幾年前，IDC預(yù)測(cè)，到2025年，普通人每天與聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的互動(dòng)次數(shù)將達(dá)到4800次。從這些傳感器涌入的信息將推動(dòng)機(jī)器學(xué)習(xí)、語(yǔ)言處理和人工智能，所有這些都需要快速存儲(chǔ)和更大的計(jì)算能力。下一代內(nèi)存技術(shù)將解決當(dāng)前存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中的缺陷，將數(shù)據(jù)交付到需要實(shí)時(shí)處理的地方。

　　新興的存儲(chǔ)器技術(shù)保證了在沒(méi)有SRAM和DRAM的高成本或功耗的情況下，將大量數(shù)據(jù)保持在離處理器更近的位置。大多數(shù)都是非易失性的，就像SSD內(nèi)部的NAND閃存，而且比NVMe附加的固態(tài)硬盤快得多。

　　在本文里，我們將研究六種新型存儲(chǔ)技術(shù)，它們可以解決即將到來(lái)的大數(shù)據(jù)瓶頸。當(dāng)中主要介紹了英特爾的Optane、兩種類型的磁阻RAM（MRAM）和電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）、納米管RAM、鐵電RAM和相變存儲(chǔ)器。

　　首先我們看一下新內(nèi)存技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)：

　　IntelOptaneDC持久內(nèi)存：針對(duì)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載調(diào)整的非易失性高容量?jī)?nèi)存。可通過(guò)內(nèi)存操作或塊存儲(chǔ)訪問(wèn)。

　　MRAM：非易失性存儲(chǔ)器，可以完全斷電，然后快速喚醒，以便在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用程序中進(jìn)行快速寫入。

　　ReRAM：承諾將在數(shù)據(jù)中心的DRAM和flash之間架起一座橋梁。整個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)在快速、非易失性的ReRAM中將徹底改變內(nèi)存計(jì)算。

　　納米管RAM：非易失性存儲(chǔ)器，具有DRAM級(jí)的性能和令人難以置信的數(shù)據(jù)保留能力。與DDR協(xié)議的兼容性意味著我們可以看到配備NRAM的DIMM能夠插入內(nèi)存插槽。

　　相變存儲(chǔ)器：與當(dāng)今的NAND閃存類似，相變存儲(chǔ)器是非易失性的。具有更好的寫入性能，出色的耐久性和更低的功耗的潛力。

　　鐵電RAM：盡管它的密度很低，但在數(shù)據(jù)持久性、低功耗和幾乎無(wú)限寫持久性的應(yīng)用中，它是SRAM的一個(gè)可行替代品。

　　為大數(shù)據(jù)做準(zhǔn)備

　　計(jì)算性能的增長(zhǎng)速度是數(shù)據(jù)訪問(wèn)技術(shù)無(wú)法比擬的。當(dāng)大規(guī)模并行CPU或?qū)ｉT構(gòu)建的加速器耗盡超高速緩存或高速系統(tǒng)內(nèi)存時(shí)，它們被迫進(jìn)入基于磁盤的慢速存儲(chǔ)，以獲取字節(jié)，并逐漸停止。更大的SRAM緩存有助于保持熱（hot）數(shù)據(jù)在手邊，豐富的DRAM為內(nèi)存計(jì)算創(chuàng)造奇跡。然而，這兩種類型的存儲(chǔ)都很昂貴。它們本質(zhì)上也是不穩(wěn)定的，我們需要探索更好的方式來(lái)保存數(shù)據(jù)。而通過(guò)增加這兩種存儲(chǔ)的方法來(lái)解決等待實(shí)時(shí)分析的龐大數(shù)據(jù)量的方法都是不經(jīng)濟(jì)。

　　英特爾非易失性內(nèi)存解決方案部門的高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理RobCrooke這樣總結(jié)了基本的挑戰(zhàn)：“DRAM不足以解決當(dāng)今的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析問(wèn)題，傳統(tǒng)的存儲(chǔ)速度又不夠快。”

