樣被蒸發(fā)、干燥和灰化，直至碳被完全燃燒。將坩堝及其里面的物質(zhì)從爐中取出，冷卻至室
溫。加入5mL硝酸，溶解，轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析
方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
7.1.5.4.2 酸消解法
本方法只適用于鎘的測(cè)試。
注意：因在使用硫酸時(shí)會(huì)生成硫酸鉛沉淀而導(dǎo)致鉛的損失，所以本方法不適用于鉛的測(cè)試。
a) 一般溶解方法
稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于燒瓶中，精確至0.0001g。
加入5mL硫酸和1mL硝酸，加熱燒瓶至試樣灰化并產(chǎn)生白煙。停止加熱，加入少量硝酸（約0.5mL），
繼續(xù)加熱至產(chǎn)生白煙。重復(fù)以上加熱過(guò)程，直至消解液變?yōu)闇\黃色。
冷卻10min后，分若干次加入過(guò)氧化氫，總量不超過(guò)10mL，再次加熱至產(chǎn)生白煙。冷卻，轉(zhuǎn)移至
50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶
液。
b）當(dāng)樣品消解不完全或樣品中含有二氧化硅、鈦等元素時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得）：
稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于燒瓶中，精確至0.0001g。
加入5mL硫酸和1mL硝酸，加熱燒瓶至試樣灰化并產(chǎn)生白煙。停止加熱，加入少量硝酸（約0.5mL），
繼續(xù)加熱至產(chǎn)生白煙。重復(fù)以上加熱過(guò)程，直至消解液變?yōu)闇\黃色。
冷卻10min后，分若干次加入過(guò)氧化氫，總量不超過(guò)10mL，再次加熱至產(chǎn)生白煙。冷卻，將溶液
移入氟碳樹脂罐中。加入5mL氫氟酸，并加熱直至產(chǎn)生白煙。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入
適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶
中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
7.1.5.4.3 微波消解法
稱取0.10g經(jīng)粉碎后的樣品，精確至0.0001g, 置于消解罐中，加入5mL硝酸、1mL過(guò)氧化氫。當(dāng)樣品
中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選
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試驗(yàn)中獲得），再加入1mL氫氟酸。將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)樣品進(jìn)行微
波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采
用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用
的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。
注意：過(guò)氧化氫可與易氧化材料發(fā)生快速而猛烈的反應(yīng)。當(dāng)樣品中可能含有大量易氧化有機(jī)成分時(shí)，
不宜添加過(guò)氧化氫。
7.1.5.5 電子專用材料樣品的制備
稱取0.10g經(jīng)粉碎后的樣品，精確到0.0001g，置于消解罐中，加入5mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混
合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,
鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間
后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)樣品進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。
將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼
酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的
樣品溶液。
7.1.6 測(cè)試步驟
7.1.6.1 空白溶液的制備
隨同7.1.5中樣品的制備一起全程制備空白溶液。
7.1.6.2 鉛和鎘校準(zhǔn)溶液的配制
因各種分析儀器存在不同程度的基體效應(yīng)問(wèn)題，在配制校準(zhǔn)溶液時(shí)應(yīng)根據(jù)待測(cè)材料的種類分別采用
外標(biāo)法（基體匹配）、內(nèi)標(biāo)法或標(biāo)準(zhǔn)加入法配制校準(zhǔn)溶液。
制備空白校準(zhǔn)溶液與至少三種濃度的校準(zhǔn)溶液。
當(dāng)采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，可在配制時(shí)向溶液中加入內(nèi)標(biāo)元素，或在測(cè)試過(guò)程中采用儀器在線加入內(nèi)標(biāo)。對(duì)
于ICP-AES/OES法，可選取鈧（Sc）或釔(Y)元素作內(nèi)標(biāo)；對(duì)于ICP-MS法，可選取銠(Rh)元素作內(nèi)標(biāo)。內(nèi)
標(biāo)元素的濃度與待測(cè)元素的濃度相當(dāng)。
7.1.6.3 鉛和鎘校準(zhǔn)曲線的繪制
a) ICP-AES/OES方法
按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中目標(biāo)元素的光譜發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)
元素的發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。
采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以待測(cè)元素的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比
為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
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分析時(shí)所選擇的譜線及可能存在的干擾：見(jiàn)表5。
表5 鉛（Pb）與鎘（Cd）的譜線及可能存在的干擾
譜線（nm）
Cd Cd Cd Cd Pb Pb Pb Pb
干擾元素
214.439 226.502 228.802 361.051 217.000 220.353 261.417 283.305
Ag + + + + + + + +
As + + + + + + + + + + +
Au + + + + + + + + + + +
B + + + + + + + + + + +
Ca + + + + + + + +
Co + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Cr + + + + + + + + +
Cu + + + + + + + + +
Eu + + + + + + + + + + + + + + +
Ga + + + + + + + +
Ge + + + + + + + +
In + + + + + + + +
Ir + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Mg + + + + + + + + +
Mn + + + + + + + + + + + + +
Mo + + + + + + + + + + + + + + +
Ni + + + + + + + + + + + + + +
Pd + + + + + + + + + +
Pt + + + + + + + + + + +
Re + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Ru + + + + + + + + + + + + +
Sb + + + + + + + + + +
Sc + + + + + + + + + + + + + + + +
Sn + + + + + + + + + +
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表5 鉛（Pb）與鎘（Cd）的譜線及可能存在的干擾（續(xù)）
譜線（nm）
Cd Cd Cd Cd Pb Pb Pb Pb
干擾元素
214.439 226.502 228.802 361.051 217.000 220.353 261.417 283.305
V + + + + + + + + + + + + + +
W + + + + + + + + + + + + + + + + +
Zn + + + + + + + + + +
Al + + + + + + + + + + + + +
Ti + + + + + + + + + + + +
Fe + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +
Nb + + + - - + - + + +
Hf - - - - - + - + + +
Ta - - - - - + - + +
Pb + + + + - - - -
Cd - - - - + + + +
+ 無(wú)干擾或干擾較小[1000×10-6（1000ppm）的基體所產(chǎn)生的干擾通常小于0.05×10-6（0.05ppm）]
+ + 干擾程度中等[1000×10-6 (1000ppm)的基體所產(chǎn)生的干擾約為0.05×10-6～0.2×10-6 （0.05ppm～
0.2ppm）]
+ + + 干擾較為嚴(yán)重[1000×10-6（1000ppm）的基體所產(chǎn)生的干擾高于0.2×10-6（0.2ppm）]
當(dāng)存在共存物質(zhì)干擾時(shí)，應(yīng)選取不會(huì)干擾測(cè)試的任一波長(zhǎng)，或采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄏ蓴_。
b) ICP-MS方法
按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中目標(biāo)元素同位素的計(jì)數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素同
