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電子發燒友網>存儲技術>三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲器

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲器

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2019-06-03 05:00:07

高性能20納米級NAND閃存存儲器

高性能20納米級NAND閃存存儲器 SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片,用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091

空氣產品公司與三星達成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應工業氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道,工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030

三星推出容量達1Tb的V-NAND單晶粒

在舊金山的閃存峰會上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達1Tb,用于消費級產品。
2018-05-16 23:41:00759

三星宣布,將量產LPDDR5存儲器顆粒,速度將比LPDDR4存儲器快50%

三星 17 日宣布,量產首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒,速率可達 6,400Mbps,比現有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%,同時功耗降低 30%,三星現在已經完成了 8GB
2018-07-18 17:56:003077

三星其第五代V-NAND存儲芯片開始量產,存儲市場將迎來大容量需求爆發

三星終于宣布開始大規模生產其第五代V-NAND存儲芯片,聲稱其堆疊層數超過90層,可能指的是其96層,制造生產率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645

三星已開始生產第五代V-NAND閃存芯片

據外媒7月10日報道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682

三星移動固態硬盤T5亮相,采用了新的64層V-NAND技術設計

三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態硬盤T5-全新的移動固態硬盤(PSSD),提升了外部存儲產品的性能標準。T5采用三星最新的64層V-NAND(垂直NAND)技術和緊湊耐用的設計,具有業界領先的傳輸速度和加密的數據安全性,使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數據。
2018-07-26 17:43:092422

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設計與優化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566

三星推出閃存更快功耗更低V-NAND存儲器

三星推出第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624

三星正在研發160層及以上的3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473

鎧俠和西部數據推出第六代162層3D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901

三星計劃6月完成第六代1cDRAM開發 長江存儲即將推出存儲卡類產品

三星電子計劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開發。
2022-04-19 11:31:192704

Techinsights對存儲器未來的發展分析

而主要的 NAND 制造商正在競相增加垂直 3D NAND 門的數量,并推出了 1yyL 3D NAND 設備。例如,三星 V7 V-NAND、鎧俠和西部數據公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND
2022-07-13 15:30:112990

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:55448

三星開始量產第8代V-NAND存儲密度高達1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度,可更高效地為企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業,正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577

三星電子量產最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

NAND Flash存儲器的基礎知識

隨著信息技術的飛速發展,數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢,在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

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