然后開(kāi)始使用少量的1.25 英寸小硅片，進(jìn)而集成電路用的1.5 英寸硅片更是需求大增。之后，經(jīng)過(guò)2 英寸，3 英寸， 1975 年4 英寸登場(chǎng)開(kāi)始在全球普及，接下來(lái)5 英寸，6 英寸，8 英寸，然后從2001 年開(kāi)始進(jìn)入12 英寸。預(yù)計(jì)在2020 年左右，18 英寸（450mm）的硅片將開(kāi)始投入使用。

　　此外，還出現(xiàn)了新的硅材料——SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅），SOI技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。

　　SOI 材料具有以下突出優(yōu)點(diǎn)：1、低功耗；2、低開(kāi)啟電壓；3、高速；4、提高集成度；5、與現(xiàn)有集成電路完全兼容且減少工藝程序；6、耐高溫；7、抗輻照等。 基于SOI 結(jié)構(gòu)上的器件在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流，提高開(kāi)關(guān)速度，降低功耗，實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。作為下一代硅基集成電路技術(shù)，SOI 廣泛應(yīng)用于微電子的大多數(shù)領(lǐng)域，同時(shí)還在光電子、MEMS 等其它領(lǐng)域得到應(yīng)用。

　　最后，再談一下中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)八個(gè)預(yù)測(cè)

　　日前，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)研究調(diào)查機(jī)構(gòu)公開(kāi)了2016年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大預(yù)測(cè)。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將蓬勃發(fā)展，中國(guó)產(chǎn)業(yè)的崛是必然。

　　1、中國(guó)存儲(chǔ)器起航，與存儲(chǔ)器相關(guān)的產(chǎn)業(yè)投資將會(huì)增多。

　　2、紫光除在封裝和存儲(chǔ)等領(lǐng)域繼續(xù)布局外，2016年紫光的壓力和挑戰(zhàn)將會(huì)更大，運(yùn)作也會(huì)更加務(wù)實(shí)。

　　3、國(guó)際并購(gòu)放緩，中國(guó)資本無(wú)論成功案例還是并購(gòu)數(shù)額將會(huì)有大幅度下降，受阻甚至失敗的案例會(huì)不止一次發(fā)生。

　　4、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)將會(huì)繼續(xù)突破：集成電路設(shè)計(jì)業(yè)技術(shù)和產(chǎn)值再創(chuàng)新高，

　　5、國(guó)內(nèi)資本運(yùn)作活躍，直接上市、借殼上市的企業(yè)將會(huì)是資本運(yùn)作的主線(xiàn)，預(yù)估會(huì)有4-8家企業(yè)實(shí)現(xiàn)上市。

　　6、企業(yè)發(fā)展相對(duì)艱難，虧損、裁員、被并購(gòu)現(xiàn)象將會(huì)增多，部分大公司銷(xiāo)售額下降，虧損加大，部分小公司將出現(xiàn)生存問(wèn)題。

　　7、國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)并購(gòu)、產(chǎn)業(yè)外企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體投資將會(huì)增多，國(guó)內(nèi)企業(yè)之間的并購(gòu)、產(chǎn)業(yè)外企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)的投資并購(gòu)將會(huì)增多。

　　8、中小地方政府會(huì)半導(dǎo)體投資項(xiàng)目增多，眾多二三小公司與中小地方政府的合作案例將會(huì)增多；其中眾多8寸廠(chǎng)、封測(cè)廠(chǎng)等項(xiàng)目會(huì)成為熱點(diǎn)。