元年，用來指某個事物或事件開始發(fā)生的時間。如果說 2016 年（晉華集成、合肥長鑫和長江存儲，中國大陸三大存儲器公司相繼成立）是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的元年。

那 2019 年隨著本土存儲企業(yè)在 3D NAND Flash、DRAM 等部分的相繼投產(chǎn)，可謂是中國大陸公司全面進(jìn)軍存儲器市場的元年。

回想 2019 年半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵詞，“存儲”一定是其中繞不開的選項。

存儲器依照特點(diǎn)不同可分為眾多類別，其中半導(dǎo)體存儲器采用電能存儲，是目前應(yīng)用最多的存儲器類別。依照斷電后是否還能保留數(shù)據(jù)，可分為“易失性（VM）：RAM、T-RAM ” 與 “非易失性（NVM）：ROM、NVRAM ” 存儲兩大類。

國際存儲大廠何時唱罷？

長遠(yuǎn)看，全球存儲器呈現(xiàn)高增長特性，存儲芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)品，占比集成電路產(chǎn)值近 30%，受摩爾定律的支配，整體行業(yè)技術(shù)發(fā)展極快。隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、邊緣計算、人工智能等技術(shù)的發(fā)展，推動了數(shù)據(jù)的爆發(fā)式的增長。根據(jù) IDC 預(yù)測，到 2025 年，全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)將達(dá)到 416 億臺，而整個智能聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的數(shù)量將會達(dá)到 1500 億臺，而數(shù)量如此龐大的設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)，無疑將產(chǎn)生海量的數(shù)據(jù)。

在技術(shù)進(jìn)步推動下，存儲器下游產(chǎn)品容量需求提升迅速以及新興應(yīng)用市場不斷被開辟，將直接推動以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲芯片產(chǎn)業(yè)快速的發(fā)展。

存儲器行業(yè)又具有周期波動特性，從歷史表現(xiàn)上看，存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中，暴漲暴跌的情況可謂常態(tài)。就目前產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀而言，全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)出量年增長率為 12%，是近十年來最低水平，處于行業(yè)周期下行階段。內(nèi)存市場供大于求，內(nèi)存價格歷經(jīng)了長達(dá)一年半的下跌，導(dǎo)致各內(nèi)存大廠對于資本支出保守和工藝轉(zhuǎn)進(jìn)趨緩，想借由產(chǎn)出的控制，以期明年市場從現(xiàn)在的供過于求往供需平衡邁進(jìn)。

·DRAM 市場

縱觀 DRAM 近幾十年的發(fā)展史可以發(fā)現(xiàn)，全球 DRAM 產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷過兩次轉(zhuǎn)移，第一次是上世紀(jì) 80 年代的美日間轉(zhuǎn)移，第二次是 90 年代日韓間轉(zhuǎn)移。伴隨產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，市場多次兼并重組，企業(yè)數(shù)從 90 年代的十幾家銳減至 5 家左右，隨后奇夢達(dá)和爾必達(dá)破產(chǎn)被并購，DRAM 行業(yè)進(jìn)入三寡頭壟斷格局。

三星電子依托韓國政府背后的支持，在行業(yè)低谷期多次利用“反周期”定律，加劇行業(yè)虧損，迫使同行業(yè)企業(yè)破產(chǎn)，最終牢牢占據(jù)行業(yè)頭把交椅。據(jù) TrendForce 的統(tǒng)計顯示，三星市場占有率達(dá)到 43.9％、SK 海力士排名第二為 29.5％、美光位列第三，市場占有率為 23.5%，三者合計市占率超過 96%。

三寡頭 DRAM 概況：

三星：DRAM 產(chǎn)品有 4 個廠，自 2016 年 10 月全數(shù)轉(zhuǎn)為 12 寸產(chǎn)線，2017 年產(chǎn)能月產(chǎn) 39.5 萬片。今年三星有意擴(kuò)產(chǎn)在平澤廠 2 樓 DRAM 產(chǎn)能，包括西翼樓 2 樓擴(kuò)充每月 2 萬片 1x 納米產(chǎn)能，在東翼樓 2 樓每月擴(kuò)充 6.5 萬片 1y 納米產(chǎn)能，目前已于上半年完成第一階段每月增產(chǎn) 3.5 萬片，但因為 1y 納米的微縮難度比預(yù)期高，無法有效降低單位生產(chǎn)成本，所以 Q3 擴(kuò)增 3 萬片月產(chǎn)能計劃已暫緩，后續(xù)再視情況啟動。

