MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
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存儲產業中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態隨機存取存儲（SRAM）的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲（ROM）般低成本等各種優勢的非揮發性存儲。如今，透過磁阻隨機存取存儲（MRAM），可望解決開發這種“萬能”存儲（可取代各種存儲）的問題。
2016-03-09 09:14:552118 引人注目的新存儲器包括：相變存儲器（PCM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉移力矩RAM（STT-RAM）、導電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這種環境下，業界試圖利用新材料和新概念發明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
MRAM在讀寫方面可以實現高速化，這一點與靜態隨機存儲器(SRAM)類似。由于磁體本質上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯誤之害。MRAM可以做到與動態隨機
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機存儲系統中。MRAM因具有許多優點,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
存儲器的分類存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質分半導體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數據存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區別？
2021-06-18 07:03:45
知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。
2020-11-16 14:33:15
則可直接連接至用于內部 SL2/SL3 RAM 的 4 個寬 1024 位存儲器組。內部存儲器組使 XMC 中的預取邏輯功能能夠在未來每次請求訪問物理 RAM 之前獲取程序和數據，從而避免后續訪問停滯
2011-08-13 15:45:42
當系統運行了一個嵌入式實時操作系統時（RTOS），操作系統通常都是使用非易失的
存儲器來運行軟件以及采集數據。
存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態隨機訪問儲存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼備SRAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
為什么有的電子設備用eMMC存儲器 ？而有的用DDR存儲器呢？這兩者有什么區別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個停車場計時系統，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲器來存地址信號，通過刷卡產生脈沖，經過延時出現兩個相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號，用來讀取存儲器中對應車的狀態（在不在車庫內），再將
2016-07-23 00:01:59
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
據新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數據不丟失等優點，被業界稱為下一代存儲技術的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統所獲悉，由該所研發的國際領先的嵌入式相變存儲器現已成功應用在打印機領域，并實現千萬量級市場化銷售，未來中國在該領域有望實現“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
的測試系統應運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統硬件設計與實現，對各種數據位寬的多種存儲器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進行了詳細的結口
2019-07-26 06:53:39
如何利用Xilinx FPGA和存儲器接口生成器簡化存儲器接口？
2021-05-06 07:23:59
基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因為這種存儲器結構非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計呢？
2019-08-02 06:49:22
如何實現擴展存儲器的設計？
2021-10-28 08:08:51
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲器由哪些組成？怎樣去啟動STM32存儲器？
2021-09-24 07:03:23
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節外部數據存儲器各有什么區別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分，片內640字節的FLASH數據存儲器、256字節的RAM以及片外可擴展到16M字節的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數據存儲器6116和程序存儲器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么，求解答。單片機存儲電路里的數據存儲器6116和程序存儲器
2014-07-22 23:10:03
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
目前高級應用要求新的存儲器技術能力出現。隨著電子系統需要更多的代碼和數據，所導致的結果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創新的關鍵技術特色滿足了目前電子系統的需要。針對電子系統的重點
2018-05-17 09:45:35
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
單片機中數據存儲器片內的地址是00--7FH，程序存儲器的片內地址是0000H--0FFFH，請問這兩部分是不是有重疊？請具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP？如何解決設計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復技術的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-21 10:49:57
靜態隨機存儲器SRAM存儲數據原理
2021-02-26 06:36:26
和碰撞期間記錄以上數據。顯然，微控制器不能等到事故發生才開始記錄數據。因此，微控制器需要連續存儲數據。所以，EDR 需要一個具有幾乎無限寫次數的非易失性存儲器。 MRAM 存儲器比 ADAS 的傳統
2018-05-21 15:53:37
摘 要： 本文簡單介紹了鐵電存儲器、磁性隨機存儲器和相變存儲器這三種比較有發展潛力存儲器的原理、研究進展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
相變存儲器：能實現全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術均符合當前電子系統對存儲器子系統的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
多年來，該行業一直致力于各種存儲技術的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發中。這些不同類型的存儲器都對應特定的應用領域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統型存儲。
2018-09-05 15:51:129162 有新的技術出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲器外，還有鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0011607 
MRAM是一種非易失性存儲器，可與其他的NVM技術相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優缺點。雖然MRAM的擴展性好，但其容量仍遠低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲介質大都是NAND閃存。
2018-12-22 14:37:344678 盡管ㄧ些新存儲器技術已經研發出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術的列表。然而，無論哪一個技術勝出，這些新型非易失性技術系統的功耗肯定會低于現有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統。
