? 2022年4月20日，中國(guó)蘇州訊?—— 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品，為客戶帶來(lái)超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:03
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最近我在調(diào)試自制6657板子的DDR3初始化，發(fā)現(xiàn)一個(gè)很奇怪的現(xiàn)象，百思不得其解，我分別用GEL和KEYSTONE DDR3 INIT 在6657EVM開發(fā)板上做DDR3初始化，是沒有問題的，我用
2019-01-08 10:19:00
DDR31.DDR3概述DDR3內(nèi)存控制器主要用于以JESD79-3C標(biāo)準(zhǔn)做SDRAM設(shè)備的外部存儲(chǔ)接口。支持的內(nèi)存類型有DDR1 SDRAM,SDRSDRAM, SBSRAM。DDR3內(nèi)存控制器
2018-01-18 22:04:33
自己設(shè)計(jì)的板子，使用的DDR3型號(hào)為4片MT41J128M16HA125。芯片頻率是1600M，現(xiàn)配置PHY的參數(shù)如下：
現(xiàn)在對(duì)這個(gè)DQS和CK的值有些疑問，不知道這個(gè)值是否指的就啊PCB上
2018-06-21 17:25:42
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
規(guī)格和發(fā)展線路。我們可以通過顯存的演進(jìn)圖，明顯知道GDDR3與DDR3是兩種規(guī)格的顯存，DDR3提供和GDDR3一樣的性能，但是價(jià)格卻比GDDR3低很多，通過演進(jìn)圖的預(yù)測(cè)，以后的顯存市場(chǎng)將是GDDR5
2011-02-23 15:27:51
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個(gè)速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個(gè)說(shuō)明他們的最高工作頻率不能超過400MHz，533MHz。。。但還有一個(gè)最低工作頻率要求，請(qǐng)問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個(gè)指標(biāo)？為什么有這個(gè)要求？
2012-10-23 22:52:34
的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DDR3接口設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)比較困難，它采取了特有的Fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用
2014-12-15 14:17:46
通過
DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出內(nèi)存的大?。?/div>
2017-06-15 21:19:11
各位朋友有沒有遇到過DDR3 Vref 信號(hào)上100nF濾波電容失效的情況？我們板子用到了2顆DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管腳各自通過兩個(gè)10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個(gè)MEM_VREF管腳也是通過兩個(gè)1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
DDR3基礎(chǔ)詳解最近在IMX6平臺(tái)下做DDR3的測(cè)試接口開發(fā)，以前在學(xué)習(xí)嵌入式時(shí)，用的是官方源碼，沒有做過多的研究。此時(shí)需要仔細(xì)研究DDR3的引腳與時(shí)序，此篇是我在學(xué)習(xí)DDR3做的歸納與總結(jié)，其中有
2021-07-28 09:02:52
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說(shuō)DDR3的CS信號(hào)是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無(wú)法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí)，如果進(jìn)行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
專家，你好，想節(jié)省代碼設(shè)計(jì)的周期，請(qǐng)問是否可以提供6670的DDR3的驅(qū)動(dòng)例子？謝謝
2018-06-21 13:34:52
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
你好，ISE版本為13.3，modelsim版本為10.1c 64bit.MIG工具為ddr3生成mcb。modelsim的transcript窗口中的消息如下
2019-07-08 08:44:42
? ? ? BeagleBone的參考設(shè)計(jì)中，DDR3設(shè)計(jì)是DDR3 Device without VTT Termination。而其他的AM335X的參考設(shè)計(jì)都是有VTT Termination
2018-06-21 03:05:42
Cadence 平板電腦6層板DDR3 PCB layout設(shè)計(jì)視頻教程下載鏈接鏈接：http://pan.baidu.com/s/1FJNhO密碼：jfa3播放密碼：QQ521122524完整版
2015-07-30 21:34:09
RD_LOCAL_ODT 配置成2（50歐）才能正確的，為什么我們的板子會(huì)出現(xiàn)這個(gè)問題？ 現(xiàn)在不知道是硬件板子PCB的問題還是我們的DDR3的配置的問題，這個(gè)問題困擾了我們很久TI的FAE能否給些建議幫我們確認(rèn)問題
2018-05-28 04:53:46
DR2與DDR有哪些區(qū)別？DDR3與DDR2的區(qū)別是什么？
2021-10-26 06:15:07
DDR3的理論帶寬怎么計(jì)算？用xilinx的控制器輸入時(shí)鐘200M。fpga與DDR的接口如下：
2016-02-17 18:17:40