SK 海力士：源于韓國現(xiàn)代科技，世界第二大 DRAM 制造商。公司目前在韓國有 1 條 8 英寸晶圓生產(chǎn)線和 2 條 12 英寸生產(chǎn)線，在美國俄勒岡州有一條 8 英寸生產(chǎn)線，在中國無錫有一條 12 英寸生產(chǎn)線，在***也有產(chǎn)線，并和***茂德有長期合作，同時在歐洲有研發(fā)中心。SK 海力士于 2015 年建成 M14 新制造中心，M15 正在韓國清州建設(shè)中，目前 M16 計劃在京畿道利川市的總部建造。SK 海力士整體月產(chǎn)能約 300-305 千片。

美光：半導(dǎo)體制造廠分布在美國，中國，日本等全球各地。近年來美光通過并購爾必達(dá)、瑞晶，整合華亞科產(chǎn)能，大幅提升自身產(chǎn)能接近 90%，目前美光 DRAM 產(chǎn)能大約為 34 萬片 / 月，主要分布在 Fab11（華亞科代工）、Fab15（爾必達(dá)）、Fab16（瑞晶）和 Fab6，除 Fab16 還有 1~2 萬片的空間外，其余擴(kuò)產(chǎn)空間不大。

·NAND 市場

根據(jù) TrendForce 的統(tǒng)計顯示，2018 年全球 NAND Flash 前五強(qiáng)分別為：三星（35％）、鎧俠（19.2％）、西部數(shù)據(jù)（14.9％）、美光科技（12.9％）和 SK 海力士（10.6％），前五大廠商一共拿下了 92.6%的市場，如果再加上第六的英特爾，占比將超過 99%。

在 NAND Flash 市場，三星、SK 海力士均已宣布新一代 128 層 3D TLC NAND 已開始量產(chǎn)或送樣，2020 年西部數(shù)據(jù)、鎧俠、美光等 128 層 3D NAND 也將面世，英特爾甚至將在 2020 年推出 144 層 QLC NAND，同業(yè)者之間的競爭如火如荼。

三星：延續(xù)在服務(wù)器、移動設(shè)備等高容量產(chǎn)品的優(yōu)勢，隨著 Intel 新平臺以及下半年多款旗艦機(jī)陸續(xù)推出，三星第三季出貨較第二季成長逾 10%，庫存水位于第三季達(dá)到平穩(wěn)，平均銷售單價跌幅則收斂至 5%以內(nèi)，營收達(dá)到 39.87 億美元，較第二季成長 5.9%。從產(chǎn)能分析，三星仍照原計劃逐季縮減 Line12 的 2D NAND 產(chǎn)品，并在持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)新制程的同時，維持相同的 3D NAND 投片規(guī)模。在新產(chǎn)能方面，西安二期仍依規(guī)劃于 2020 年上半年投產(chǎn)，而平澤二廠預(yù)定明年下半年開始營運(yùn)。

鎧俠：盡管受到廠區(qū)跳電事件影響，但受惠于旺季需求拉升以及蘋果新機(jī)備貨的需求的帶動下，出貨仍較前一季成長逾 20%，但由于平均銷售單價下跌約 5%，使得整體營收來到 22.27 億美元，季成長 14.3%。從產(chǎn)能方面觀察，跳電廠區(qū)雖已恢復(fù)全線營運(yùn)，但已影響其今年產(chǎn)品產(chǎn)出，增長低于其他競爭者。在 2020 年規(guī)劃方面，巖手縣 K1 廠已于 10 月竣工，預(yù)計最快在 2020 年上半年提供產(chǎn)出，有助于位元產(chǎn)出的市場占比回到之前水平。

西部數(shù)據(jù)：在旺季需求推動下，西數(shù)第三季出貨增約 9%，而平均銷售單價也因鎧俠廠區(qū)跳電事件以及需求增加而止跌，帶動第三季營收達(dá) 16.32 億美元，較上季成長 8.4%。從產(chǎn)能規(guī)劃來看，鎧俠廠區(qū)跳電后，產(chǎn)線于七月中旬起逐漸恢復(fù)，關(guān)于產(chǎn)能損失的最新說法為 4 Exabytes。而在新產(chǎn)線的部分，西數(shù)第三季在巖手縣 K1 廠投資達(dá) 6，400 萬美元，預(yù)計 2020 年起提供 BiCS4 或更先進(jìn)制程的產(chǎn)出。

