意法半導(dǎo)體提供各種非易失性存儲器。 串行EEPROM系列具有1Kb ~ 2Mb的存儲容量，提供了不同的串行接口選項：I2C、SPI和Microwire。 它們還符合汽車級產(chǎn)品的要求，采用超薄封裝，適于空間至關(guān)重要的應(yīng)用。
2013-03-22 17:19:50
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是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當?shù)臅r候增加
2022-07-01 11:17:26698 我們在前面開發(fā)過AT24CXX系列EEPROM存儲器，它使用的是I2C接口。不過有時候我們也會使用SPI接口的EEPROM存儲器。在這一篇我們將來討論AT25XXX系列EEPROM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用。
2022-12-07 16:51:242934 
概述在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新
2023-08-09 14:32:40399 
/01095D.PDFI有一個關(guān)于如何使用這個問題的簡單問題。圖書館如何決定它將在哪里寫入程序存儲器？我擔(dān)心的是，寫操作會破壞現(xiàn)有的程序指令代碼。 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I found
2019-02-25 13:08:08
AVR系列單片機有哪幾種存儲器？AVR系列單片機在程序中如何訪問FLASH程序存儲器？EEPROM數(shù)據(jù)存儲器操作方式有哪幾種？
2021-09-23 08:13:11
非易失性存儲器主要是用來存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。EEPROM的存儲原理EEPROM即電
2020-12-16 16:27:22
串行EEPROM存儲器及應(yīng)用
2017-02-05 13:47:29
紫外線)、EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。問題是，ROM明明叫只讀存儲器
2012-01-06 22:58:43
。由于 ORG 不是普通動態(tài)變化的，所以與主機相連的是 C、D、Q 和 S 這 4 根線。圖 2 顯示了主機與多個 Microwire 存儲器的連接實例。下面我們簡述 Microwire 總線的各個信號
2018-04-18 10:26:55
硬磁材料、環(huán)狀元件（4）光盤存儲器激光、磁光材料2.按存取方式分類（1）存取時間與物理地址無關(guān)（隨機訪問）隨機存儲器在程序的執(zhí)行過程中 可讀可寫只讀存儲器 在程序的執(zhí)行過程中 只讀（2）存取時間與物理地址有關(guān)（串行訪問）順序存取存儲器磁帶直
2021-07-29 07:40:10
存儲器重映射。1、存儲區(qū)域功能規(guī)劃：在這 4GB 的地址空間中，ARM 已經(jīng)粗線條的平均分成了 8 個塊，每塊 512MB，每個塊也都規(guī)定了用途，具體分類見表格 5-1。每個塊的大小都有 512MB
2021-08-20 06:29:52
存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射，如果再分配一個地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
擦除，擦除后又可重新寫入新的程序。 4、可電改寫只讀存儲器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新寫入新的程序。 4、可電改寫只讀存儲器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-10-24 14:31:49
**第一至第三章**Q1. 若存儲器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位，存取周期為200ns，則存儲器的帶寬是多少？存儲器的帶寬指單位時間內(nèi)從存儲器進出信息的最大數(shù)量。存儲器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
ATmega168 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器進行讀/寫訪問的步驟
2020-11-16 06:50:11
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
電壓即可進行電可擦除和重復(fù)編程,成本低及密度大,因而廣泛用于嵌入式系統(tǒng)中。與RAM 不同的是,Flash存儲器除了具有一些典型的存儲器故障類型外,還會出現(xiàn)一些其它的故障類型，例如 NOR類型的Flash
2020-11-16 14:33:15
（最初宣布推出的器件為 512KB 或 1MB）。此外，該存儲器也可配置為全高速緩存、全存儲器映射 SRAM（默認），或是 32、64、128、256 或 512KB 四路集關(guān)聯(lián)高速緩存選項的組合。 至
2011-08-13 15:45:42
公司推出的大大容量串行Flash存儲器產(chǎn)品——MultiMediaCard(MMC)，通常叫作多媒體卡。它的體積比 SmartMedia還要小，不怕沖擊，可反復(fù)讀寫記錄30萬次，驅(qū)動電壓2.7