位素的計(jì)數(shù)。
采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以待測(cè)元素的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比
為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
分析時(shí)所選擇的同位素及可能存在的干擾見(jiàn)表6。
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表6 鉛（Pb）與鎘(Cd)的同位素及可能存在的干擾
元素 同位素 潛在的同質(zhì)異位素干擾 潛在的分子離子干擾
111 － MoO, MoOH, ZrOH
112 Sn MoO, MoOH
113 In MoO, MoOH, ZrOH, RuO
Cd
114 Sn MoO, MoOH, RuO
204 － -
206 － PtO
207 － IrO
Pb
208 － PtO
當(dāng)存在共存物質(zhì)干擾時(shí)，應(yīng)選取不會(huì)干擾測(cè)試的任一同位素，或采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄏ蓴_。
c) AAS方法
按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中目標(biāo)元素的光譜吸收強(qiáng)度讀數(shù)。以校準(zhǔn)溶液的濃度
為橫坐標(biāo)，以吸收強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
分析線：鎘（Cd） 228.8nm；鉛（Pb） 217.0nm或283.3nm。
吸光度讀數(shù)范圍：為了減少光度測(cè)量的誤差，吸光度讀數(shù)一般選在0.1～0.6之間，必要時(shí)可調(diào)
節(jié)溶液的濃度或光程長(zhǎng)度或擴(kuò)展量程。
當(dāng)存在共存物質(zhì)干擾時(shí)，應(yīng)選取不會(huì)干擾測(cè)試的任一波長(zhǎng)，或采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄏ蓴_。
7.1.6.4 樣品分析
校準(zhǔn)曲線建立后，測(cè)試空白溶液、樣品溶液。依據(jù)每個(gè)試樣的信號(hào)讀數(shù)，由校準(zhǔn)曲線查得所對(duì)應(yīng)的
濃度。每個(gè)樣品應(yīng)平行分析兩次，且兩次結(jié)果的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差不應(yīng)該高于10％。同時(shí)在每一批樣品中至
少取一個(gè)樣品進(jìn)行加標(biāo)回收率的試驗(yàn)，回收率應(yīng)該在90％～110％之間。
對(duì)于AAS法而言，若樣品溶液的濃度高于校準(zhǔn)溶液的最高點(diǎn)，應(yīng)將樣品溶液進(jìn)一步稀釋，使其濃度
落于校準(zhǔn)溶液的濃度范圍內(nèi)。
將標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)或校準(zhǔn)溶液作為質(zhì)控樣品，每10個(gè)樣品測(cè)試一次,計(jì)算測(cè)量的準(zhǔn)確度。如若需要，應(yīng)重
新繪制校準(zhǔn)曲線。
7.1.6.5 結(jié)果計(jì)算
被測(cè)元素含量以質(zhì)量分?jǐn)?shù)WM計(jì)，數(shù)值以%表示，按下式計(jì)算：
( ) 10 6 100
1 2 ×
? × × ×
=
?
m
W C C V d M ????????????????????????（2）
式中：
C1—在校準(zhǔn)曲線上查得試液中被測(cè)元素濃度的數(shù)值，單位為微克/毫升（μg/mL）；
C2—在校準(zhǔn)曲線上查得試劑空白液中被測(cè)元素濃度的數(shù)值，單位為微克/毫升（μg/mL）；
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V—試液的體積，單位為毫升（mL）；
d－為樣品溶液的稀釋倍數(shù)；
m—試樣量，單位為克（g）。
取兩次測(cè)試結(jié)果的算術(shù)平均值，報(bào)告結(jié)果，以質(zhì)量分?jǐn)?shù)（mg/kg）表示。
7.1.6.6 精密度
在重復(fù)性條件下獲得的兩次獨(dú)立測(cè)試結(jié)果的絕對(duì)差值不得超過(guò)算術(shù)平均值的10％。
7.2 電子信息產(chǎn)品中汞（Hg）的測(cè)試方法
7.2.1 范圍
本方法適用于在電子信息產(chǎn)品中所使用的聚合物材料、金屬材料、電子專用材料以及無(wú)機(jī)非金屬材
料中汞含量測(cè)試。
7.2.2 方法摘要
稱取適量樣品，以微波消解、酸消解的方法處理后制成均勻樣品溶液。樣品溶液應(yīng)在4℃保存以減
少汞的揮發(fā)。為了長(zhǎng)期貯存汞溶液，建議采用5.0%硝酸+0.05%重鉻酸鉀的介質(zhì)。
利用冷原子吸收法（CVAAS）、原子熒光法（AFS）、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP－AES）、
電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)或原子吸收光譜法（AAS）測(cè)試樣品溶液中的汞濃度。采用CVAAS與AFS
時(shí)，在分析之前汞(Hg)被還原成原子狀態(tài)。
7.2.3 儀器設(shè)備
a) 冷蒸氣原子吸收光譜儀 （CVAAS）；
b) 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀（ICP-AES/OES）；
c) 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）；
d) 原子熒光光譜儀（AFS）
e) 加熱回流裝置：配有反應(yīng)瓶、回流冷凝裝置和吸收裝置；
f) 實(shí)驗(yàn)室用各種玻璃器皿；
g) 耐氫氟酸的容器；
h) 加熱裝置；
i) 微波消解系統(tǒng),配有高壓消解罐；
j) 電子分析天平，精確到0.1mg；
注意：因汞極易被污染，實(shí)驗(yàn)中的每一個(gè)步驟都應(yīng)極其小心。所有的取樣、儲(chǔ)存與操作裝置均應(yīng)無(wú)
汞(Hg)。所有的器皿在室溫下以50％的硝酸浸泡24h，再以18 MΩ去離子水徹底清洗。
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7.2.4 試劑
除非另有說(shuō)明，在分析中僅使用認(rèn)可的優(yōu)級(jí)純以上試劑和18MΩ 去離子水或相當(dāng)純度的去離子水。
a） 硝酸：ρ約1.40g/mL，65％；
b） 鹽酸：ρ約1.19g/mL，37％；
c） 過(guò)氧化氫：ρ約1.10g/mL，30％；
d） 氫氟酸：濃度大于40%；
e） 硫酸：ρ約1.84g/mL，95％；
f） 硼酸，分析純；
g） 汞標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；
h) 氯化鈉－鹽酸羥胺溶液：每100mL水溶解12g氯化鈉及12g鹽酸羥胺；
i) 高錳酸鉀：5%水溶液，每100mL水溶解5g高錳酸鉀；
j) 氫氧化鈉，分析純；
k) 硼氫化鈉；
l) 1％硼氫化鈉－氫氧化鈉0.05％溶液.：向1000mL的容量瓶中加入超純水，至接近刻度。再加0.5g
氫氧化鈉，溶解后，加10.0g硼氫化鈉，攪拌、溶解，以水定容至刻度，現(xiàn)配現(xiàn)用；
m) BCR－680，BCR－681：塑料包裝和包裝材料中的認(rèn)證參照材料；
7.2.5 樣品制備
7.2.5.1 樣品的粉碎
按附錄A將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，用剪刀或切割機(jī)（或其他方式）將樣品制成小于
10mm×10mm×10mm小塊。對(duì)金屬材料和無(wú)機(jī)非金屬材料可直接進(jìn)行下一步工作，而對(duì)聚合物材料和電子
專用材料，需繼續(xù)粉碎成粒徑小于1mm的顆粒狀或粉末狀固體樣品，然后混合均勻以備下一步工作。
7.2.5.2 金屬材料樣品的制備
7.2.5.2.1 酸消解法
a) 樣品制備的一般方法
稱取約1g樣品于潔凈反應(yīng)瓶中，精確至0.0001g，加30mL硝酸。反應(yīng)瓶裝有回流冷凝裝置及含有
10mL 0.5mol/L硝酸溶液的吸收裝置。在室溫下消解1h，升溫至90℃，恒溫消解2h。冷卻至室溫，
將吸收管內(nèi)的溶液合并于消解液中。轉(zhuǎn)移至250mL容量瓶，以5％的硝酸溶液定容至刻度制備成
樣品溶液。
b) 含有鋯（Zr）、鉿（Hf）、鈦（Ti）、銅（Cu）、銀（Ag）、鉭（Ta）、鈮（Nb）或鎢（W）的
材料的溶解
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稱取約1g樣品于潔凈反應(yīng)瓶中，加入20mL濃鹽酸和10mL濃硝酸。反應(yīng)瓶裝有回流冷凝裝置及含
有10mL 0.5mol/L硝酸溶液的吸收裝置。在室溫下消解1h。升溫至(95±5)℃，消解15min。取下，
冷卻。
若試樣未被完全消解，反復(fù)加王水并加熱，直至試樣消解完全。每次加酸時(shí)，都應(yīng)沿器壁加入，
以將粘在壁上的試樣重新沖洗至溶液中。
待試樣完全消解后，向反應(yīng)瓶中加入20mL水與15mL高錳酸鉀溶液。充分混勻，并在（95±5）℃
加熱回流30min。冷卻到室溫，過(guò)濾，轉(zhuǎn)移至100mL容量瓶中。用水反復(fù)清洗反應(yīng)瓶、冷凝器與
吸收裝置。將清洗液并入容量瓶中。可加入6mL氯化鈉－鹽酸羥胺溶液還原多余的高錳酸鉀4。用
水稀釋至刻度，混勻制備成樣品溶液。
7.2.5.2.2 微波消解法
稱取0.10g樣品，精確至0.0001g, 置于消解罐中，加入5mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸（鹽酸
與硝酸比例通常為3+1，可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦
（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加1mL濃氫氟酸。
待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，
直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟
酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方
法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。
7.2.5.3 無(wú)機(jī)非金屬樣品的制備
通常無(wú)機(jī)非金屬樣品中含有硅等非金屬元素，在樣品制備過(guò)程中需加入強(qiáng)腐蝕性的氫氟酸，因此要
求采用耐氫氟酸器皿。
稱取0.10 g樣品，精確至0.0001 g, 置于消解罐中。加入3 mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸（鹽
酸與硝酸比例通常為3+1,可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）、3mL 濃氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將
整個(gè)消解罐放入微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解
罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。
轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成
樣品溶液。
7.2.5.4 聚合材料樣品的制備
稱取0.10 g經(jīng)粉碎后的樣品，精確至0.0001 g, 置于消解罐中，加入5 mL硝酸、1mL過(guò)氧化氫。當(dāng)
樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的
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篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL氫氟酸。將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)
行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若
采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采
用的分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。
注意：過(guò)氧化氫可與易氧化材料發(fā)生快速而猛烈的反應(yīng)。當(dāng)樣品中可能含有大量易氧化有機(jī)成分時(shí)，
不宜添加過(guò)氧化氫。
7.2.5.5 電子專用材料樣品的制備
稱取0.10 g經(jīng)粉碎后的樣品，精確到0.0001 g, 置于消解罐中，加入5 mL適宜比例的鹽酸與硝酸的
混合酸（鹽酸與硝酸比例通常為3+1，可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,
鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL
氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波
消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用
耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的
分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。
7.2.6 測(cè)試步驟
7.1.6.1 空白溶液的制備
隨同7.2.5中樣品的制備一起全程制備空白溶液。
7.2.6.2 汞標(biāo)準(zhǔn)溶液的配制
汞標(biāo)準(zhǔn)溶液應(yīng)貯存于惰性塑料容器中。濃度為1000μg/mL的汞溶液穩(wěn)定期至多為一年。濃度小于1
μg/L的溶液應(yīng)現(xiàn)用現(xiàn)配。
汞易被吸附在容器內(nèi)壁，從而對(duì)標(biāo)準(zhǔn)溶液的穩(wěn)定性造成較大影響。因此，建議加入幾滴5％的高錳
酸鉀溶液以穩(wěn)定該標(biāo)準(zhǔn)溶液。
因各種分析儀器存在不同程度的基體效應(yīng)問(wèn)題，在配制校準(zhǔn)溶液時(shí)應(yīng)根據(jù)待測(cè)材料的種類分別采用
外標(biāo)法（基體匹配）、內(nèi)標(biāo)法或標(biāo)準(zhǔn)加入法配制校準(zhǔn)溶液。
制備空白校準(zhǔn)溶液與至少三種濃度的校準(zhǔn)溶液。
當(dāng)采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，可在配制時(shí)向溶液中加入內(nèi)標(biāo)元素，或在測(cè)試過(guò)程中采用儀器在線加入內(nèi)標(biāo)。對(duì)
于ICP-AES法，可選取鈧（Sc）或釔（Y）元素作內(nèi)標(biāo)；對(duì)于ICP-MS法，可選取銠元素（Rh）作內(nèi)標(biāo)。內(nèi)
標(biāo)元素的濃度與待測(cè)元素的濃度相當(dāng)。
7.2.6.3 汞校準(zhǔn)曲線的繪制
a) ICP-AES/OES方法
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按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞的光譜發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素的
發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。
采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以汞的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比為縱坐
標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
分析時(shí)所選擇的汞的譜線: 194.227nm。
b) ICP-MS方法
按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞同位素的計(jì)數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素同位素的
計(jì)數(shù)。
采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以汞的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比為縱坐
標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
內(nèi)標(biāo)法或標(biāo)準(zhǔn)加入法分析時(shí)所選擇汞的同位素：202m/z。
c) CVAAS方法
按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞的吸收強(qiáng)度讀數(shù)。以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，
以汞的吸收強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
吸光度讀數(shù)范圍：為了減少光度測(cè)量的誤差，吸光度讀數(shù)一般選在0.1～0.6之間，必要時(shí)可調(diào)
節(jié)溶液的濃度或光程長(zhǎng)度或擴(kuò)展量程。
儀器參數(shù)：
光源：Hg無(wú)極放電燈或空心陰極燈；
波長(zhǎng)：253.7nm；
光譜狹縫寬度：0.7nm；
吹掃氣：氮?dú)饣蛘邭鍤猓?br>還原劑：1％硼氫化鈉－氫氧化鈉0.05％溶液（可根據(jù)需要適當(dāng)調(diào)節(jié)濃度）。
d) AFS方法
按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞的熒光強(qiáng)度讀數(shù)。以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，
以熒光強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。
熒光強(qiáng)度讀數(shù)范圍：為了減少測(cè)量的誤差，熒光強(qiáng)度讀數(shù)應(yīng)落于儀器的線性范圍內(nèi)，必要時(shí)可
調(diào)節(jié)溶液的濃度。
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儀器參數(shù)：
光源：Hg空心陰極燈；
電流：30mA；
波長(zhǎng)：253.7nm；
負(fù)高壓：360V；
爐溫：800℃；
氬氣流量 載氣：600mL/min， 屏蔽氣：1000mL/min；
還原劑：1％硼氫化鈉－氫氧化鈉0.05％溶液（可根據(jù)需要適當(dāng)調(diào)節(jié)濃度）。
7.2.6.4 樣品分析
校準(zhǔn)曲線建立后，測(cè)試空白溶液、樣品溶液。依據(jù)每個(gè)試樣的信號(hào)讀數(shù)，由校準(zhǔn)曲線查得所對(duì)應(yīng)的
濃度。每個(gè)樣品應(yīng)平行分析兩次，且兩次結(jié)果的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差不應(yīng)該高于20％。同時(shí)在每一批樣品中至
少取一個(gè)樣品進(jìn)行加標(biāo)回收率的試驗(yàn)，回收率應(yīng)該在70％～130％之間。
對(duì)于CVAAS法與AFS法而言，若樣品溶液的濃度高于校準(zhǔn)溶液的最高點(diǎn)，應(yīng)將樣品進(jìn)一步稀釋，使其
濃度落于校準(zhǔn)溶液的濃度范圍內(nèi)。
當(dāng)采用CVAAS法與AFS法時(shí)，應(yīng)考慮到基體成分對(duì)氧化-還原反應(yīng)的影響。
AFS法將標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)或校準(zhǔn)溶液作為質(zhì)控樣品，每10個(gè)樣品測(cè)試一次,計(jì)算測(cè)量的準(zhǔn)確度。如若需要，
應(yīng)重新繪制校準(zhǔn)曲線。
7.2.6.5 結(jié)果計(jì)算
被測(cè)元素含量以質(zhì)量分?jǐn)?shù)WM計(jì)，數(shù)值以%表示，按下式計(jì)算：
( ) 10 6 100
1 2 ×
? × × ×
=
?