美光：基于移動設(shè)備出貨成長以及客戶端備貨需求涌現(xiàn)，美光第三季 NAND Flash 營收較上季成長 4.7%，達(dá) 15.3 億美元。在位元出貨方面，由于 7、8 月有客戶轉(zhuǎn)單，本季成長逾 10%，但平均銷售單價季度跌幅仍逾 5%。在產(chǎn)能方面，美光于八月宣布新加坡新廠正式投入營運(yùn)，將對轉(zhuǎn)進(jìn)新制程結(jié)構(gòu)有助益，至于其他在新加坡以及 Manassas 的產(chǎn)能則未有太多變化。

SK 海力士：在第二季出貨大幅成長 40%后，SK Hynix 第三季出貨稍微放緩，季減 1%，但受惠于價格逐漸穩(wěn)定以及 Wafer 產(chǎn)品銷售比重下降，平均銷售單價較前一季上漲 4%，使得整體 NAND Flash 營收達(dá) 11.46 億美元，季成長 3.5%。以產(chǎn)能規(guī)劃而言，受到 2D NAND 產(chǎn)能縮減影響，今年 SK Hynix 整體產(chǎn)能呈現(xiàn)逐季遞減，而主流的 3D NAND 則小幅擴(kuò)產(chǎn)，新增產(chǎn)能主要設(shè)于 M15。

上文提到，DRAM 和 NAND 市場正處于周期性波動的下行階段。因此，行業(yè)廠商不僅要面對產(chǎn)業(yè)周期性變化帶來的利潤下降，DRAM 和 NAND Flash 技術(shù)的推進(jìn)也使得企業(yè)投入的資金增加，獲利變得更加艱難。

隨著內(nèi)存價格的觸底，以及對 2020 年市場需求的看好，近期內(nèi)存行情開始出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī)，多應(yīng)用市場內(nèi)存產(chǎn)品價格逐漸上漲。

同時，隨著中國芯片國產(chǎn)化進(jìn)程的加速，新晉者的加入，戰(zhàn)局再度升溫。對于三星、SK 海力士、美光等存儲大廠而言，一定程度上將刺激在存儲戰(zhàn)略布局上加快步伐，力圖在下一波存儲行情上行之前，提高技術(shù)研發(fā)水平，穩(wěn)固市場地位，響應(yīng)存儲市場周期性變化，提高企業(yè)獲利的能力。

中國存儲企業(yè)何時登場？

根據(jù)中國海關(guān)總署公布的數(shù)據(jù)顯示，2018 全年，中國進(jìn)口集成電路進(jìn)口總金額高達(dá) 3120.58 億美元。其中，存儲器進(jìn)口金額就高達(dá) 1230.83 億美元（進(jìn)口金額同比增長 1188.99%），占總進(jìn)口額的 39.4%。

數(shù)據(jù)顯示，2018 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模已達(dá) 4779.4 億美元，其中全球存儲芯片市場規(guī)模大概在 1700 億美元。也就是說，粗略的估算，2018 年中國的存儲器進(jìn)口金額占 2018 年全球半導(dǎo)體市場的 25.8%，占全球存儲芯片產(chǎn)值的 72.4%。

顯然，我國作為全球最大的存儲芯片消耗國，如果無法實(shí)現(xiàn)存儲芯片的自主的話，那么則意味著關(guān)鍵命脈被掌握在國外廠商手中。而且，存儲芯片是數(shù)據(jù)的最重要的載體，關(guān)乎到各行各業(yè)的信息數(shù)據(jù)的安全。

所幸的是，隨著國產(chǎn)存儲廠商長江存儲、長鑫存儲的相繼量產(chǎn)，國外廠商對于存儲芯片的壟斷開始被打破。

2016 年是中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的元年，福建晉華集成、合肥長鑫存儲和武漢長江存儲分別成立于 2 月 26 日、6 月 13 日、7 月 26 日，短短 5 個月，中國大陸三大存儲器公司相繼成立。