2018-12-24 11:04:3410846 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2018-12-25 14:39:563068 業界普遍認為未來從數據中將能挖掘出最大的價值，但要挖掘數據的價值除了需要很強的計算能力之外，數據的存儲也非常關鍵。目前，新型存儲器也是領先的企業非常關注的一個方向，蘭開斯特大學（Lancaster University）的研究人員最近發表論文稱其研究的新型存儲器可以兼具穩定、高速、超低功耗的優點。
2019-06-25 09:16:232881 云計算是目前業界最關注的話題，其實云計算讓很多人云里霧里。而云存儲則是存儲的未來。云存儲這個概念的出現，在一定程度上改變了我們對于傳統存儲模式的看法。但是云存儲想必讓很多人迷惑，今天我們就來聊聊云存儲的那些事兒。
2019-08-05 10:37:40860 5G、AI、IoT、自動駕駛，無數隨時產生著海量數據，對于存儲和處理都提出了極高的需求。IBM大中華區CTO謝東近日提出，磁帶在未來十年仍將是主流存儲媒介，其容量將會每年增長30％，而傳統硬盤的增幅只有10％。
2019-08-08 10:40:501360 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 存儲器是現代信息系統的關鍵組件之一，已經形成了一個主要由DRAM與NAND Flash組成的超過1600億美元的市場。同時，新型存儲開始逐步邁向產業化，將有可能重塑未來存儲市場格局。我國正在大力發展存儲產業，提前布局新型存儲將是建立未來存儲產業生態的重要部分。
2020-04-01 16:49:514447 
目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯合研發的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
的網絡開發和商業化，但首先讓我們看一下當前存儲器和新興的非易失性存儲器技術的特點，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
新式存儲器技術隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術、材料、設備等環節的關鍵突破，正邁向大規模量產的路上，眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉折點。新式存儲器可分為獨立型產品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:58910 的領先趨勢來增強動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術（MRAM設備是Spintronics設備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時
2020-08-07 17:06:122003 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存的介質有以下幾大優勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取資料時，不定要從頭開始，隨時都可用相同的速率，從內存的任何
2020-09-21 13:50:342782 經常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器（NVRAM）未來的關鍵性技術。作為一項非易失性存儲器技術，MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數據并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無限次地重復寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應商英尚微電子詳細介紹關于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
對于存儲器而言，重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經有很多種類的產品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也許大家最為看重的是MRAM
2020-10-30 14:27:281188 磁阻式隨機存儲器MRAM是一種新型存儲器，其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機存儲系統中。同時非易失性MRAM存儲器也應用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 隨機存取存儲器（MRAM）最早于1980年代開發，并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術不同，MRAM將數據存儲為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772 MRAM是磁阻式隨機存取存儲器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的縮寫。MRAM是一種非揮發性電腦存儲器（ NVRAM ）技術，從20世紀90年代以來
2020-11-24 14:45:22483 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節尋址的非易失性存儲設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:00
38 MRAM在讀寫方面可以實現高速化，這一點與靜態隨機存儲器（SRAM）類似。由于磁體本質上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯誤之害。 MRAM可以做到與動態隨機
2020-11-25 14:32:19746 
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。 MRAM的存儲原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做內存和硬盤的新型存儲介質。寫入速度可達NAND閃存的數千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10274 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場（見表1）。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-03-03 16:35:01418 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業、軍事和太空應用。
2021-06-16 16:55:18795 Everspin公司生產的MRAM用于數據持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數據中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠將存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時具有非易失性和節能性。
2021-08-17 16:26:191926 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-12-07 15:21:108 MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經過10多年不間斷的研發，全球第一款正式量產并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝...
2022-01-25 19:39:475 STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 一些自旋電子存儲器已經面世。MRAM（磁性隨機存儲器）已經商業化，在某些情況下可以取代電子存儲器，但它是基于鐵磁開關的。
2022-07-22 17:05:141596 新興的存儲器涵蓋了廣泛的技術，但是需要注意的關鍵是MRAM，PCRAM和ReRAM。已經有一些離散的MRAM器件問世了，但是有很多關于代工廠使用專用芯片構建ASIC并用非易失性選項代替易失性存儲器的討論。這將是最大的推動因素之一。
2022-11-25 14:23:33338 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:581325 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們仍然希望存內計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。
2023-02-14 11:33:401484 
全新的存儲器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對于傳統存儲器來說，具有很多方面獨特的優勢，能夠在計算系統層級實現更優的計算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:191410 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462548 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
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