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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴展其高性能內(nèi)存子系統(tǒng)產(chǎn)品

Rambus在三星14/11nm的HBM2E解決方案擴展其高性能內(nèi)存子系統(tǒng)產(chǎn)品

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2021-04-14 19:04:16

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:MSM8274MSM8928MSM8928-2AAMSM8928-2ACMSM8974MSM8974-7ABMSM8974-7ACMSM8974-9ABMSM8974-9VV回收三星高通CPU,收購三星高通CPU,優(yōu)選帝歐電子!帝歐還回收庫存電子,高價回收電感,回收電解電容
2021-03-10 17:45:41

如何實現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案

如何實現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關(guān)鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55

安裝optane內(nèi)存后問題與三星魔術(shù)師軟件有關(guān)

。我測試了三星ssd的速度,并沒有注意到任何性能損失,但是,我不希望我的三星SSD不能正常工作因為三星m.2驅(qū)動程序和三星魔術(shù)師軟件變得一團糟。我把它還原回AHCI(使用安全模式技巧,以免它無法啟動
2018-12-03 15:33:05

展訊稱三星兩款功能機使用基帶芯片

  北京時間11月8日晚間MAX3232EUE+T消息,展訊通信(Nasdaq:SPRD)今日宣布,基于展訊通信40納米2.5G基帶芯片SC6530的兩款三星手機E1282(GT-E
2012-11-09 15:43:30

嵌入式三星6818開發(fā)板配置環(huán)境方法

`S5P6818 開發(fā)板是三星 2015 年推出的八核處理器,集成了高性能的八核 ARMcortex-A53 處理器,既有超強的性能,同時兼顧了低功耗的設(shè)計,外加強大的 3D 性能及視頻處理能力
2017-11-17 11:33:00

廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:36:06

廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣AP方案。 ***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:38:20

廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:31:12

廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330
2012-12-21 19:32:32

廣和通(Fibocom)與友尚、三星攜手共進平板電腦市場

全球范圍內(nèi)成為可靠創(chuàng)新的技術(shù)伙伴,也促使三星更好得在中國以及全球市場推廣AP方案。***友尚股份作為三星AP的代理商,目前已經(jīng)完成在三星AP V210與5250的平臺上對FIBOCOM H330(3G模塊)的整合,預(yù)計明年1月將可以向整個亞太地區(qū)進行三星AP的平板電腦方案的推廣。
2012-12-21 19:28:08

搞過三星產(chǎn)品的 MFC的進來 可以有償

我們正在調(diào)試基于三星4412的MFC(視頻硬解碼)但是移植調(diào)試不出來如果哪位大俠成功調(diào)試過類似的產(chǎn)品(210或4412) 可以一起探討一下
2014-01-16 10:21:24

新思科技助力三星SDS公司落實開源生命周期戰(zhàn)略

,負責(zé)管理所有下屬公司、市場和行業(yè)的各個開發(fā)階段的項目,這是一項艱巨任務(wù)。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),三星SDS將項目管理系統(tǒng)、流程、工具和解決方案有效組合在一起,為創(chuàng)建高質(zhì)量、可信軟件提供支持。部署開源軟件
2023-03-02 14:20:49

三星Exynos4210/4412芯存漏洞 多機牽連

對于XDA大神們找到漏洞的事情我們已經(jīng)見怪不怪了。不過這次,有個名叫alephzain的用戶也聲稱,已在多款三星設(shè)備上發(fā)現(xiàn)了一個漏洞,可以訪問設(shè)備全部的物理內(nèi)存。這潛存著重大的隱患,攻擊者們可以
2012-12-19 09:41:45

瑞芯微RK***開發(fā)板支持Android7.1系統(tǒng)

用擔(dān)心卡的問題,超快的開機速度可達10秒-15秒,最快可支持10秒,穩(wěn)定的性能7*24小時老化不死機。瑞芯微RK***開發(fā)板,友堅科技專注于三星平臺產(chǎn)品的研發(fā),是三星在中國最具實力的方案公司。公司主打的
2017-08-11 16:12:44

蘋果/三星高端智能手機快充識別IC

蘋果/三星高端智能手機快充識別IC-MA5887.MA5887是一個高性能解決方案“快速充電”機制,加快充電時間.MA5887嵌入式自動充電器檢測符合USB電池充電規(guī)格(BC)版本1.2,和蘋果
2016-10-13 14:25:00

蘋果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄,2017年營收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存,并將于今年下半年上市。這樣一來,臺積電和三星以及蘋果的性能之爭,就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54