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請(qǐng)問如何調(diào)用這些文件實(shí)現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說(shuō)是要等到local_init_done為高電平后，才能進(jìn)行讀寫操作。請(qǐng)問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
我這邊焊接了50片am3352的板子，有40多片都是可以正常執(zhí)行起來(lái)。但其中有四五個(gè)板子，就停在了continuing with ddr3。個(gè)人感覺是DDR出了問題，但是又不太確定。想問下，有沒有
2018-05-15 09:52:12
看完保證你會(huì)做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
DDR3的頻率就是外頻的8倍 133=1066DDR2和DDR3的區(qū)別內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同。DDR2皆為240pin。但是
2014-12-30 14:35:58
DDR3的頻率就是外頻的8倍 133=1066DDR2和DDR3的區(qū)別內(nèi)存相對(duì)于DDR2內(nèi)存，其實(shí)只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構(gòu)。DDR3接觸針腳數(shù)目同。DDR2皆為240pin。但是
2014-12-30 14:36:44
嗨，我正在設(shè)計(jì)一個(gè)定制FPGA板＆amp;我將使用帶有Kintex（XC7K160T-2FFG676C）FPGA的DDR3 RAM。我閱讀了xilinx＆amp; amp; amp; amp
2020-04-17 07:54:29
采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。3、突發(fā)長(zhǎng)度（BL，Burst Length）由于DDR3的預(yù)取為
2011-12-13 11:29:47
4內(nèi)存從200元直接翻了一倍到目前的400元以上，DDR3內(nèi)存的價(jià)格也跟著水漲船高，將近翻了一番。全球內(nèi)存和閃存芯片市場(chǎng)的大幅漲價(jià)，手機(jī)、電腦等產(chǎn)品的價(jià)格也就水漲船高。不只手機(jī)存儲(chǔ)芯片的漲價(jià)，再加上
2018-10-12 14:24:20
DDR3這一塊要著重注意哪些方面。望詳細(xì)賜教，謝謝！
DDR3時(shí)鐘輸入是50Mhz,輸出時(shí)鐘設(shè)置為
2018-06-21 05:42:03
。DDR3的極限速率為兩倍工作時(shí)鐘頻率與數(shù)據(jù)總線位寬的乘積。但是，DDR3的讀寫共用同一組數(shù)據(jù)總線，同時(shí)DDR3內(nèi)部是以BANK／行／列的形式組織起來(lái)的。在對(duì)新的ＢBANK／行進(jìn)行讀寫前，需要執(zhí)行預(yù)充命令
2018-08-02 09:34:58
數(shù)字信號(hào)處理[3]已經(jīng)成為FPGA的一個(gè)重要課題，高速的采樣頻率帶來(lái)的是大容量的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，DDR3以較低的功耗，較快的存儲(chǔ)速度，較高的存儲(chǔ)容量和較低的價(jià)格迅速占領(lǐng)市場(chǎng)；同時(shí)在繪制PCB板圖
2018-08-30 09:59:01
大量收購(gòu)現(xiàn)代DDR3長(zhǎng)期回收現(xiàn)代ddr3，高價(jià)收購(gòu)現(xiàn)代DDR3.大量求購(gòu)現(xiàn)代DDR3.深圳帝歐專業(yè)電子回收，帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com
2021-10-13 19:12:25
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2021-10-13 19:18:05
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
picture attached. Could anyone help me for how to measure VOH(DC) of DDR3?Thanks,Huy附件DQ13_VOH_Driver34_ODT40_4.jpg109.7 KB
2019-04-17 13:59:13
2 1.8V）。 DDR3器件還提供其他的節(jié)約資源模式，如局部刷新。與DDR2相比，DDR3的另一個(gè)顯著優(yōu)點(diǎn)是更高的性能/帶寬，這是由于有更寬的預(yù)取緩沖（與4位的DDR2相比，DDR3為8位寬），以及更高
2019-08-09 07:42:01
自建Spartan6 DDR3仿真平臺(tái)
2019-08-01 06:08:47
一張表總結(jié)常規(guī)DDR3的走線設(shè)計(jì)
2021-03-03 08:00:13
怎樣對(duì)DDR3芯片進(jìn)行讀寫控制呢？如何對(duì)DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
樹莓派3的內(nèi)存是不是DDR3的？
2016-03-26 16:00:58
MES50HP 開發(fā)板簡(jiǎn)介
MES50HP 開發(fā)板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號(hào)為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
一、實(shí)驗(yàn)要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
設(shè)計(jì)打算使用TPS51200給DDR3 VTT供電，有以下兩個(gè)疑問：1、一般DDR3的VTT電流多大？2、TPS51200可以同時(shí)給幾片DDR3（同時(shí)工作） VTT電源供電？
2019-04-16 10:41:47
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好！剛剛學(xué)習(xí)DSP,還沒有入門。實(shí)驗(yàn)室購(gòu)買了TMS320C6678開發(fā)板。請(qǐng)問：1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-25 14:57 編輯
