2 月 28 日訊，回想一下，2017~2018 年，什么理財產品最火爆？

答案是內存條，一年時間，小小的內存條價格翻了 3 倍，還經常買不到。

內存（DRAM）即動態隨機存取存儲器，是半導體行業中體量最大的一塊，無論是手機、PC 還是服務器，都需要 DRAM 作為數據傳輸的通道。

如果說處理器等領域，中國在半導體行業還有些存在感，那么存儲市場就幾乎為零了。現在，一家中國廠商，發布了第一顆 DDR4 規格的內存條。

“砸“出來的突破

長江存儲、合肥長鑫與福建晉華，是中國較為突出的三家存儲芯片企業，長江存儲主攻 NAND 也就是閃存，長鑫與晉華則是 DRAM（動態隨機存取存儲器）也就是我們平時所說的內存條。

2 月 26 日，長鑫存儲正式發布了其 DDR4、LPDDR4X 內存芯片，以及 DDR4 內存條、幾款產品均符合國際通行標準規范。

長鑫 DDR4 內存芯片可匹配主流市場需求，支持多領域應用、多產品組合，并有充分的可靠性保障，規格方面單顆容量 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，電壓 1.2V，工作溫度 0℃至 95℃，78ball、96ball FBGA 兩種封裝樣式。

根據此前消息，這些芯片都采用國產第一代 1Xnm 級工藝制造，預計到 2020 年底月產能可達 4 萬片晶圓。LPDDR4X 內存芯片號稱匹配主流需求，兼備高速度與低功耗，可提供超高續航能力、超低功耗設計、穩定流暢體驗，規格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ball FBGA 封裝。

LPDDR4X 內存芯片在規格方面單顆容量 2GB、4GB，頻率 3733MHz，電壓 1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度 -30℃至 85℃，200ballFBGA 封裝。

除了芯片以外，長鑫還推出了成品內存條，采用自家的原廠內存顆粒，容量為 8GB，DDR4，頻率為 2666Hz。

當然，這還不意味著你馬上就能買到國產的內存條，目前產品還未上架，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售咨詢，預計近期上市。

盡管在行業研發上 DDR4 不算是最先進的技術，但是在消費市場，DDR4 內存還是主流，頻率上也處在平均水準。

合肥長鑫于 2016 年由兆易創新、中芯國際前 CEO 王寧國與合肥產投簽訂協議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創新，目前，長鑫存儲員工總數超過 2700 人，技術人員超過 500 人。CEO 朱一明也是兆易創新的創始人，后者是全球最大的 NORFlash 供應商。

長鑫的建立和規劃，是半導體行業典型的“舉國體制”。

2017 年 9 月，國家集成電路產業投資基金一期宣布入股國產存儲芯片廠商兆易創新，取得約 11%股權，成為了其第二大股東。

次月，兆易創新發布公告，宣布與合肥產投簽署合作協議，研發 19nm 制程的 12 英寸晶圓 DRAM，預算為人民幣 180 億元，兆易創新出資 20%，預計在 2018 年底前研發成功，實現產品良率不低于 10%。

最終 19nm 姍姍來遲。2019 年，在安徽合肥召開的 2019 世界制造業大會上，總投資約 1500 億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，整個制造基地項目總投資超過 2200 億元，長鑫也正式宣布自主研發的基于 19nm 工藝制造的 8GbDDR4 芯片正式量產。

2019 年 12 月，長鑫存儲技術有限公司公布其最新的 DRAM 技術路線圖，將采用 19nm 工藝生產 4Gb 和 8GbDDR4，目標在 2020 年一季度實現商業化生產。目前長鑫月產能約為 2 萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠。

韓國半導體在各種超大規模的投資和收購中逐漸成長，我國的半導體行業也走在這樣的路上。

靠“買買買”追趕技術的長鑫

目前，全球 DRAM 市場基本上被美韓瓜分，三星、SK 海力士、美光的全球市場份額合計在 95%左右，而中國龐大的需求，只能依賴進口解決。

數據顯示，從 2008 年開始，我國集成電路進口額超過原油，連續 11 年成為我國第一大宗的進口商品；2019 年 1~9 月存儲芯片進口量為 2.5 億臺，累計增長 9.5%，進口金額為 1139 億元，累計增長 4%。

2018 年內存條成為理財產品的情景還歷歷在目，要想穩定市場價格，打破壟斷，就需要國產存儲器廠商們提升技術實力。

但是，半導體行業后來者入局難，除了需要投入高額的研發費用以外，專利也是關鍵的門檻。行業巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。

福建晉華就因為專利問題吃了大虧，不僅被禁售，DRAM 的研發計劃也被叫停。

而長鑫最關鍵的一波操作，是 2019 年，吃下了已經破產的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達的大量專利。