2019-06-20 05:00:05
PIC的程序存儲器是FLASH存儲器，主要存儲程序代碼，掉電不丟失。數(shù)據(jù)存儲器是SRAM，主要存儲一些程序的變量，掉電丟失。EEPROM一般存儲程序中的重要數(shù)據(jù)，掉電也不丟失。區(qū)別：FLASH：只能
2021-11-24 08:12:26
℃和-40℃~125℃。這些EEPROM提供1Kband 1Mb的存儲密度，并在400KHz至10MHz的輸入頻率下工作。推薦產(chǎn)品：BR24T16F-WE2；BR24T16FVT-WE2
2019-11-15 09:16:49
Only Memory)為非易失性存儲器，可在基板上進行電氣改寫。可以字節(jié)(byte)為單位進行改寫，最適于保存數(shù)據(jù)。ROHM的串行EEPROM是實現(xiàn)了高可靠性的最頂級系列，備有各種容量、接口和封裝類型
2019-07-11 04:20:11
當系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
、汽車、軍事、游戲及計算機等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲器的理想代替產(chǎn)品。此外，Ramtron已計劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產(chǎn)品。 
2008-10-08 09:23:16
中。一個字里的最低地址字節(jié)被認為是該字的最低有效字節(jié)，而最高地址字節(jié)是最高有效字節(jié)。可訪問的存儲器空間被分成8個主要塊，每個塊為512MB。其他所有沒有分配給片上存儲器和外設(shè)的存儲器空間都是保留的地址空間。1. FLASHFlash主存儲區(qū)從0x0800 0000地址開始，不同系列器件有不同大小，這里
2021-08-02 06:06:32
：Flash、SRAM等。只有加入了這些東西，才能成為一個擁有實際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域，每塊區(qū)域大小為512MB。對STM32存儲器知識
2018-08-14 09:22:26
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
用STM32F103單片機時都要外接一個AT2402 這個EEPROM存儲器。單片機本身自帶有程序存儲器， 請問為什么還要加這個EEPROM呢?這個EEPROM主要是存放什么程序或數(shù)據(jù)呢？
2013-08-20 19:13:53
用電就能擦除或者重新改寫數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長（幾萬到幾十萬次不等）。FLASH，稱之為閃速存儲器，屬于EEPROM的改進產(chǎn)品，它的最大特點是必須按塊(Block)擦除(每個區(qū)塊的大小不定
2021-11-24 09:13:46
。
EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對于紫外擦除的rom來講的。但是今天已經(jīng)存在多種
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
我可以使用M24SR EEPROM存儲器存儲通用數(shù)據(jù)和NFC數(shù)據(jù)嗎？ EEPROM中是否有用于存儲通用數(shù)據(jù)的用戶空間？以上來自于谷歌翻譯以下為原文 Can i use M24SR EEPROM
2019-07-30 14:25:06
描述用 Arduino 設(shè)計我自己的 EEPROM 外部存儲器 PROGRAMMER / RECORDER | 24LC256讀/寫
2022-07-26 06:59:44
寬度為16位;當PRGW引腳為高電平時程序存儲器寬度為32位。 STRBO和STRBl各為一組訪問外部存儲器的選通信號，各有4個信號引腳(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2
2019-06-14 05:00:08
用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
IAM即將完成PSOC3（我的第一個主要項目）的創(chuàng)建者項目，并希望在發(fā)布之前使用一些閃存保護。在TRM或某個地方，閃存保護不能用于保存SPC數(shù)據(jù)（如EEPROM存儲器）的字節(jié)。我的問題是：如何識別
2019-06-18 09:14:56
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機存儲器（FRAM） RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
用于串行總線應(yīng)用的示波器分段存儲器
2012-11-01 15:32:39
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強相關(guān)性，使用N削D來獲得高寫入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對一個困難即在長時間的休止狀態(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲器：新的儲存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
