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電子發燒友網>存儲技術>NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

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NAND 閃存滿足內存控制器要求

。 “每個人都習慣了閃存的密度每兩年左右翻一番,但他們沒有考慮到控制器以類似的速度變得越來越復雜的事實,”Objective Analysis 的首席分析師 Jim Handy 說。這使他們能夠從 SLCMLC、TLC 到 QLC,同時變得更快、穿得更好并添加功能。“我經常打趣說,控制
2022-07-20 10:35:27694

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

閃存顆粒常見的五種類型有哪些

MLC(全稱:Multi-Level Cell)又稱為雙層式儲存 ,即每單元存儲2bit信息(2bit/cell)。存儲容量比SLC大,成本相對于SLC大大降低。
2023-04-03 14:23:584387

鎧俠在閃存市場的底氣

眾所周知,鎧俠公司發明了NAND Flash。公司憑借其領先的三維(3D)垂直閃存單元結構BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場中名列前茅。與此同時,鎧俠還是第一個設想并準備將SLC技術成功遷移到MLC、再從MLC遷移到TLC、現在又從TLC遷移到QLC的行業參與者。
2023-04-14 09:17:03798

NAND閃存 – 多芯片系統驗證的關鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元(SLC閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位,因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197

蘋果閃存和固態硬盤的區別 固態硬盤為什么不建議分區

蘋果閃存和SSD都基于閃存技術,但存在一些細微差別。蘋果閃存是專為蘋果產品而開發的,使用NAND(非易失性閃存)芯片技術,而SSD可以是通用的,采用不同類型閃存芯片,如NANDMLC(多級單元)或TLC(三級單元)。
2023-07-19 15:21:372106

pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當今科技時代,數據存儲需求急劇增長,NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續發展。近年來,虛擬SLC(pSLC)閃存技術的引入,為數據存儲領域帶來了新的創新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

一、什么是pSLCpSLC(Pseudo-SingleLevelCell)即偽SLC,是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術,現NandFlash基本支持此功能,可以通過指令控制MLC進入
2023-08-11 11:33:30667

首顆自研2D MLC NAND Flash!江波龍構建完整的存儲芯片垂直整合能力

江波龍研發布局突破藩籬進入到集成電路設計領域,產品及服務獲得客戶高度認可。繼 自研SLC NAND Flash系列產品實現規模化量產 后,首顆 自研32Gb 2D MLC NAND Flash
2024-02-01 09:18:40127

江波龍推出首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash

江波龍,作為國內領先的半導體存儲企業,近日再次引發行業關注。繼自研SLC NAND Flash系列產品實現規模化量產之后,江波龍又成功推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash。這一
2024-02-01 15:04:05277

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