而 2019 年可謂是中國大陸公司全面進(jìn)軍存儲器市場的元年。首先是長江存儲 32 層 3D NAND Flash 進(jìn)入量產(chǎn)階段，接著在 9 月 2 日宣布 64 層 3D NAND Flash 投產(chǎn)；然后是 9 月 20 日合肥長鑫宣布中國大陸第一座 12 英寸 DRAM 工廠投產(chǎn)，并宣布首個 19 納米工藝制造的 8Gb DDR4。

三年時間，中國相繼攻克了 3D NAND Flash 和 DRAM 技術(shù)，解決了大陸存儲器有無的問題。下一步要解決的是良率提升、產(chǎn)能爬坡以及下一代技術(shù)的研發(fā)等問題。

國產(chǎn) NAND Flash 領(lǐng)域的突破

·長江存儲

2016 年 7 月，由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立國產(chǎn)存儲領(lǐng)域的“航母”——長江存儲。據(jù)統(tǒng)計，長江存儲總投資約 1600 億美元。其中紫光集團(tuán)占股 51.04%。

長江存儲采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，已于 2017 年研制成功了中國第一顆 3D NAND 閃存芯片。而隨著 2018 年長江存儲的 32 層 NAND Flash 的量產(chǎn)，國產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。不過，由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大，所以并不會影響到市場。

直到今年 9 月長江存儲正式宣布量產(chǎn)基于自研的 Xtacking 架構(gòu)的 64 層 256Gb TLC 3D NAND Flash 的量產(chǎn)，逐漸能夠?qū)δ壳暗闹械投耸袌鲂纬蔂帄Z。

其中值得一提的是，據(jù)長江存儲介紹，該 64 層 256Gb TLC 3D NAND Flash 閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求，與目前業(yè)界已上市的 64/72 層 3D NAND 閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。

產(chǎn)能方面，長江存儲武漢廠目前的產(chǎn)能大概在 2 萬片 / 月的產(chǎn)能。根據(jù)規(guī)劃，2020 年底長江存儲的 64 層 3D NAND 閃存的產(chǎn)能有望提升至 6 萬片晶圓 / 月的規(guī)模。2020 年，長江存儲會跳過 96 層堆棧直接殺向 128 層堆棧，力求進(jìn)一步縮短與三星、東芝等公司的差距。

此外，為了擴(kuò)充產(chǎn)能，2018 年 10 月 12 日，總投資達(dá) 240 億美元的紫光成都存儲器制造基地項目開工，該項目將建設(shè) 12 英寸 3D NAND Flash 晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。據(jù)預(yù)計，長江存儲成都廠將于 2020 年二季度投產(chǎn)，屆時可能會有 0.5 萬片 / 月的產(chǎn)能，到 2020 年四季度產(chǎn)能可爬升到 2 萬片 / 月。

屆時整個長江存儲的 3D NAND Flash 的產(chǎn)能將達(dá)到 8 萬片 / 月，在整個全球 3D NAND Flash 產(chǎn)能當(dāng)中的占比達(dá)到 4.6%，已經(jīng)是與英特爾的 8.5 萬片 / 月的產(chǎn)能相接近。

在技術(shù)演進(jìn)上，在今年順利量產(chǎn) 64 層 3D NAND Flash 之后，長江存儲會跳過 96 層堆棧直接殺向 128 層堆棧，這也意味著，2020 年長江存儲將會全力進(jìn)行 128 層 3D NAND Flash 的研發(fā)。據(jù)集邦咨詢預(yù)計，長江存儲有望在 2021 年初實(shí)現(xiàn) 128 層 TLC 3D NAND Flash 的量產(chǎn)。

相信隨著長江存儲產(chǎn)能和技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和成熟，將進(jìn)一步縮短與三星、SK 海力士、東芝等公司之間的差距。

·兆易創(chuàng)新

2005 年兆易創(chuàng)新成立，以 SRAM 起家，后續(xù)陸續(xù)量產(chǎn)不同制程的 NOR Flash 產(chǎn)品，此外，兆易創(chuàng)新在 NAND 方面也早已開始布局，2013 年 3 月全球首顆 SPI NAND Flash 量產(chǎn)，采用 WSON8 封裝。目前，兆易創(chuàng)新 NOR Flash 在開發(fā)的有 55 納米、45 納米，而 NAND 也在從 38 納米推向 24 納米。