m
W C C V d M ????????????????????????(3)
式中：
C1—在校準(zhǔn)曲線上查得試液中被測(cè)元素濃度的數(shù)值，單位為微克每毫升（μg/mL）；
C2—在校準(zhǔn)曲線上查得試劑空白液中被測(cè)元素濃度的數(shù)值，單位為微克每毫升（μg/mL）；
V—試液的體積，單位為毫升（mL）；
d－樣品溶液的稀釋倍數(shù)；
m—試樣量，單位為克（g）。
取兩次測(cè)試結(jié)果的算術(shù)平均值，報(bào)告結(jié)果，以質(zhì)量分?jǐn)?shù)（mg/kg）表示。
7.2.6.6 汞污染防止
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在使用各種方法或者器皿時(shí)須十分小心，從而將污染降至最低。以下預(yù)處理可在一定程度上避免樣
品的污染：
a）僅采用蒸餾水或者去離子水。與水接觸的惰性塑料材料須小心處理。純水即使貯存于聚四氟乙
烯容器（PTFE）中，也會(huì)在很短時(shí)間內(nèi)從容器中浸出雜質(zhì)；
b）制備樣品用的化學(xué)試劑是污染的主要來(lái)源，應(yīng)使用不含汞的試劑；
c）樣品制備所需的化學(xué)試劑與還原劑在使用前，均需測(cè)量其空白值；
d）燒杯、滴管及容量瓶是金屬污染的主要來(lái)源，處理樣品時(shí)建議使用惰性塑料；
e）采用ICP-AES/OES、ICP-MS、AFS法時(shí)，當(dāng)汞的濃度很高時(shí)，易產(chǎn)生記憶效應(yīng)。因此在測(cè)試汞濃
度較高的溶液時(shí)應(yīng)盡量采用選擇記憶效應(yīng)小的進(jìn)樣系統(tǒng)，或?qū)⑷芤合♂尅y(cè)量后應(yīng)徹底清洗進(jìn)
樣系統(tǒng)。
7.2.6.7 精密度
在重復(fù)性條件下獲得的兩次獨(dú)立測(cè)試結(jié)果的絕對(duì)差值不得超過(guò)算術(shù)平均值的20％。
8 比色法測(cè)試電子信息產(chǎn)品中的六價(jià)鉻
8.1 六價(jià)鉻定性測(cè)試
8.1.1 范圍
本方法適用于金屬鍍層中六價(jià)鉻的定性測(cè)試。
8.1.2 方法概要
用清潔劑、軟布或適合的溶劑將樣品表面清潔干凈后向其滴加二苯碳酰二肼顯色溶液，在幾分鐘內(nèi)
觀察溶液顏色的變化來(lái)定性判斷樣品是否含六價(jià)鉻。
8.1.3 儀器設(shè)備
無(wú)。
8.1.4 試劑
所用試劑均為分析純。
a) 二苯碳酰二肼；
b) 丙酮；
c) 乙醇（95％）；
d) 正磷酸溶液（75％）；
e) 去離子水。
8.1.5 樣品制備
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測(cè)試前，樣品表面不能有任何污染物、指紋或其他外來(lái)污點(diǎn)。如果表面涂有薄油，測(cè)試前需在室溫
下（不超過(guò)35℃）用清潔劑、軟布或適合的溶劑去除。樣品不能在高于35℃條件下強(qiáng)制干燥。因堿金屬
易引起鉻酸鹽涂層脫落，故不能用堿性溶劑處理樣品。
若樣品表面含有聚合物涂層，可用細(xì)砂紙如800＃碳化硅砂紙輕輕摩擦除去，還可以選用其他更有
效的方法去除表面涂層。注意不能將樣品表面的鉻酸鹽涂層也一起摩擦掉。
8.1.6 測(cè)試步驟
將0.4g 1,5-二苯碳酰二肼溶解于20mL 丙酮和20mL 乙醇（95％）混合液中，加入20mL 75％的正磷
酸溶液和20mL 去離子水（注意該溶液應(yīng)在使用前8h 內(nèi)配制）。向處理好的樣品表面滴加1～5 滴上述配
好的溶液，若在幾分鐘內(nèi)發(fā)現(xiàn)溶液呈現(xiàn)紅色或紫色，表明有六價(jià)鉻存在。此時(shí)在溶液中的六價(jià)鉻濃度不
小于1mg/kg。
對(duì)于表面有顏色的金屬，采用本定性測(cè)試方法會(huì)存在干擾，可直接采用以下定量方法測(cè)試六價(jià)鉻。
8.2 比色法定量測(cè)試六價(jià)鉻
8.2.1 范圍
本測(cè)試方法適用于電子信息產(chǎn)品中的金屬材料、聚合物材料、無(wú)機(jī)非金屬材料以及專用電子材料中
的六價(jià)鉻的定量測(cè)試。
8.2.2 方法概要
根據(jù)樣品材料的種類用適當(dāng)方法處理好樣品，用堿性提取液萃取樣品中的六價(jià)鉻。調(diào)節(jié)提取得到溶
液pH 值，在酸性條件下加入二苯碳酰二肼溶液，等待5min～10min 使其充分顯色后用比色儀器測(cè)試溶
液中六價(jià)鉻的濃度。為了降低六價(jià)鉻的化學(xué)活性，分析之前樣品及其提取物應(yīng)在4oC 保存。由于提取物
中的Cr (VI) 的穩(wěn)定性不能確定，應(yīng)盡快進(jìn)行分析。含有Cr (VI) 的溶液或廢料應(yīng)妥善處理。例如，可
以利用抗壞血酸或其他的還原劑將Cr (VI) 還原成Cr (III)。
8.2.3 儀器設(shè)備
a) 真空過(guò)濾器；
b) 加熱攪拌裝置；
c) pH 計(jì)：其精度應(yīng)在±0.03，測(cè)量范圍在0～14；
d) 分析天平：精度為0.1mg；
e) 溫度計(jì)或電熱調(diào)節(jié)器或其他的溫度測(cè)試儀：測(cè)量范圍應(yīng)可達(dá)到100℃ ；
f) 比色儀器：可產(chǎn)生1cm 光程且可在540 nm 范圍使用的分光光度計(jì)，或者可產(chǎn)生1cm 或更長(zhǎng)光程，
裝有綠－黃濾色器且最大透射比在540 nm 附近的濾色光度計(jì)；
g) 實(shí)驗(yàn)室用玻璃器具；
h) 高溫加熱板。
8.2.4 試劑