　　上圖：新興的存儲(chǔ)技術(shù)有助于縮小flash和DRAM之間的差距，前者容量大但速度相對(duì)較慢，而DRAM速度快但容量有限。

　　據(jù)介紹，該公司的Optane技術(shù)適用于拉近系統(tǒng)內(nèi)存和基于閃存的固態(tài)硬盤之間日益增長(zhǎng)的差距，可能會(huì)增強(qiáng)分析、人工智能和內(nèi)容交付網(wǎng)絡(luò)。DRAM非常適合內(nèi)存處理，但它的容量也有限。當(dāng)固態(tài)硬盤擴(kuò)展到大規(guī)模部署時(shí)，每千兆字節(jié)的SSD成本要低得多。它們只是沒(méi)有實(shí)時(shí)事務(wù)操作的性能。而Optane被設(shè)計(jì)來(lái)“連接這兩個(gè)世界”。

　　Optane采用獨(dú)特的架構(gòu)，該架構(gòu)由堆疊在密集的三維矩陣中的可單獨(dú)尋址的存儲(chǔ)單元組成。英特爾并未透露其基于Optane打造的設(shè)備中使用的技術(shù)的具體信息。但是，我們確實(shí)知道Optane可以像DRAM或SSD一樣工作，而這具體取決于其配置。

　　英特爾的OptaneDC持久性內(nèi)存放入連接到CPU內(nèi)存控制器的標(biāo)準(zhǔn)DIMM插槽中。它最大可提供512GB的容量，可容納的數(shù)據(jù)量是最大DDR4模塊的幾倍。斷電時(shí)，在AppDirect模式下運(yùn)行的OptaneDC永久內(nèi)存DIMM的有關(guān)信息將保留。相反，諸如DRAM之類的易失性存儲(chǔ)技術(shù)如果不經(jīng)常刷新，則會(huì)迅速丟失數(shù)據(jù)。軟件確實(shí)需要針對(duì)英特爾的技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。但是，正確的調(diào)整可以讓性能受限的應(yīng)用程序以低延遲的內(nèi)存操作訪問(wèn)OptaneDC永久內(nèi)存。

　　另外，也可以在內(nèi)存模式下使用DIMM，將它們與易失性內(nèi)存共存以擴(kuò)展容量。無(wú)需重寫軟件即可在“內(nèi)存模式”下部署OptaneDC永久內(nèi)存。

　　這項(xiàng)技術(shù)也可以用于英特爾所謂的“應(yīng)用程序直接存儲(chǔ)”（StorageOverAppDirectMode）模式，在這種模式下，可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的文件API訪問(wèn)持久內(nèi)存地址空間。希望使用塊存儲(chǔ)的應(yīng)用程序可以直接訪問(wèn)OptaneDC持久存儲(chǔ)模塊的應(yīng)用程序區(qū)域，而不需要進(jìn)行任何特殊的優(yōu)化。與在I/O總線上移動(dòng)數(shù)據(jù)相比，這樣做的好處是提高了性能。

　　不管應(yīng)用程序如何使用OptaneDC永久存儲(chǔ)器，該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)都一樣：容量，性能和持久性。內(nèi)存占用量大的數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序（認(rèn)為云和基礎(chǔ)架構(gòu)即服務(wù)）是直接受益者。內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)，存儲(chǔ)緩存層和網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化也是如此。

　　MRAM在邊緣展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)

　　Optane的主要目標(biāo)是數(shù)據(jù)中心，而磁阻存儲(chǔ)器（MRAM）在很多物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上都有應(yīng)用前景。

　　讓我們來(lái)看看應(yīng)用材料公司記憶組的常務(wù)董事MahendraPakala博士的一篇博客文章中的一個(gè)例子。它使用了一個(gè)帶有語(yǔ)音和面部識(shí)別的安全攝像頭，作為MRAM良好工作的一個(gè)例子。你希望攝像頭在邊緣處理盡可能多的數(shù)據(jù)，只上傳對(duì)云計(jì)算有意義的信息。然而，功耗成為當(dāng)中一個(gè)最受關(guān)注的問(wèn)題。但Pakala博士表示，如今的邊緣設(shè)備主要使用的是SRAM存儲(chǔ)器，這種存儲(chǔ)器每個(gè)cell最多可使用6個(gè)晶體管，而且可能會(huì)受到高有源漏電功率（highactiveleakagepower）的影響，從而影響效率。作為一種替代方案，MRAM可以將使晶體管密度提高數(shù)倍，從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度或更小的芯片尺寸。更大的容量，更緊湊的芯片，更低的功耗，聽(tīng)起來(lái)像是所有處于邊緣處理器的勝利。