簡易串行存儲器拷貝器相關(guān)資料下載
2021-05-14 07:59:03
不使用ISO-DEP協(xié)議的情況下直接訪問EEPROM存儲器，而是使用標準I2C命令訪問EEPROM存儲器的位置。 在我的固件中，我只需要訪問NDEF文本文件進行讀取并讀取該文件的前10個字節(jié)。 所以
2019-08-02 14:41:04
請問一下與EEPROM存儲器相關(guān)的寄存器有哪些？分別有什么作用？
2021-07-08 06:55:19
ATtiny2313 EEPROM數(shù)據(jù)存儲器是什么
2020-11-11 06:20:22
的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。盡管不斷有供應(yīng)商退出 SRAM 市場，賽普拉斯依然不斷進行技術(shù)創(chuàng)新、為客戶提供專業(yè)可靠的存儲器。賽普拉斯作為眾多客戶首選的 SRAM 供應(yīng)商，我們承諾將支持最豐富的產(chǎn)品系列、較快的產(chǎn)品
2020-09-01 19:40:50
集成鐵電存儲器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
本篇文章介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計算。
2020-12-31 06:11:04
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
DataFlash 是Atmel 公司新推出的大容量串行Flash 存儲器產(chǎn)品，具有體積小、容量大、功耗低和硬件接口簡單的特點，非常易于構(gòu)成微型測量系統(tǒng)。本文重點介紹此類存儲器與單片機的
2009-05-14 16:28:15
16 存儲器的種類很多，按存儲類型來分，可分為FLASH存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、SRAM存儲器等。FLASH的特點是必擦除以后才能編程；EEPROM寫入速度較慢，通常為ms（毫秒）級，不
2010-08-09 14:52:2059 本文主要介紹了鐵電存儲器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲器不僅克服了EEPROM和Flash存儲器寫入時間長、擦寫次數(shù)少等缺點，而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護功能，1MB
2010-12-03 16:29:3355 1-Wire®串行存儲器產(chǎn)品通過單線連接為你的產(chǎn)品添加存儲器！
1-Wire串行存儲器產(chǎn)品提供EEPROM和EPROM存儲矩陣，能夠通過單線1-Wire接口供
2009-04-20 23:22:421388 
意法半導(dǎo)體推出雙接口串行接口EEPROM存儲器M24LR64
意法半導(dǎo)體宣布一全新射頻EEPROM芯片系列的首款產(chǎn)品M24LR64樣片正式上市。新產(chǎn)品能
2010-03-20 18:46:001150 存儲器卡,存儲器卡是什么意思
存儲器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時延 DRAM。
2011-01-25 09:18:04634 串行EEPROM存儲器及應(yīng)用
2016-12-11 23:41:100 上海， 2016-11-08——富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:03:201539 FLASH存儲器又稱閃存 ，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:3722155 FLASH存儲器又稱閃存，是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:1715617 在單片機的內(nèi)部集成有一定數(shù)量的EEPROM存儲空間，如Microchip、ST等等。本文首先介紹了比較典型的串行EEPROM和集成EEPRO
2017-12-01 03:46:00752 
2MB嵌入式閃存，SAM4SD32是工業(yè)和消費者的要求增加了程序存儲器，數(shù)據(jù)存儲和低功耗應(yīng)用的理想設(shè)備。這些應(yīng)用包括無線自動調(diào)溫器，GPS運動手表，智能電表和1D條形碼閱讀器。有線和無線通信協(xié)議棧，多語言和多應(yīng)用的支持，和數(shù)據(jù)記錄的要求正在推動在這些應(yīng)用需要更高的存儲密度。
2018-07-17 15:28:00615 大多數(shù)嵌入式控制系統(tǒng)都需要非易失性存儲器。由于串行EEPROM具有體積小、字節(jié)數(shù)選擇靈活、I/O引腳數(shù)需求低、功耗低以及成本低的特點，使之成為非易失性存儲器的首選。Microchip提供完整的串行
2018-04-24 16:00:098 本視頻介紹串行EEPROM器件和串行SRAM存儲器的產(chǎn)品系列的優(yōu)點、封裝、總線選擇及質(zhì)量體系。
2018-06-06 01:45:004898 大多數(shù)嵌入式控制系統(tǒng)都需要非易失性存儲器。由于其外形小巧、提供字節(jié)級靈活性、 I/O 引腳要求低、低功耗和低成本等特點，串行 EEPROM 成為非易失性存儲器