2019 年 5 月，長鑫 CEO 朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長鑫從已經破產的奇夢達處獲得了大量專利，并且在這個基礎上進行了創新，專利申請數量達到了 16000 個，還有 1000 多萬份、約 2.8TB 有關 DRAM 的技術文件。

2019 年底，長鑫又宣布其與 WiLANInc. 合資子公司 PolarisInnovationsLimited 有關達成專利許可協議和專利采購協議。

依據專利許可協議，長鑫存儲從 Polaris 獲得奇夢達（Qimonda）大量 DRAM 技術專利的實施許可，包括與 DRAM、FLASH 存儲器、半導體工藝、半導體制造、光刻（lithography）、封裝、半導體電路和存儲器接口（MemoryInterfaces）相關的技術，其中包括約 5000 種美國專利和申請。

專利不僅僅是為了提升技術實力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵。

當然，我國半導體行業依然是處在追趕階段。目前，長鑫存儲把將奇夢達的 46nm 工藝改進到了 10nm 級別，但制程也有高低之分。

如果用制程節點表示，1xnm 制程相當于 16~19nm，1ynm 制程相當于 14~16nm，1znm 制程相當于 12~14nm，此外行業還規劃了 1α、1β和 1γ節點。

其中，長鑫的 10nm 存儲芯片屬于第一代的 1xnm，而美光與 SK 海力士已經開始量產第二代 1ynm 制程。今年初的 CES 上，美光就展示了基于 1ynm 的 12GLPDDR5 內存，由小米 10 首發，同時美光也表示今年晚些時候會推出 1znm 級的產品。

而三星電子則是正式宣布已開始量產用于旗艦級手機的 16GBLPDDR5 內存，還計劃在今年下半年量產基于 10nm 級（1z）處理技術的 16GBLPDDR5 內存。

除了制程以外，產能也需要提升。

長鑫第一期投資約為 72 億美元，預計產能就有 12.5 萬片晶圓 / 月。當然這是理想結果，長鑫預計 2019 年底能達到 4 萬片晶圓 / 月，達到全球產能的 3%。作為對比，三星等巨頭單月產量能達到 130 萬片，還有較大差距。

2020 年，回暖的存儲市場

DRAM 是計算設備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM 一直是半導體行業出貨的主力軍。

ICInsights《2020~2024 年全球晶圓產能報告》顯示，DRAM 在 2019 年預期銷售金額將下降 38%，但仍將成為所有半導體產品中銷售金額最大的產品，占總半導體銷售總金額 17%，市場將達 620 億美元規模。

銷售額下降主要是因為 2018 年價格的飛漲，這一年也是自 1990 年以來，DRAM 銷售額首次超過微處理器（MPU）的總銷售額。

2018 年前后熱炒內存，是由于上游閃存顆粒嚴重缺貨，導致存儲芯片難產，價格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機，因此開始擴充產能，以填補市場空缺。

但隨后市場開始低迷，產能過剩，存儲芯片價格又開始走跌。

目前，市場開始穩定下來，一些機構預熱今年市場將回溫。ICInsights 的報告就指出，部分存儲芯片廠重啟產能擴充計劃，預計 2020 年及 2021 年全球新增晶圓產能將大幅增加，進入高速擴張期。

任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應商***旺宏電子（Macronix）也預測，2020 年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩定復蘇。

除了價格周期以外，技術的更新換代也將到來。

回顧歷史，2000 年推出了 DDR，2003 年 DDR2，2007 年 DDR3，2014 年 DDR4。按照規劃，2020 年開始 DDR5 會逐漸走入消費市場，首先是移動設備，然后是 PC。

此外，5G 和云的持續發展，也是存儲市場回暖的一個推手。

5G 網絡的推進，也會促進 LPDDR5 的應用與普及，高速的網絡需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動產品事業部市場副總裁 ChristopherMoore 就表示，5G 網絡的部署將大大促進 LPDDR5 的應用與普及。

此外，服務器端、云存儲、汽車等領域，都將逐漸采用 DDR5 規格，用來滿足日益增長的性能需求。到 2022 年前后，DDR5/LPDDR5 有望超越 DDR4 成為市場主流。

長鑫存儲的規劃圖顯示，公司下一代將推出第二代 10nm（17nm）技術，DDR5 也在下一期規劃當中。

總之，今年是存儲市場開始回暖的一年，對于中國存儲來說，長鑫的 DDR4 是一個節點，標志著中國的 DRAM 在應用市場追上了主流水平。不過，技術上的差距仍然肉眼可見。

未來幾年，隨著 PC 市場也開始過渡到 DDR5。以后的國產手機上，說不定就會裝著我們國產的內存，這對于進一步國產化來說，是不小的里成本。相信在未來，我國的科技企業也會不斷進步，獲得更大的成功。