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除非另有說(shuō)明，在分析中僅使用認(rèn)可的高純?cè)噭┖?8MΩ 去離子水或相當(dāng)純度的去離子水。
a) 硝酸：分析純，（20～25）oC 避光保存。不要使用已經(jīng)變黃的的濃硝酸，這是由于其中的硝酸
根被光致還原成二氧化氮，而后者可把六價(jià)鉻還原；
b) 無(wú)水碳酸鈉：分析純；
c) 氫氧化鈉：分析純；
d) 無(wú)水氯化鎂：分析純。400mg 的氯化鎂相當(dāng)于100 mg 鎂離子；
e) 1M 磷酸鹽緩沖液(pH 7.0)：將87.09 g K2HPO4 （分析純）和68.04 g KH2PO4（分析純）溶解于
700 mL 蒸餾水中，然后移至1L 的容量瓶中稀釋至刻度線；
f) 鉻酸鉛：優(yōu)級(jí)純；
g) 提取液：用蒸餾水溶解（20.00±0.05）g 氫氧化鈉和(30.00±0.05)g 碳酸鈉 ，定容到1L，密
封保存于聚乙烯瓶中，每月要重新制備。使用前其pH 值應(yīng)在11.5 以上（含11.5），如果不符合
要求，不應(yīng)使用；
h) 重鉻酸鉀貯備液：將141.4 mg 在105℃干燥至恒重的重鉻酸鉀K2Cr2O7 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)（GBW06105）
溶解于蒸餾水中，然后稀釋至1L (50μg/mL 的六價(jià)鉻)；
i) 重鉻酸鉀標(biāo)準(zhǔn)液：將上述配置的10mL 的重鉻酸鉀溶液稀釋至100mL (5μg/mL 的六價(jià)鉻)；
j) 硫酸10% (v/v)：將10mL 硫酸（優(yōu)級(jí)純，ρ=1.84g/mL）用水稀釋至100mL；
k) 1,5-二苯碳酰二肼：分析純；
l) 重鉻酸鉀示蹤儲(chǔ)存液(1000 mg/L 六價(jià)鉻) ：將105℃干燥至恒重的2.829g K2Cr2O7 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
（GBW06105）用水溶解于1L 的容量瓶中，然后稀釋至刻度線。也可使用經(jīng)認(rèn)證的1000mg/L Cr(VI)
標(biāo)準(zhǔn)液。此溶液應(yīng)儲(chǔ)存于冰箱中，六個(gè)月內(nèi)使用；
m) 重鉻酸鉀K2Cr2O7 示蹤溶液(100 mg/L Cr(VI))： 從上述制備的1000 mg Cr(VI)/L 的K2Cr2O7 示
蹤劑中取10.0 mL 移入一100mL 的容量瓶，用蒸餾水稀釋至刻度線，混合均勻；
n) 丙酮：分析純。
8.2.5 樣品制備
8.2.5.1 樣品的準(zhǔn)備
8.2.5.1.1 聚合物材料、無(wú)機(jī)非金屬材料以及專用電子材料的準(zhǔn)備
按附錄A 將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，將樣品制成小于10mm×10mm×10mm 小塊。采集
樣品并將其放入非不銹鋼的容器內(nèi)，液氮冷凍后用粉碎機(jī)（或采用其他等同效果的粉碎方法）將樣品粉
碎成可通過(guò)500μm 篩網(wǎng)（即35 號(hào)黃銅標(biāo)準(zhǔn)濾網(wǎng)）的顆粒，混合均勻。
8.2.5.1.2 金屬鍍層樣品的準(zhǔn)備
測(cè)試前，樣品表面不能有任何污染物、指紋或其他外來(lái)污點(diǎn)。如果表面涂有薄油，測(cè)試前需在室溫
下（不超過(guò)35℃）用清潔劑、軟布或適合的溶劑去除。樣品不能在高于35℃條件下強(qiáng)制干燥。因堿金屬
易引起鉻酸鹽涂層脫落，故不能用堿性溶劑處理樣品。若樣品表面含有聚合物涂層，可用細(xì)砂紙如800
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＃碳化硅砂紙輕輕摩擦除去，還可以選用其他更有效的方法去除表面涂層。注意不能將樣品表面的鉻酸
鹽涂層也一起摩擦掉。
8.2.5.2 六價(jià)鉻的萃取
8.2.5.2.1 聚合物材料、無(wú)機(jī)非金屬材料以及專用電子材料中六價(jià)鉻的萃取方法
a) 配制顯色溶液：將250mg 1,5-二苯碳酰二肼（分析純）溶解于50mL 丙酮中，將此溶液轉(zhuǎn)移至棕
色瓶中并儲(chǔ)存于冰箱內(nèi)，若該溶液退色不應(yīng)使用；
b) 秤取5g 樣品，稱量精確度應(yīng)達(dá)到0.1 mg。將稱好的樣品放入一個(gè)干凈的錐形瓶中。如果樣品中
六價(jià)鉻的濃度可能過(guò)高或過(guò)低，秤取樣品的質(zhì)量也可有所變化；
c) 用量筒量取（50±1）mL 提取液[8.2.4 g)]加入到每個(gè)試樣中，同時(shí)每個(gè)試樣中還需加入大約
400mg 的氯化鎂和0.5 mL 的磷酸緩沖液[8.2.4 e)]。對(duì)于那些易“漂浮”在提取液面上的聚合
物，可加入1～2 滴潤(rùn)濕劑(如曲拉通X-100) 以增加試樣的潤(rùn)濕性。用表面皿蓋住錐形瓶；
d) 攪拌加熱該溶液至(90～95)℃, 然后在(90～95)℃恒溫至少3h，并繼續(xù)攪拌；
e) 將溶液逐漸冷卻至室溫后移至過(guò)濾器。用水沖洗3 次以上，沖洗水也移至過(guò)濾器。用0.45μm 的
濾網(wǎng)過(guò)濾。用蒸餾水沖洗吸濾瓶和濾網(wǎng)，然后將濾液和洗滌液移至一干凈的250mL 的容器中；
f) 不斷攪拌，緩緩將濃硝酸[8.2.4a)]滴加到該250mL 的容器中，調(diào)節(jié)溶液的pH 值至7.5±0.5。
移去攪拌和沖洗裝置，將容器中溶液轉(zhuǎn)移至100mL 的容量瓶中，定容，混合均勻；