　　MRAM中的數(shù)據(jù)是由一對(duì)鐵磁板形成的磁性元件來(lái)存儲(chǔ)的，這對(duì)鐵磁板之間由薄的介電隧道絕緣體隔開(kāi)。其中一個(gè)板塊的極性是永久性的，而另一個(gè)板塊的磁化強(qiáng)度會(huì)改變，以存儲(chǔ)0和1。這些板塊在一起形成了一個(gè)磁性隧道結(jié)（MTJ），組成內(nèi)存設(shè)備的構(gòu)件。

　　與Optane一樣，MRAM也是非易失性的。EverspinTechnologies是MRAM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者之一，該公司表示，存儲(chǔ)在其ToggleMRAM中的數(shù)據(jù)在常溫下可以保存20年。MRAM也非常快。Everspin聲稱同時(shí)讀寫延遲在35ns范圍內(nèi)。這接近于SRAM所“吹噓”的性能，使得MRAM成為當(dāng)今幾乎所有易失性存儲(chǔ)器的有吸引力的替代品。

　　與傳統(tǒng)的DRAM和閃存相比，MRAM的一個(gè)明顯差距在其容量方面。如Everspin最近發(fā)布了一個(gè)32Mb的設(shè)備。但相比之下，最大的每單元4位的NAND部件提供了4Tb的密度。但MRAM更有理由在物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域脫穎而出，因?yàn)槠湫阅堋⒊志眯院蜔o(wú)限的續(xù)航能力足以彌補(bǔ)其容量的不足。

　　STT-MRAM則是磁阻技術(shù)（magneto-resistive）的一種變體，其工作原理是利用極化電流（polarizingcurrent）操縱電子自旋。它的機(jī)制比切換MRAMs需要更少的轉(zhuǎn)換能量，從而降低了功耗。STT-MRAM也具有更好的可伸縮性。Everspin的獨(dú)立MRAM有256Mb和1Gb的密度。像Phison這樣的公司可以將其中的一個(gè)放到flash控制器旁邊，并獲得驚人的緩存性能和額外的斷電保護(hù)。你不必?fù)?dān)心購(gòu)買內(nèi)置電池備份的SSD。進(jìn)行中的數(shù)據(jù)傳輸始終將是安全的，即使在意外停機(jī)的情況下也是如此。

　　英特爾（Intel）、臺(tái)積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）等代工廠對(duì)STT-MRAM感興趣的另一個(gè)目的是：他們希望將其嵌入微控制器中。這些設(shè)計(jì)中目前使用的NOR閃存很難擴(kuò)展到較小的制造節(jié)點(diǎn)，而MRAM的集成更經(jīng)濟(jì)。實(shí)際上，英特爾已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，展示了其可將22nmFinFET低功耗工藝與7.2MbMRAM陣列集成的可量產(chǎn)方案。該公司表示，MRAM作為嵌入式非易失性存儲(chǔ)器，是具有片上啟動(dòng)數(shù)據(jù)要求的IoT、FPGA和芯片組的潛在解決方案。

　　ReRAM可能是內(nèi)存計(jì)算的解決方案

　　在宣布成功將MRAM與22FFL制造集成幾個(gè)月后，英特爾還在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上發(fā)表了一篇演講，介紹了一種嵌入同一進(jìn)程節(jié)點(diǎn)的3.6Mb電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）宏（macro）。

　　ReRAM是另一種類型的非易失性存儲(chǔ)器，它宣揚(yáng)低功耗、高密度以及介于DRAM和閃存之間的性能。然而，MRAM的特性預(yù)示著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的生命，但ReRAM正在為數(shù)據(jù)中心事業(yè)做準(zhǔn)備，以縮小服務(wù)器內(nèi)存和SSD之間的差距。

　　上圖：Crossbar的ReRAM技術(shù)：在兩個(gè)電極之間的電介質(zhì)中形成納米薄膜，并通過(guò)不同的電壓水平進(jìn)行復(fù)位，創(chuàng)建低阻和高阻路徑。

　　有幾家公司正在開(kāi)發(fā)使用多種材料的ReRAM。例如，Crossbar的ReRAM技術(shù)使用了一種夾在頂部和底部電極之間的硅基開(kāi)關(guān)材料。當(dāng)電極之間施加電壓時(shí)，在電介質(zhì)中形成nanofilament，形成低電阻路徑（low-resistancepath）。然后filament可以通過(guò)另一個(gè)電壓復(fù)位。英特爾則使用了一種位于氧氣交換層（oxygenexchangelayer）下的氧化鉭（tantalumoxide）high-K介質(zhì)，在電極之間創(chuàng)建了空缺（vacancies）。這兩個(gè)cell在組成上不同，但是執(zhí)行相同的功能，與NAND閃存相比，具有更快的讀寫性能。