2018-06-19 17:26:0026 MPLAB 串行存儲器產(chǎn)品入門工具包是一款易于使用且功能強大的工具，方便用戶對串行存儲器應(yīng)用進行設(shè)計和故障診斷。除了編程和讀取所有 Microchip 串行存儲器器件的內(nèi)容外，它還有助于了解存儲器器件和單片機之間的通信，并對應(yīng)用中的問題進行故障診斷。
2018-06-14 08:27:004 據(jù)加拿大阿爾伯塔大學(xué)官網(wǎng)近日消息，該校科學(xué)家完善相關(guān)技術(shù)，研制出了迄今儲存密度最高的固態(tài)存儲器，其存儲能力相比目前計算機存儲設(shè)備提高了1000倍。
2018-08-05 10:42:474478 努比亞紅魔Mars電競手機將正式在努比亞官網(wǎng)、京東商城等平臺開售。紅魔Mars電競手機是真正為游戲而生的手機，搭載高通驍龍845處理器，配備最高10GB+256GB超大內(nèi)存組合，其安兔兔評分高達32萬分以上，是迄今為止跑分最高的驍龍845游戲手機。
2018-12-05 16:25:163686 除了提供迄今為止最高的量子體積之外，IBM Q System One 的性能還反映了 IBM 所測量到的最低錯誤率，平均 2-qubit gate 的錯誤率小于 2%，其最佳 gate 的錯誤率小于1%。
2019-03-10 09:07:004137 
Microchip 今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品，與當前的串行NVRAM產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品可為系統(tǒng)設(shè)計人員節(jié)省高達25%的成本。
2019-12-03 18:05:28822 按照每比特存儲單價計算，目前用于這些數(shù)據(jù)記錄的低密度（64 Kb至1Mb）非易失性串行RAM（NVRAM）解決方案通常是成本最高的終端產(chǎn)品。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出全新系列的串行外設(shè)接口（SPI）EERAM存儲器產(chǎn)品。
2019-12-05 08:53:473283 12月10日下午，Redmi K30系列在北京亮相。5G版起售價1999元（6GB+64GB），這是迄今為止性價比最高的雙模5G手機，沒有之一。
2019-12-10 17:52:25650 羅切斯特團隊使用光子學(xué)研究人員廣泛采用的材料——鈮酸鋰，制造了他們認為“迄今為止最小的電光調(diào)制器”。該調(diào)制器是光子學(xué)芯片的關(guān)鍵元件，控制光在電路中的移動方式。
2020-09-07 15:08:308479 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是AT25512存儲器EEPROM代碼免費下載，基于SPI通信的EEPROM存儲器數(shù)據(jù)代碼。
2020-10-09 08:00:0027 串行接口存儲器廣泛應(yīng)用于消費類、汽車、電信、醫(yī)療、工業(yè)和 PC 相關(guān)市場。串行存儲器主要用于存儲個人偏好數(shù)據(jù)和配置/設(shè)置數(shù)據(jù)，是當今使用的最為靈活的非易失性存儲器（Nonvolatile
2021-03-31 11:14:477 應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
數(shù)據(jù)。MB85RC04V使用的非易失性存儲單元的讀/寫壽命提高到至少1012個周期，在數(shù)量上明顯優(yōu)于其他非易失性存儲產(chǎn)品。MB85RC04V鐵電存儲器在寫入存儲器后不需要輪詢序列，例如閃存或E2PROM的情況。 特點 ?位配置：512字×8位 ?兩線串行接口：完全由兩個端口控制：串行時鐘（SCL）和串行
2022-01-18 16:48:461069 EEPROM（Electrically Erasable Programmable readonly memory）是指帶電可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。
2022-03-20 14:37:292848 富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用Arduino設(shè)計EEPROM外部存儲器PROGRAMMER/RECORDER.zip》資料免費下載
2022-07-22 09:33:251 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用工作負載需要未來的存儲器產(chǎn)品能夠提供與今天基于并行DDR的存儲產(chǎn)品相同的高性能帶寬、低延遲和可靠性。CXL平臺是近年來最大的行業(yè)顛覆性技術(shù)之一，為CPU帶來了新的標準串行接口，可將存儲器擴展到并行DDR接口之外，為數(shù)據(jù)中心提供更高的效率和性能。
2022-08-03 15:52:341086 EEPROM存儲器SOP-82KB1MHz
2022-08-19 15:54:043 Stability AI 宣布推出迄今為止最強大的小語言模型之一 Stable LM 2 1.6B。
2024-01-23 10:11:21238 
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