國產(chǎn) DRAM 領(lǐng)域的突圍

·長鑫存儲

長鑫存儲成立于 2016 年，通過與奇夢達(dá)的合作將一千多萬份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù)收歸囊中，成為了長鑫存儲最初的 DRAM 技術(shù)來源之一。

經(jīng)過數(shù)年的研發(fā)，2019 年 9 月 19 日合肥長鑫存儲正式宣布自主研發(fā)的基于 19nm 工藝制造的 8Gb DDR4 芯片正式量產(chǎn)。

根據(jù)規(guī)劃，長鑫存儲合肥 12 英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產(chǎn)能為 12 萬片，預(yù)計分為三個階段執(zhí)行，第一階段要完成單月 4 萬片，目前為 2 萬片，2020 年第一季底達(dá)到 4 萬片。2020 年開始規(guī)劃建設(shè)二期項目，并于 2021 年完成 17nm 工藝的 DRAM 研發(fā)。

從目前長鑫存儲的現(xiàn)狀及規(guī)劃來看，其產(chǎn)能仍十分有限，與全球前三的廠商明年所能達(dá)到的月產(chǎn)能超過 130 萬片晶圓的投片量相比，仍存在較大差距。但是，隨著長鑫存儲技術(shù)及產(chǎn)能的持續(xù)提升，未來仍有希望在全球 DRAM 市場占據(jù)重要一席之地。

·紫光集團(tuán)

除了長鑫存儲之外，紫光集團(tuán)今年 6 月 30 日宣布，決定組建紫光集團(tuán) DRAM 事業(yè)群，全力加速發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。今年 8 月底，紫光集團(tuán)又跟重慶市政府簽署投資協(xié)議，宣布在重慶建設(shè) DRAM 事業(yè)群總部及內(nèi)存芯片工廠，預(yù)計今年底動工。有消息稱，紫光計劃在 2021 年實(shí)現(xiàn) DRAM 芯片的量產(chǎn)。

資料顯示，紫光集團(tuán)早在 2015 年就開始布局 DRAM，先是延攬高啟全加入紫光集團(tuán)，同時紫光國微又收購了奇夢達(dá)公司成立紫光國芯（原西安華芯）。從紫光國微的年報披露情況看，該團(tuán)隊的 DRAM 產(chǎn)品銷售收入每年約在 5~6 億人民幣之間，其產(chǎn)品自行設(shè)計，在境外代工。此外，2015 年，紫光集團(tuán)還試圖通過收購美光進(jìn)入 DRAM 和 3D NAND 領(lǐng)域，但收購美光受到美國政府的阻擊，未能如愿以償。

可以看到，紫光集團(tuán)想要進(jìn)入 DRAM 領(lǐng)域預(yù)謀已久。

·福建晉華

福建晉華成立于 2016 年，是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資設(shè)立的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，晉華項目已列入國家 “十三五（2016～2020 年） ”集成電路生產(chǎn)力規(guī)劃的重要布局中，并且獲得國家專項建設(shè)基金支持，也就是來自福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金的投資。該基金目標(biāo)規(guī)模為 500 億人民幣。

2017 年 11 月，由聯(lián)電與福建晉華集成電路公司合作的 12 寸隨機(jī)存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)線主廠房正式封頂。該 FAB 主廠房，面積達(dá) 27.4 萬平方米，原計劃于 2018 年下半年投入使用。

根據(jù)規(guī)劃，福建晉華的制造技術(shù)工作主要交由聯(lián)電進(jìn)行，整體晉華項目的第 1 期，總計將投入 53 億美元，于 2018 年第 3 季正式投產(chǎn)，屆時導(dǎo)入 32 納米制程的 12 寸晶圓月產(chǎn)能，預(yù)計達(dá)到 6 萬片的規(guī)模。公司目標(biāo)最終推出 20 納米產(chǎn)品，規(guī)劃到 2025 年四期建成月產(chǎn)能 24 萬片。

然而，理想很美好，現(xiàn)實(shí)很骨感。由于福建晉華和美光之間的訴訟，美國當(dāng)?shù)貢r間 10 月 29 日，美國將福建晉華列入了出口管制的實(shí)體清單。兩天之后，聯(lián)電也宣布暫停為福建晉華提供研發(fā)協(xié)助。至此福建晉華的 DRAM 幾乎陷入停滯。