迅為可替代ARM9,ARM11開發(fā)板的高性能四核Android開發(fā)板

族MX2等熱門產(chǎn)品當(dāng)中,并取得巨大成功。出色的功耗控制以及超強的性能一直為業(yè)內(nèi)稱道,超過5000萬片的出貨量,足以證明穩(wěn)定性與可用性。已成為三星官方重點推廣的處理器之一,并承諾長期供貨
2014-05-27 14:04:17

追求性能提升 使用8GB HBM2顯存

2015年就發(fā)布了,還是最早使用TSMC 16nm工藝的產(chǎn)品,比移動SoC還要早,不過之前的產(chǎn)品并沒有使用HBM芯片,這次推出的是擴展系列,為HBM顯存優(yōu)化。  賽靈思的Virtex
2016-12-07 15:54:22

采用GDDR6的高性能內(nèi)存解決方案

隨著網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心帶寬需求的日益提升,針對高性能內(nèi)存解決方案的需求也是水漲船高。對于超過 400 Gbps 的系統(tǒng)開發(fā),以經(jīng)濟高效的方式實現(xiàn)內(nèi)存方案性能和效率已經(jīng)成為項目中的重要挑戰(zhàn)之一。
2020-12-03 07:14:31

高價回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

dealic@163.com。長期收購三星芯片,高價收購手機三星芯片。保證價格好,歡迎您有貨來電咨詢,幫您快速處理庫存。帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購連接器
2021-07-06 19:32:41

高價收購三星字庫

回收三星字庫,全國回收三星字庫。帝歐長期回收ssd固態(tài)硬盤,回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤,回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購連接器,收購鉭電容,回收sd卡,收購tf卡。回收工廠庫存ic,大量收購工廠
2021-02-23 17:54:12

高通射頻領(lǐng)域獲重大突破,與谷歌、hTC、三星、索尼達成合作

高通公司的端到端集成調(diào)制解調(diào)器和射頻產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標(biāo)。“三星公司很榮幸能夠通過高通公司全面的先進射頻前端解決方案,創(chuàng)造出當(dāng)今先進的移動設(shè)備,并實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的LTE連接性能。”“索尼移動正在利用高通公司
2018-01-30 09:04:16

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳富滿微代理驪微電子申請。>>
2023-05-29 10:09:46

三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費以達成和解

三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費以達成和解  韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達成和解協(xié)議,三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:36720

基于7nm打造的HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù)公布

Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù),最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限,因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能,7nm是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:001535

三星推出第三代HBM2存儲芯片,適用于高性能計算系統(tǒng)

日前,三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113185

三星新發(fā)布HBM2E存儲芯片,其代號Flashbolt

三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片,HBM2E單顆最大容量為16GB,由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成,單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453246

Rambus宣布一套完整的HBM2E控制器+PHY物理層方案 可幫助企業(yè)輕松用上HBM2E

最近,JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式公布了HBM技術(shù)第三版存儲標(biāo)準(zhǔn)HBM2E,針腳帶寬、總?cè)萘坷^續(xù)大幅提升。對于一些大企業(yè),集成這些技術(shù)可以說不費吹灰之力,但不是誰都有這個實力。
2020-03-08 19:43:563487

HBM2e顯存到底有什么優(yōu)勢

相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:317569

Alchip 5nm封裝設(shè)計涵蓋SIPI/熱仿真,可提供即插即用的后硅解決方案

Alchip 5nm設(shè)計將利用高性能計算IP產(chǎn)品組合,其中包括一級供應(yīng)商提供的“同類最佳” DDR5,GDDR6,HBM2EHBM3,D2D,PCIe5和112G serdes IP
2020-08-23 11:24:552140

SK Hynix宣布HBM2E標(biāo)準(zhǔn)存儲器已投入量產(chǎn)

16GB/stack的容量。 HBM2EHBM2標(biāo)準(zhǔn)型進行了一些更新來提升性能,作為中代產(chǎn)品,能提供更高的時鐘速度,更高的密度(12層,最高可達24GB)。三星是第一個將16GB/satck
2020-09-10 14:39:011988

HBM2E性能提升到4Gbps的方法

為了給人工智能和機器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬,HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計者的兩個首選方案
2020-10-26 15:41:132139

三星將中斷12nm DRAM芯片開發(fā),直接跨入11nm

近日,據(jù)韓媒報道稱,三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令,要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:581483

HBM性能驗證變得簡單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗證內(nèi)存性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

Gbps 的性能,可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%,總內(nèi)存吞吐量超過 1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負載。
2023-12-07 14:16:06329

什么是HBM3E內(nèi)存Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110

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