　　應(yīng)用材料公司的Pakala博士則表示，ReRAM似乎是內(nèi)存計(jì)算中最可行的存儲(chǔ)技術(shù)，數(shù)據(jù)保存在RAM中而不是磁盤的數(shù)據(jù)庫(kù)中。“可以利用歐姆定律和基爾霍夫定律在陣列內(nèi)完成矩陣乘法，而無(wú)需將權(quán)重移入或移出芯片。多級(jí)單元架構(gòu)有望將存儲(chǔ)密度提高到一個(gè)新的水平，從而可以設(shè)計(jì)和使用更大的模型。”在DRAM中處理這些模型的成本非常高，這就是ReRAM的成本優(yōu)勢(shì)如此令人鼓舞的原因。

　　上圖：CrossBar的ReRAM可以嵌入SoC中，以實(shí)現(xiàn)快速、非易失的板載存儲(chǔ)。

　　納米管RAM瞄準(zhǔn)DRAM

　　納米管RAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，它具有DRAM級(jí)的性能和令人難以置信的數(shù)據(jù)保留能力。與DDR協(xié)議的兼容性意味著我們可以看到配備NRAM的DIMM能夠插入內(nèi)存插槽。而由Nantero開(kāi)發(fā)的NRAM是由碳納米管（CNT）存儲(chǔ)單元組成的，它能夠以極具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供極好的性能，數(shù)據(jù)持久性（如SSD中的NAND閃存），待機(jī)模式下的零功耗，以及出色的保存性。

　　上圖：CNT存儲(chǔ)單元的設(shè)置和復(fù)位狀態(tài)由高電阻和低電阻定義，它們對(duì)應(yīng)于1和0。

　　每個(gè)CNT單元由沉積在兩個(gè)電極之間的數(shù)百個(gè)碳納米管組成。在電極之間施加的開(kāi)關(guān)電壓迫使管子連接或斷開(kāi)，從而導(dǎo)致電阻變化，該電阻對(duì)應(yīng)于1和0。分子力足以有效地維持這些狀態(tài)，以使Nantero即使在300°C時(shí)也能擁有300多年的數(shù)據(jù)保留能力。

　　對(duì)于與DRAM一樣快的持久性內(nèi)存技術(shù)（也稱為內(nèi)存類存儲(chǔ)），業(yè)務(wù)案例并不缺乏。但在今年的存儲(chǔ)開(kāi)發(fā)者大會(huì)上，Nantero的首席系統(tǒng)架構(gòu)師BillGervasi讓我們領(lǐng)略了NRAM的世界。

　　“我們的碳納米管存儲(chǔ)器是作為一個(gè)交叉點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。我們要做的是取這些交點(diǎn)，然后在它前面放一個(gè)DDR4或DDR5PHY。我們正在做的是把DDR協(xié)議轉(zhuǎn)換成我們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。”

　　上圖：如果內(nèi)存類存儲(chǔ)能夠從配備NRAM的DIMM運(yùn)行所有工作負(fù)載，那這項(xiàng)技術(shù)的興起可能就是革命性的

　　同時(shí)擔(dān)任JEDEC非易失性存儲(chǔ)器委員會(huì)（JEDECnon-volatilememorycommittee）主席的格瓦西（Gervasi）接著描述了一種使用與DDR要求兼容的技術(shù)（如NRAM）替代DRAM的技術(shù)。這些新模塊很快將為完全無(wú)存儲(chǔ)系統(tǒng)鋪平道路。

　　任何想要在主存中安裝應(yīng)用程序的人都應(yīng)該對(duì)內(nèi)存類存儲(chǔ)的影響感到非常興奮，特別是因?yàn)樘岢龅腘VRAM標(biāo)準(zhǔn)增強(qiáng)了DDR5協(xié)議，支持每個(gè)設(shè)備128Tb（或16TB）。特別是對(duì)于內(nèi)存內(nèi)計(jì)算來(lái)說(shuō)，每個(gè)DIMM的內(nèi)存槽會(huì)有大量的NRAM。