據(jù)了解，當(dāng)時福建晉華已有 200 臺的半導(dǎo)體設(shè)備到位，并且計劃在年底進(jìn)行小量投片試產(chǎn)，預(yù)計 2019 年初可以幾千片的規(guī)模進(jìn)入投產(chǎn)，即將要成為國產(chǎn)第一家量產(chǎn) DRAM 芯片的廠商。然而由于美方的禁令，使得很多相關(guān)設(shè)備和技術(shù)供應(yīng)商停止了支持。

不過，近日有晉華高層在活動中現(xiàn)身表示，目前福建晉華仍在低調(diào)運(yùn)作當(dāng)中。雖然美系供應(yīng)商中斷了合作，但是晉華并未坐以待斃，而是轉(zhuǎn)向了日韓供應(yīng)商，繼續(xù)去推動整個項目的運(yùn)作，預(yù)計明年會有一些成果。

DRAM、NAND 之外，其它存儲器

其他存儲器類型還包括 SRAM（易失性存儲）和幾種 ROM（非易失性存儲）、FRAM、MRAM、RRAM 等，但目前市場普及度都比較低。

隨著 5G、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，終端需求的轉(zhuǎn)變，開始尋求多種新型存儲介質(zhì)和存儲解決方案。

近幾年來國內(nèi)也對 STT-MRAM、PCRAM（相變存儲器）、RRAM（阻變存儲器）、FRAM、MRAM、等新一代存儲芯片技術(shù)進(jìn)行研究來擴(kuò)充國內(nèi)企業(yè)在存儲芯片行業(yè)的技術(shù)儲備，雖然距離產(chǎn)業(yè)化有一定距離，但基礎(chǔ)技術(shù)的儲備能夠使得國內(nèi)存儲芯片企業(yè)在面對下一次存儲器技術(shù)變革時把握機(jī)遇，提前做一些準(zhǔn)備。

存儲控制器

在存儲領(lǐng)域中，除了存儲芯片之外，存儲控制芯片也是一種極其重要的芯片，該芯片是 CPU 與存儲器之間數(shù)據(jù)交換的中介，決定了存儲器最大容量、存取速度等多個重要參數(shù)。特別是在 AI、5G、自動駕駛時代，對于數(shù)據(jù)處理及存儲速度要求越來越高，控制芯片性能直接影響著計算能力，其重要性不言而喻。

近年來，存儲控制器作為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一，在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中，其關(guān)鍵性地位更是與日俱增。

隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的遷移，國內(nèi)涌現(xiàn)出了大批存儲控制器芯片廠商，在硬盤（HDD）控制器、存儲卡控制器、UFD 控制器、SSD 控制器、橋接控制器逐步實(shí)現(xiàn)自主化，并在向高階控制器方向發(fā)展。

對此，筆者對國內(nèi)存儲控制芯片領(lǐng)域代表廠商做一下簡單梳理：

·國科微

國科微電子股份有限公司成立于 2008 年，致力于智能機(jī)頂盒、智能監(jiān)控、存儲、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域大規(guī)模集成電路及解決方案開發(fā)。

2015 年，國科微成功研發(fā) GK21 系列高端固態(tài)存儲控制器芯片；2016 年率先推出支持國密算法的 GK23 系列與 GK81 系列固態(tài)存儲控制器芯片；2019 年發(fā)布國內(nèi)首款全國產(chǎn)固態(tài)硬盤控制芯片 GK2302，搭載龍芯嵌入式 CPU IP 核，成為真正實(shí)現(xiàn)全國產(chǎn)化的固態(tài)硬盤控制芯片，存儲容量最高可達(dá) 4TB，滿足絕大多數(shù)政府和企業(yè)辦公需求。

·憶芯科技

北京憶芯科技有限公司于 2015 年底正式成立，技術(shù)團(tuán)隊由業(yè)界 IC 專家和資深工程師組成，業(yè)務(wù)方向覆蓋消費(fèi)級和企業(yè)級 SSD 主控芯片，以及從端到云一站式存儲方案。

其自主研發(fā)的高性能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000 已量產(chǎn)出貨，全新一代高性能低功耗 NVMe SSD 主控 STAR1000P 于 2019 年推向市場。

·聯(lián)蕓科技

杭州聯(lián)蕓科技成立于 2014 年，公司以數(shù)據(jù)存儲控制、信息安全、SoC 芯片為核心研發(fā)方向，是目前國際上為數(shù)不多掌握閃存控制核心技術(shù)的企業(yè)之一。