g）定量吸取待測(cè)液至100mL 的燒杯中，加入一定量的蒸餾水使溶液體積接近95mL，加入2.0 mL
二苯卡巴肼顯色溶液[8.2.5.2.1 a)]并攪拌，然后緩慢滴加H2SO4 溶液[8.2.4 j)]并調(diào)節(jié)溶液pH
值至2±0.5。將此溶液全部轉(zhuǎn)移至100mL 容量瓶中，用水稀釋至刻度。搖勻，放置（5～10）min，
讓顯色反應(yīng)完全。
8.2.5.2.2 金屬鍍層中六價(jià)鉻的萃取方法
a) 配制顯色溶液：將0.5g 1,5-二苯碳酰二肼溶解于50mL 丙酮中，攪拌下慢慢加入50mL 水。將此
溶液轉(zhuǎn)移至棕色瓶中并儲(chǔ)存于冰箱內(nèi)，若該溶液退色不應(yīng)使用；
b) 至少取50cm2 樣品，不要使樣品的基材露出，避免消解液中還原性環(huán)境的存在，而降低六價(jià)鉻測(cè)
試的準(zhǔn)確性；
c) 將試樣放入合適的容器中，加入50 mL 純水然后加入1%的氫氧化鈉溶液，保證使溶液完全浸沒(méi)
試樣，調(diào)節(jié)溶液pH＝9.0～11.0；
d) 將容器放在電熱板上加熱沸騰后，繼續(xù)保持2min，取下容器冷卻后取出試樣，用純水沖洗試樣
3 次以上，并將沖洗液于溶液混合完全后，再將容器放在電熱板上加熱濃縮溶液到20mL 左右，
取下容器冷卻到室溫；
e) 將溶液通過(guò)玻璃漏斗轉(zhuǎn)移到50mL 的容量瓶中，同時(shí)把容器沖洗3 次以上，將沖洗液與溶液混合
完全后，加入2mL 的10%的硝酸，調(diào)節(jié)溶液pH＝1.0～2.0；
a) 加入2mL 磷酸緩沖液[8.2.4 e)]，攪拌均勻后再加入2mL 顯色溶液[8.2.5.2.2 a)]，然后用純
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水定容到刻度。靜置(5～10)min 以使其充分顯色。
8.2.6 測(cè)試步驟
8.2.6.1 繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線
a) 為了減小因分析過(guò)程中消解或其它操作造成的六價(jià)鉻的流失而引起的誤差，用與上述制樣同樣
的程序處理標(biāo)準(zhǔn)六價(jià)鉻試劑；
b) 用移液管移取一定量的六價(jià)鉻標(biāo)準(zhǔn)液置于10mL 的容量瓶中，配制0.1 到5 mg/L 六價(jià)鉻的系列
標(biāo)準(zhǔn)液。如果樣品溶液中六價(jià)鉻的濃度超出了原來(lái)的校準(zhǔn)曲線范圍，應(yīng)利用其它濃度范圍的校
準(zhǔn)曲線；
c) 用與試樣同樣的方法對(duì)標(biāo)準(zhǔn)液進(jìn)行顯色；
d) 將適量的標(biāo)準(zhǔn)溶液置于一個(gè)1cm 的吸收池中，用比色裝置測(cè)試其在540nm 處的吸光率；
e) 用同樣的顯色程序制備空白樣，減去空白吸光度即得校正后的吸光度；
f) 以校正后的吸光率和六價(jià)鉻的值（μg/mL）為坐標(biāo)軸，繪制校準(zhǔn)曲線。
8.2.6.2 樣品測(cè)試
a) 將適量的靜置后的溶液置于一個(gè)1cm 的吸收池中，用比色裝置測(cè)試其在540nm 處的吸光率；
b) 隨同樣品制備全程空白樣，減去空白吸光度即得校正后的該樣品的吸光度；
c) 校正后的吸光度，根據(jù)校準(zhǔn)曲線可以得到溶液中有多少mg/L 的六價(jià)鉻。
8.2.6.3 分析結(jié)果計(jì)算
a) 整個(gè)樣品中六價(jià)鉻的濃度
S
C A D F × ×
= ??????????????????????????????????（4）
式中：
C－六價(jià)鉻濃度，單位為質(zhì)量分?jǐn)?shù)（mg/kg）；
A－測(cè)到的消解液濃度，單位為微克每毫升（μg/mL）；
D－稀釋因子；
F－最終的消解液的體積，單位為毫升（mL）；
S－樣品的最初的質(zhì)量，單位為克（g）。
b) 金屬鍍層中六價(jià)鉻的濃度
L
C A D F
× ×
= ?????????????????????????????????（5）
式中：
C-六價(jià)鉻濃度，單位為質(zhì)量分?jǐn)?shù)（mg/kg）；
A－測(cè)到的消解液的濃度，單位為微克每毫升（μg/mL）；
D－稀釋因子；
F－最終的消解液的體積，單位為毫升（mL）；
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L－樣品中涂層的原始質(zhì)量，單位為克（g）。
注: 樣品上的鍍層可用稀釋的王水溶液或其他酸液去除，即：“酸脫膜”法。用樣品蘸一下上述稀釋的酸液中，然后
取出，大約1min 后檢查它表面的變化，即可看出它表面涂層有沒(méi)有被腐蝕掉。涂層的重量可以通過(guò)測(cè)量樣品“酸
脫膜”前后的質(zhì)量計(jì)算而得。
c) 金屬鍍層中六價(jià)鉻的濃度
S
C A F ×
= ????????????????????????????????????（6）
式中：
C－六價(jià)鉻濃度，單位為微克每平方厘米（μg/cm2）；
A－測(cè)到的消解液中六價(jià)鉻的濃度，單位為微克每毫升（μg/mL）；
F－最終的消解液的體積，單位為毫升（mL）；
S－樣品表面積，單位為平方厘米（cm2）。
d) 誤差（RPD）：
RPD ={(S ? D) /[(S + D) / 2]}×100%????????????????????????（7）
式中:
S－最初樣品的測(cè)試結(jié)果，單位為微克（μg）；
D－平行樣的測(cè)試結(jié)果，單位為微克（μg）。
e) 示蹤劑回收率
×100
?