　　相變存儲(chǔ)器：Optane可以證明這是可行的

　　在前面，我們介紹了Intel的OptaneDC持久內(nèi)存。但我們沒(méi)有確定Optane的底層技術(shù)，這是被Intel嚴(yán)密保護(hù)的。話雖如此，但近兩年的行業(yè)分析表明，Optane是一種相變存儲(chǔ)器（PCM）。由于Optane已經(jīng)在產(chǎn)生收益，到2029年，其他PCM也很有可能實(shí)現(xiàn)進(jìn)入一個(gè)價(jià)值高達(dá)200億美元的新興內(nèi)存市場(chǎng)。

　　圖：通過(guò)改變溫度，可以將硫?qū)倩锊Ａе糜跓o(wú)定形或結(jié)晶狀態(tài)，從而影響其電阻。

　　相變技術(shù)利用了硫系玻璃（chalcogenideglass）的新穎性能。短暫地施加高溫，讓玻璃冷卻，使其進(jìn)入無(wú)定形狀態(tài)，并具有高電阻。我們?cè)侔阉訜岬揭粋€(gè)較低的溫度，時(shí)間長(zhǎng)了之后，合金（alloy）就會(huì)恢復(fù)到低電阻的結(jié)晶狀態(tài)。

　　與閃存相比，PCM提供了更好的寫入性能。該技術(shù)還應(yīng)提供更高的耐用性，更低的功耗和更快的訪問(wèn)時(shí)間，這些都是滿足數(shù)據(jù)密集型計(jì)算引擎所需的特性。

　　在2019年閃存峰會(huì)的一次演講中，MKWVentures咨詢公司的MarkWebb預(yù)測(cè)，由英特爾以外的公司提出的基于pcm的芯片將在2020年出現(xiàn)。IBM、美光（Micron）、三星（Samsung）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和西部數(shù)據(jù)（WesternDigital）也都是這一領(lǐng)域的參與者。英特爾可以優(yōu)化其處理器和架構(gòu)，最大限度地從Optane的功能中獲益，因此它在任何即將到來(lái)的戰(zhàn)斗中都享有很大的優(yōu)勢(shì)。然而，在簡(jiǎn)化PCM技術(shù)方面還有很多工作要做，這可能會(huì)加劇競(jìng)爭(zhēng)。

　　AbuSebastian和他在IBM的研究團(tuán)隊(duì)正在探索僅使用一種化學(xué)元素-銻（antimony）來(lái)制造更小，更致密，更高效的PCM。盡管他們?nèi)栽谂κ共牧显谑覝叵虏粫?huì)快速結(jié)晶，但研究人員認(rèn)為他們可以增加其保留時(shí)間。如果成功，那么確保材料的一致性會(huì)變得更加容易，從而有可能提高耐久度。

　　FRAM填補(bǔ)了重要位置

　　上文提到的所有存儲(chǔ)技術(shù)都是非易失性的。然而其他方法提供了創(chuàng)新的方法來(lái)使大量持久性數(shù)據(jù)更接近計(jì)算資源，但鐵電RAM（FRAM）僅在密度高達(dá)8MB的情況下可用。換句話說(shuō)，您不會(huì)很快看到它位于服務(wù)器CPU的兩側(cè)。

　　然而，在持久性（本質(zhì)上是無(wú)限的寫持久性）和非常低的功耗優(yōu)先于成本或容量的應(yīng)用中，F(xiàn)RAM確實(shí)可以發(fā)揮作用。CypressSemiconductor和富士通（Fujitsu）是FRAM在大容量應(yīng)用領(lǐng)域的合作伙伴，它們認(rèn)為智能電表、汽車信息娛樂(lè)、可穿戴電子設(shè)備和車輛數(shù)據(jù)記錄器是該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用領(lǐng)域。

　　上圖：鋯鈦鉛（PZT）分子中的正電荷離子可能處于兩種低能態(tài)之一。這形成了FRAMs用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的鐵電性質(zhì)。

　　和DRAM一樣，F(xiàn)RAM是基于一個(gè)晶體管、一個(gè)電容的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。但是FRAM獨(dú)特地使用具有鐵電性質(zhì)的材料作為其電容介質(zhì)。電介質(zhì)的每個(gè)分子中間都有一個(gè)帶正電荷的離子，它具有兩種相等的低能態(tài)，可以通過(guò)向一個(gè)方向或另一個(gè)方向施加電場(chǎng)來(lái)設(shè)置。當(dāng)電力中斷，電壓降低時(shí)，這些狀態(tài)保持不變。