請(qǐng)問在使用ddr3 和srio接口時(shí)，其外部時(shí)鐘（ddr3clk和sriosgmiiclk）是必須的嗎，考慮到其內(nèi)部有專門的sysclk與之對(duì)應(yīng)。另外ddr3接口有一個(gè)差分時(shí)鐘輸出，它是跟哪個(gè)頻率對(duì)應(yīng)的，參考時(shí)鐘還是內(nèi)部的sysclk
2018-06-25 06:37:59
背景：由于使用的是自己做的6678的板子，因此DDR3布線與EVM略有出入，DDR3無(wú)法運(yùn)行在1333速率，只能運(yùn)行在1066速率?，F(xiàn)在想要在板子上實(shí)現(xiàn)Nor flash boot，因此嘗試
2018-08-06 07:33:54
高價(jià)收購(gòu)三星DDR3深圳帝歐長(zhǎng)期收購(gòu)ddr，專業(yè)收購(gòu)三星ddr3，長(zhǎng)期回收現(xiàn)代ddr3。帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。帝歐高價(jià)回收以下
2021-09-23 19:20:15
DDR3來(lái)臨2010年DRAM市場(chǎng)云開月明
2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時(shí)期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00549 DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3
報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:18955 金士頓：DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲
據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05676 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114257 
總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測(cè)試起來(lái)相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:108454 
DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152790 
這段時(shí)間，DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位，于是不少?gòu)S商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無(wú)論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價(jià)，組個(gè)入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:151909 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來(lái)看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 2 月 1 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士表示，2021 年，DDR3 內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 40%-50%，高于業(yè)內(nèi)人士此前估計(jì)的 30% 增幅。 DDR3 是一種電腦內(nèi)存規(guī)格，它屬于 SDRAM
2021-02-01 18:00:332343 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái)，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。
2021-02-02 11:10:062398 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價(jià)格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:261622 DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3，DDR4存在諸多變更點(diǎn)，其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長(zhǎng)達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_(tái)，即便退出市場(chǎng)也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)?，Vivado也提供了一個(gè)DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡(jiǎn)單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2022-08-16 10:28:581241 一、DDR3簡(jiǎn)介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56518 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003905 法人方面解釋說(shuō)：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無(wú)法與之抗衡?！痹?b class="flag-6" style="color: red">ddr3 ddr3的情況下，臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲，給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來(lái)了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 
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