=
SA
SPR SSR SR %??????????????????????????????（8）
式中:
SPR—示蹤劑的回收率；
SSR－添加示蹤劑的樣品的測(cè)試結(jié)果，單位為微克（μg）；
SR－未加示蹤劑的樣品的測(cè)試結(jié)果，單位為微克（μg）；
SA－示蹤劑的質(zhì)量，單位為微克（μg）。
8.2.6.4 質(zhì)量控制
每批（小于或等于20 個(gè)）樣品中應(yīng)至少對(duì)其中一個(gè)樣品制備平行樣。相對(duì)誤差應(yīng)小于或等于20%。
每批（小于或等于20 個(gè)）樣品中應(yīng)有一個(gè)樣品作為被示蹤樣品進(jìn)行分析。對(duì)于可溶性的被示蹤樣
品，可加入1.0mL 或兩倍于樣品濃度（兩者取較大的）的示蹤液[8.2.4m)]。對(duì)于不溶性的被示蹤樣品，
可加入(1～2)mg 或兩倍于樣品濃度（兩者取較大的）的固體鉻酸鉛[8.2.4f)]。被示蹤樣品經(jīng)過(guò)同樣的
萃取、顯色、測(cè)試程序后計(jì)算其回收率。回收率應(yīng)在75%～125%范圍內(nèi)，否則應(yīng)再次分析這些樣品。
校準(zhǔn)曲線應(yīng)至少包括一空白樣和3 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品，其校準(zhǔn)系數(shù)應(yīng)大于或等于0.99,否則應(yīng)重新制作校
準(zhǔn)曲線。每進(jìn)行20 個(gè)樣品的測(cè)試都需要用單獨(dú)配制的標(biāo)準(zhǔn)樣檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)曲線的準(zhǔn)確性。相對(duì)誤差應(yīng)小于
或等于10%，否則應(yīng)重新制作校準(zhǔn)曲線。
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對(duì)于金屬部件要盡量選擇完整的表面積，如果表面積過(guò)大可以選擇用石蠟或其他耐高溫的有機(jī)類化
合物進(jìn)行斷切面封口，用于研究的樣品在萃取之前必須經(jīng)過(guò)機(jī)械預(yù)處理。為滿足正確分析的最低需要，
本標(biāo)準(zhǔn)給出了所能允許的最大顆粒尺寸和最小樣品量。萃取處理后極可能存在固相殘留物，所以應(yīng)該使
用不同的分析手段確保殘留物中沒(méi)有目標(biāo)元素，這些殘留物必須通過(guò)不同的化學(xué)方法被選擇性的萃取并
與測(cè)試的樣品溶液結(jié)合。對(duì)于萃取處理，這里強(qiáng)烈建議使用經(jīng)驗(yàn)設(shè)備。此外，如果用戶能確定一種簡(jiǎn)單
方法的適用性，也可以用之。任何偏離文章描述程序的方法都必須被評(píng)估并在測(cè)試報(bào)告中注明。
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附 錄 A
（規(guī)范性附錄）
有毒有害物質(zhì)檢測(cè)過(guò)程中的機(jī)械制樣方法
A.1 電子信息產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)
A.1.1 組成結(jié)構(gòu)
A.1.1.1 整機(jī)：如電視機(jī)、電話機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等。
A.1.1.2 部件：只需借助簡(jiǎn)單工具就可以拆分的結(jié)構(gòu)單元，如單板、電源、模塊和鏍釘?shù)取?br>A.1.1.3 元器件：構(gòu)成電路板的電子元件或電子器件，如電阻器、電容器、集成電路、光器件、接插
件等。
A.1.1.4 原材料：構(gòu)成電子元器件或結(jié)構(gòu)件的基本材料，如金屬、塑料、焊料、膠粘劑、涂覆料、清
洗劑等。
A.1.2 連接方式分類
A.1.2.1 物理連接：不同的元器件、部件等之間通過(guò)壓力、摩擦力、重力等物理作用力相連接或固定
在一起的方式。通常有：壓接、鉚接、粘接、綁接、螺紋連接、扣接、覆蓋、環(huán)繞等。
A.1.2.2 化學(xué)連接：不同材料、元器件、部件等之間通過(guò)冶金化或化學(xué)反應(yīng)方式形成的連接。一般有
焊接、電鍍、化學(xué)鍍、鍵合等。
A.1.3 有毒有害物質(zhì)存在的高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域和形態(tài)
A.1.3.1 鉛：塑料添加劑、顏料、穩(wěn)定劑、電池、焊接材料、鍍層材料、玻璃、燈泡、固體潤(rùn)滑劑、
橡膠等。
A.1.3.2 鎘：塑料穩(wěn)定劑、電器觸點(diǎn)的鍍層、電池、彈簧、連接器、PCB、保險(xiǎn)絲、顏料和涂料、半導(dǎo)
體光電感應(yīng)器等。
A.1.3.3 汞：塑料添加劑、著色劑、熒光燈、溫控器、傳感器、繼電器、金屬蝕刻劑、電池、防腐劑、
消毒劑、粘結(jié)劑等。
A.1.3.4 六價(jià)鉻：金屬防銹鍍層、顏料、防銹劑、防腐劑、陶瓷釉等。
A.1.3.5 多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）：有機(jī)材料的阻燃劑、印制電路板、連接器、塑料外
殼等。
A.2 電子信息產(chǎn)品的拆分目標(biāo)與拆分原則
A.2.1 拆分的目標(biāo)
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為了精確測(cè)試電子信息產(chǎn)品材料中有毒有害物質(zhì)或元素的濃度，達(dá)到有效控制有毒有害物質(zhì)或元素
在電子信息產(chǎn)品中使用的目的，應(yīng)該在測(cè)試前將電子信息產(chǎn)品（有毒有害物質(zhì)或元素檢測(cè)對(duì)象）拆分至
基本的構(gòu)成單元或檢測(cè)單元（詳見(jiàn)表A.1）。
表A.1 電子信息產(chǎn)品（EIP）的拆分目標(biāo)
構(gòu)成單元 基本組成單元或材料的定義
EIP－A 構(gòu)成電子信息產(chǎn)品的各均勻材料
EIP－B 電子信息產(chǎn)品中各部件的金屬鍍層
EIP－C
電子信息產(chǎn)品中小型部件，即不能進(jìn)一步拆分的小型零部件或不均勻材料，
體積規(guī)格等于或小于4mm3 的產(chǎn)品
A.2.2 拆分原則
A.2.2.1 一般情況下，電子信息產(chǎn)品需按照表A.1 所列拆分目標(biāo)進(jìn)行拆分，拆分后各構(gòu)成單元?dú)w類順
序?yàn)椋篈－B－C。
A.2.2.2 為了兼顧檢測(cè)的可操作性和經(jīng)濟(jì)性，拆分前應(yīng)參考A.1.3 對(duì)有毒有害物質(zhì)存在的風(fēng)險(xiǎn)進(jìn)行評(píng)
估，有毒有害物質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)很低（指：非有意添加，并且生產(chǎn)過(guò)程中有毒有害物質(zhì)或元素污染的可能性也較
低）的部分無(wú)需進(jìn)一步拆分。
A.2.2.3 制樣時(shí)，要首先考慮把電子信息產(chǎn)品中特殊材料或特殊部件和其他部分（EIP－A/B/C）分開。
A.2.2.4 對(duì)于化學(xué)連接，如果是鍍層（EIP－B），可直接使用XRF 或掃描電鏡/能譜(SEM/EDS)進(jìn)行定性
或半定量檢測(cè)，對(duì)于多層鍍層則可制作鍍層的橫截面進(jìn)行檢測(cè)，以決定是否在鍍層制作時(shí)有意添加了有
毒有害物質(zhì)或元素。而對(duì)于本體（基體材料）的制樣，采用機(jī)械或溶解方法去除鍍層進(jìn)行制樣；如果是
一種材料的表面和另一種材料的端子連接，或者是兩種材料的端子連接，則要分開，取其非化學(xué)連接部
分制樣。