　　但是由于存儲(chǔ)單元電容器需要保持足夠的電荷以用于檢測(cè)放大器以檢測(cè)1和0，因此FRAM單元很大。幾家公司正在探索具有更好擴(kuò)展前景的傳統(tǒng)FRAM的替代方法。例如，F(xiàn)MC正在使用氧化鉿（已經(jīng)是標(biāo)準(zhǔn)高k金屬柵晶體管中的柵絕緣體）對(duì)其進(jìn)行改性，以賦予材料鐵電性能。

　　上圖：根據(jù)FMC，任何邏輯晶體管都可以通過(guò)賦予其氧化鉿絕緣體鐵電特性而轉(zhuǎn)變成存儲(chǔ)器。

　　業(yè)界仍在努力完善這種所謂的FeFET，但其擴(kuò)大鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)應(yīng)用范圍的潛力正引起關(guān)注。如果任何一種邏輯晶體管都能變成一個(gè)存儲(chǔ)單元，F(xiàn)eFET最終可能會(huì)比嵌入式閃存或與之競(jìng)爭(zhēng)的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)具有更高的性能、更低的功耗、更易于制造。在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用、消費(fèi)電子產(chǎn)品和汽車存儲(chǔ)領(lǐng)域保持FeFET的關(guān)注。該技術(shù)固有的抗篡改性能非常適合于增強(qiáng)卡芯片上的數(shù)據(jù)安全性，而輻射硬度能夠經(jīng)受住醫(yī)療和航空航天環(huán)境的嚴(yán)酷考驗(yàn)。

　　我們需要新的存儲(chǔ)技術(shù)

　　隨著需求的增加，DRAM和flash似乎已經(jīng)無(wú)法跟上生成的大量數(shù)據(jù)的需求。每個(gè)公司似乎都有存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)的可視化表示，在這兩種技術(shù)之間有一些差距。這個(gè)問(wèn)題只會(huì)變得更糟。

　　上圖：DRAM和NAND閃存之間可能存在多種非易失性內(nèi)存技術(shù)。

　　分析師MarkWebb認(rèn)為，DRAM將在未來(lái)五年內(nèi)繼續(xù)擴(kuò)展。但是，它的速度正在放緩，而DRAM易失的事實(shí)為數(shù)據(jù)丟失打開(kāi)了大門。至少NAND存儲(chǔ)器具有持久性。但是隨著flash規(guī)模縮放，耐用性和性能會(huì)受到打擊。因此，確實(shí)沒(méi)有一種技術(shù)是理想的。

　　作為回應(yīng)，業(yè)界正在努力尋找一種通用內(nèi)存，這種內(nèi)存能夠提供DRAM級(jí)的性能、數(shù)據(jù)持久性、無(wú)限的持久性以及比NAND的每比特成本更低。敬請(qǐng)期待。我們亟需一種新的存儲(chǔ)方法。

　　而我們也必須承認(rèn)，我們上面討論的新興記憶中沒(méi)有一個(gè)符合所有這些條件，但兩者的結(jié)合將保持大數(shù)據(jù)的流動(dòng)。不過(guò)隨著數(shù)據(jù)處理需求的增長(zhǎng)，我們必須密切關(guān)注存儲(chǔ)類內(nèi)存和內(nèi)存類存儲(chǔ)之類的術(shù)語(yǔ)。在這些保護(hù)傘下，新出現(xiàn)的記憶將被分類，增強(qiáng)DRAM和NAND閃存。

　　而EnergiasMarketResearch預(yù)計(jì)，MRAM市場(chǎng)從現(xiàn)在到2025年將迅速增長(zhǎng)，復(fù)合年增長(zhǎng)率也將高達(dá)49.6%，解釋這個(gè)市場(chǎng)容量將達(dá)到12億美元。CoughlinAssociates預(yù)測(cè)，3DXPointmemory——Optane的核心技術(shù)——到2028年將把英特爾的收入提高到160億美元。我們也的確需要新的內(nèi)存來(lái)解決即將到來(lái)的閃存、DRAM和SRAM的限制。

　　各大新興技術(shù)應(yīng)該努力，因?yàn)槲磥?lái)也不一定只有一個(gè)贏家。