聯(lián)蕓科技率先實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)首款 40 納米固態(tài)硬盤（SSD）主控芯片、NAND 顆粒自適配、高性能 LDPC 糾錯技術(shù)以及高性能、高穩(wěn)定性、低功耗的 SSD 固態(tài)硬盤解決方案。

代表產(chǎn)品：MAXIO‘s 固態(tài)硬盤主控芯片。

·得一微電子

深圳市得一微電子成立于 2017 年，由硅格半導(dǎo)體（成立于 2007）與立而鼎科技（成立于 2015）兩家公司合并而成，專注于消費(fèi)級和企業(yè)級固態(tài)存儲控制芯片設(shè)計和服務(wù)，掌握了業(yè)界多項關(guān)鍵技術(shù)，擁有多項國內(nèi)外核心發(fā)明專利。

公司具備成熟的存儲控制芯片設(shè)計流程，在產(chǎn)品定義、技術(shù)整合、構(gòu)架創(chuàng)新、固件支持等方面不斷突破，2019 年已經(jīng)完成了從消費(fèi)級到企業(yè)級布局，產(chǎn)品覆蓋入門消費(fèi)級、高端消費(fèi)級乃至企業(yè)級固態(tài)硬盤的全系列控制器。通過持續(xù)化的技術(shù)創(chuàng)新、專業(yè)化的技術(shù)支持、一站式的服務(wù)，得一微電子幫助客戶實(shí)現(xiàn)從 Assembly（裝配）、Production（生產(chǎn)）到 QC（質(zhì)量控制）等環(huán)節(jié)的服務(wù)，實(shí)現(xiàn)更快的設(shè)計周期、更高的資源利用效率、更可靠的存儲系統(tǒng)。

主要產(chǎn)品有 PCIe SSD Controller、SATA SSD Controller、UFS Controller、eMMC Controller、USB Controller、SD Controller 以及 Security Storage Controller。

·華瀾微電子

杭州華瀾微電子股份有限公司成立于 2011 年，專業(yè)從事數(shù)據(jù)存儲和信息安全的核心技術(shù)研究，提供數(shù)據(jù)存儲和信息安全領(lǐng)域的集成電路芯片和技術(shù)方案，是我國唯一全系列擁有數(shù)碼存儲控制器芯片的高科技公司。

公司積累和掌握了 IEEE 1394、SD/MMC/eMMC、USB、IDE/SATA、PCIe 等高速接口技術(shù)，建立起了固態(tài)硬盤多核并行、模塊陣列等多個先進(jìn)架構(gòu)。存儲產(chǎn)品覆蓋了存儲卡、USB 盤、固態(tài)硬盤系列。通過并購了美國 initio （晶量）公司的橋接（Bridge）芯片產(chǎn)品線，形成了 initio Bridge 芯片系列。

代表產(chǎn)品：S68X 系列固態(tài)存儲控制器芯片。

·深圳大心電子

深圳大心電子成立于 2014 年底，專注于固態(tài)硬盤的技術(shù)研發(fā)與設(shè)計。在 NVMe 控制器，LDPC 錯誤更正，以及固件支持上，有著領(lǐng)先業(yè)界的技術(shù)，已獲得多項專利。Orion 系列芯片，于 2016 下半年導(dǎo)入量產(chǎn)。

2019 年 1 月推出最新一代的 PCIe SSD 主控芯片 Libra EP280，目標(biāo)定位在高階消費(fèi)類、數(shù)據(jù)中心、及入門企業(yè)級的應(yīng)用。

·華存電子

江蘇華存電子成立于 2017 年，是江蘇省南通市第一家高階存儲產(chǎn)品主控設(shè)計公司，致力于提升國內(nèi)存儲控制器和存儲產(chǎn)品自制技術(shù)能力。

2018 年 11 月，華存電子發(fā)布自研嵌入式 40 納米工規(guī)級存儲芯片 HC5001 及應(yīng)用存儲解決方案。支持第 5.1 版內(nèi)嵌式存儲器標(biāo)淮（eMMC5.1）、支持立體結(jié)構(gòu)閃存材料（3D TLC NAND Flash）、支持隨機(jī)讀出寫入閃存高穩(wěn)定度效能算法（FTL）、支持高速閃存接口（ONFI3.2/ToggIe2.0）、支持高可靠度低密度奇偶校驗碼糾錯驗算法（LDPC），以及 40nm 工藝制程滿足了高效能低功耗工規(guī)級別 eMMC 嵌入式存儲裝置需求。