A.2.2.5 當(dāng)現(xiàn)有技術(shù)手段無(wú)法對(duì)電子信息產(chǎn)品進(jìn)行拆分制樣時(shí)，可以考慮通過(guò)對(duì)樣品構(gòu)成的同一批材料
的檢測(cè)來(lái)替代樣品的檢測(cè)。
A.3 典型拆分示例
A.3.1 電路板組件拆分示例
將電路板組件(如圖A.1)拆分時(shí)，應(yīng)該盡可能選取大焊點(diǎn)，切取其中的焊料部分，防止取到元器件
引線腳的鍍層與焊盤的鍍層，同時(shí)注意先取下連接或固定用的膠材，拆解出各電子元器件與部件。
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圖A.1 典型電路板組件圖
A.3.2 有引腳類集成電路拆分示例
有引腳類集成電路種類繁多、形狀各異（參見(jiàn)圖A.2）。如雙列直插式封裝(DIP)、小外型封裝(SOP)、
四方扁平封裝(QFP)等，其中以QFP 最有代表性。
該類器件拆分以QFP 為例。
圖A.2 典型的集成電路及其封裝型式
QFP器件的主要風(fēng)險(xiǎn)是引腳上的鉛和塑料封裝體中可能存在的其它有毒有害物質(zhì)。本體中一般可能
也存在屬于特殊類物質(zhì)的高溫含鉛焊料。對(duì)于本體大于4mm3的QFP，拆分成引腳、本體兩部分。對(duì)于本體
小于4mm3的QFP，不必拆分，按EIP－C類處理。
A.3.3 陣列類集成電路拆分示例
陣列類集成電路器件指具有球柵陣列、柱柵陣列和針柵陣列的集成芯片，其中每一種陣列又可以分
為很多。以球陣列為例，可以分為塑料球柵陣列封裝（PBGA）、倒裝晶片球狀柵格陣列（FCBGA）、芯片尺
寸封裝(CSP)、大圓片級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)等。BGA 或CSP 封裝的集成電路(IC)的主要風(fēng)險(xiǎn)在于焊球
中的鉛以及塑料封裝體中可能存在的其他有毒有害物質(zhì)。本體中一般存在高溫含鉛焊料。
該類器件拆分分別以PBGA 和FCBGA 為示例，參見(jiàn)圖A.3。
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PBGA FC-BGA
圖A.3 陣列類集成電路示意圖
拆分準(zhǔn)則：可以拆分為焊球和本體。
A.3.4 印制電路板拆分示例
印制電路板按基材的性質(zhì)可分為無(wú)機(jī)基材板和有機(jī)基材板。一般由絲印油墨、阻焊膜、焊盤、表層
銅走線、內(nèi)層銅走線、孔鍍銅和基材構(gòu)成。對(duì)于各類基板，重點(diǎn)關(guān)注焊盤的可焊性涂層與油墨字樣、有
機(jī)物中的添加劑和阻燃劑。
拆分方法：需要切取焊盤、印刷油墨和基體有機(jī)材料來(lái)制樣。
焊盤按EIP－B 類鍍層材料進(jìn)行檢測(cè)。
有機(jī)基材板選取無(wú)器件無(wú)過(guò)孔無(wú)銅的位置切割一塊制樣。
A.3.5 無(wú)引腳矩形片狀元件拆分示例
無(wú)引腳矩形片狀元件的種類很多，形狀大小各異。該類器件拆分以某種片式電阻器為例，參見(jiàn)圖
A.4。
圖A.4 無(wú)引腳矩形片狀元件示意圖
拆分準(zhǔn)則：
a) 當(dāng)體積小于或等于4mm3 時(shí)，整體制樣；
b) 當(dāng)體積大于4mm3 時(shí)，焊端如果為鍍層，按照A.2.2 制樣；如果是物理連接，則需拆分下端子制
樣；
c) 本體材料直接制樣。
A.3.6 插裝分立元器件拆分示例
插裝分立元器件很多，如電阻器、電容器、電感器、二極管、三極管等。
拆分準(zhǔn)則：
a) 將引腳剪下制樣；
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b) 當(dāng)本體體積小于或等于4mm3 時(shí)，整體制樣；
c) 當(dāng)本體體積大于4mm3時(shí)，按照A.2.2制樣。
A.3.7 插裝電解電容器拆分示例
插裝電解電容器構(gòu)造較為復(fù)雜，一般構(gòu)成為套管、橡膠、電解液、電解紙隔膜、鋁泊、鋁殼、引腳。
當(dāng)電容器本體體積小于或等于4mm3 時(shí)，拆分為引腳和本體。
當(dāng)電容器本體體積大于4mm3時(shí)，拆分為引腳、外殼、隔膜、正極和負(fù)極。
A.3.8 線纜拆分示例
線纜材料很多，如電線、電纜、光纖、光纜等。
這類材料構(gòu)造都比較簡(jiǎn)單，一般由外保護(hù)層、內(nèi)保護(hù)層和無(wú)機(jī)芯材構(gòu)成，拆分也按照其構(gòu)成進(jìn)行拆
分。
A.3.9 金屬鍍層類樣品
按照A.2.2制樣，或不制樣而用XRF或顯色等定性方法進(jìn)行判斷。
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參考文獻(xiàn)
[1] GB/T 16597-1996 冶金產(chǎn)品分析方法 X射線熒光光譜法通則
[2] GB/T 15337-1994 原子吸收光譜方法通則
[3] GB/T 3260.9-82 錫化學(xué)分析方法-原子吸收分光光度法測(cè)定鉛、銅、鋅
[4] GB/T 5121.3-85 銅化學(xué)分析方法-原子吸收分光光度法測(cè)定鉛量
[5] GB/T 8647.6-88 鎳化學(xué)分析方法-火焰原子吸收分光光度法測(cè)定鎘、鈷、銅、錳、鉛、鋅量
[6] GB/T 15555.1-1995 固體廢物 總汞的測(cè)定 冷原子吸收分光光度法
[7] GB/T 15555.1-1995 固體廢物 總汞的測(cè)定 冷原子吸收分光光度法
[8] GB/T 7467-1987 水質(zhì) 六價(jià)鉻的測(cè)定 二苯碳酰二肼分光光度法
[9] GB/T 9758.5-1988 色漆和清漆“可溶性”金屬含量的測(cè)定 第五部分:液體色漆的顏料部分或
粉末狀色漆中六價(jià)鉻含量的測(cè)定 二苯碳酰二肼分光光度法
[10] GB/T 15555.4-1995 固體廢物 六價(jià)鉻的測(cè)定 二苯碳酰二肼分光光度法
[11] ISO 17294-1 電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定環(huán)境水中的多元素-原理與通則
[12] ISO 3613:2000(E)，“鋅、鎘、鋁鋅合金以及鋅鋁合金上鉻酸鹽涂層——測(cè)試方法”
[13] IEC 111/54/CDV 電子電器產(chǎn)品中六種限用物質(zhì)鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚
的檢測(cè)方法
[14] EPA 3540 用索氏提取法提取土壤、污泥和廢物中的非揮發(fā)性和半揮發(fā)性有機(jī)物
[15] EPA 3050 沉積物、污泥和土壤的酸消解制樣方法
[16] EPA 3052 沉積物、污泥、土壤以及有機(jī)質(zhì)的微波消解制樣方法
[17] EPA 7000 Pb、Cd、Cr及Hg的系列測(cè)試方法
[18] EPA 3050 沉積物、污泥和土壤的酸消解制樣方法
[19] EPA 3052 沉積物、污泥、土壤以及有機(jī)質(zhì)的微波消解制樣方法
[20] EPA 7471A 固體及半固體中的汞（Hg）（冷蒸氣CV技術(shù)手冊(cè)）
[21] EPA 7470A 廢液中的汞（Hg）（冷蒸氣CV技術(shù)手冊(cè)）
[22] EPA 7474 子熒光法測(cè)定沉淀物及組織樣品中的汞（Hg）
[23] EPA 3060A “六價(jià)鉻的堿性消解”，1996.12
[24] EPA 7196A “鉻，六價(jià)的（比色）”，1992.7
[25] EPA 3060A “六價(jià)鉻的堿性消解”，1996.12
[26] EPA 7196A “鉻，六價(jià)的（比色）”，1992.7
SJ/T 11365—2006
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[27] ASTM D3421 樣品提取方法和測(cè)定聚氯乙烯塑料中混合增塑劑