DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲器，DRAM通常被稱為內存，也有些朋友會把手機中的Flash閃存誤會成內存。SRAM的存在感相對較弱，但他卻是CPU性能發揮的關鍵。DRAM、SRAM和Flash有何區別，它們是怎樣工作的？

DRAM：動態隨機存取存儲器

DRAM的全稱是Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器。“隨機存取”意味著CPU可以存取其中的的任意位置，而不像硬盤那樣每次存取要以扇區為單位進行。

而“動態”是因為DRAM的工作采用電容原理，為了防止漏電引發數據錯誤，需要定時重復刷新。當電源中斷后DRAM中的數據就會全部丟失，所以它屬于“易失型”存儲器。

SRAM：靜態隨機存取存儲器

SRAM的存在感比較弱，因為多數時候它并不是像DRAM那樣以內存條的形式直接展現在大家面前。CPU中集成的高速緩存就屬于SRAM（Static Random-Access Memory，靜態隨機存取存儲器）。在一些無DRAM緩存設計的固態硬盤（如東芝TR200）中，主控內會集成小容量的SRAM緩存。

SRAM存儲單元是由6個晶體管制成的簡單鎖存器，無需刷新和回寫就能保留數據，速度比DRAM更快。但由于集成度低，SRAM容量比DRAM小，成本比DRAM高，所以在大多數地方只能以較小的容量作為高速緩存使用。斷電后SRAM中的數據也會丟失，同樣屬于“易失性”存儲器。

Flash：閃存存儲器

鎧俠（原東芝存儲）在上世紀80年代發明NAND型閃存。閃存可以在斷電后持續保存數據，但是它無法隨機存取，最小讀寫單元是Page頁（早期為4KB，當前多為16KB），最小擦除單位是Block塊（當前為16MB左右）。

閃存使用特殊的“浮柵層”（Floating Gate）來存儲數據，氧化物層（Oxide Layer）的存在可防止浮柵層中電子流失，這是它能夠在斷電后繼續保存數據的原因。

Flash閃存的1個存儲單元存儲多位數據，這是DRAM和SRAM都做不到的。根據浮柵層中電子的多少，每個存儲單元可以表達1比特（SLC）、2比特（MLC）、3比特（TLC）或4比特（QLC）數據。

閃存的寫入和擦除基于量子隧道效應，每個單元可以存儲的數據越多，對躍遷到浮柵層的電子數量控制越嚴苛，寫入速度也越慢，所以TLC的閃存性能優于QLC。

當前的3D閃存在結構上跟傳統閃存又有所不同。3D閃存的單元排列從水平變更為立體的同時，閃存單元的結構也變為類似于圓柱形，Floating Gate浮柵也被Charge Trap電荷捕獲結構代替。

新一代固態硬盤上已經用上96層堆疊技術的3D閃存，而下一代100+層堆疊的閃存也已完成研發并將很快進入量產階段，在容量、性能和成本上取得新的進步。

總結：DRAM是內存（動態刷新，斷電丟數據），SRAM是高速緩存（無需刷新，斷電丟數據），Flash（無需刷新，斷電不丟數據）通常作為硬盤。從容量上看SRAM《DRAM《Flash，從性能上看則正好反過來。DRAM和SRAM斷電后數據會丟失，寫入Flash閃存的數據則可以在斷電后持續保留。