·兆芯電子

合肥兆芯電子成立于 2015 年，主要從事閃存芯片相關(guān)的 eMMC、SSD 等控制芯片以及整機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計研發(fā)和銷售，專精于內(nèi)嵌式儲存裝置（Embedded）、固態(tài)儲存裝置及保密性存儲器相關(guān)技術(shù)的應(yīng)用。

合肥兆芯電子擁有 USB&Memory Card、SSD Drive、SSD Module、SSD Mobile Embedded、eMMC 的成熟團(tuán)隊，爭創(chuàng) USB 隨身碟、SD 記憶卡、eMMC、PATA 與 SATA 固態(tài)磁盤等控制芯片領(lǐng)域的領(lǐng)頭者。

·江波龍電子

深圳市江波龍電子成立于 1999 年，是一家聚焦 NAND 閃存應(yīng)用和存儲芯片定制、存儲軟件開發(fā)的中國存儲企業(yè)，旗下?lián)碛猩罡袠I(yè)應(yīng)用的嵌入式存儲品牌 FORESEE 和高端消費(fèi)類存儲品牌 Lexar 雷克沙。秉承 DMS（Design、Module、Service）特色服務(wù)體系，江波龍電子持續(xù)為全球用戶提供高質(zhì)量的存儲創(chuàng)新產(chǎn)品。

江波龍電子致力于順應(yīng)市場需求進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā)，為客戶提供廣泛的、高性能、創(chuàng)新性的閃存應(yīng)用產(chǎn)品和解決方案。憑借在自主研發(fā)、IC 固件設(shè)計、封裝基板設(shè)計和全面品質(zhì)管理等方面的實(shí)力，為客戶提供有競爭力的存儲產(chǎn)品，并不斷擴(kuò)展 NAND 閃存產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。

·海思

據(jù)了解，華為海思也擁有 SSD 控制器芯片，不過主要用于公司內(nèi)部的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品，并不對外界市場進(jìn)行銷售，據(jù)傳言其產(chǎn)品性能十分良好。

本土存儲產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

通過上述內(nèi)容可以看到，國際大廠仍占據(jù)存儲市場主要地位，那么本土廠商存在哪些機(jī)遇和挑戰(zhàn)？

筆者認(rèn)為，本土存儲企業(yè)面臨以下機(jī)遇和挑戰(zhàn)：

機(jī)遇

·日韓貿(mào)易爭端，韓國存儲企業(yè)受此牽連，給了本土企業(yè)更多追趕的利好；

·存儲市場供過于求，處于下行周期，國際大廠保守發(fā)展之際，本土廠商正是加速研發(fā)，趁機(jī)追趕的時機(jī)；

·國內(nèi)產(chǎn)業(yè)政策投資持續(xù)加碼，推出了一系列政策加強(qiáng)對信息安全的把控，而“芯片國產(chǎn)化”就是具體表現(xiàn)方式之一。從芯片國產(chǎn)化具體的實(shí)施過程中，存儲器行業(yè)成為了國家投資的重要方向；

·中國龐大內(nèi)需市場優(yōu)勢，目前已成為全球最大集成電路消費(fèi)市場，存儲器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢必會在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場、政策等基礎(chǔ)。

挑戰(zhàn)

·身處存儲產(chǎn)業(yè)，則存儲市場疲軟在某方面是機(jī)遇，但也是挑戰(zhàn)；

·國際存儲廠商呈壟斷局面，市場占比對本土企業(yè)來講是挑戰(zhàn)所在；

·技術(shù)、工藝、性能、專利壁壘等方面均存在不小差距和挑戰(zhàn)，本土廠商還需突破。

結(jié)語

存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展情形已如上所述，結(jié)語不再過多贅述。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推動之下，過去幾十年中，存儲行業(yè)玩家你方唱罷我登場。

幾經(jīng)行業(yè)周期變換之中，韓國存儲大廠何時唱罷？中國存儲企業(yè)何時登場？

這一疑問被扔進(jìn)產(chǎn)業(yè)的旋渦洪流中，盤旋起伏。