三星大力生產(chǎn)DDR5，加速DDR4向DDR5過渡

　　據(jù) Theelec稱，三星電子正在大力投資生產(chǎn) DDR5 和 PCIe 5.0 SSD 等新一代內(nèi)存產(chǎn)品，使 Exicon 和 DI 等韓國(guó)后端工藝設(shè)備供應(yīng)商受益。

　　據(jù)報(bào)道，Exicon 在 2022 年第一季度與三星簽署了 452 億韓元（3474 萬美元）的設(shè)備供應(yīng)合同后，在 6 月初又從這家韓國(guó)科技巨頭那里獲得了價(jià)值 531 億韓元的另一批訂單，這兩筆交易的金額為至 983 億韓元，而 2021 年全年的相應(yīng)數(shù)字為 661 億韓元。

　　據(jù)報(bào)道，在三星與 Exicon 的訂單中，PCIe 5.0 和 SAS 24G SSD 測(cè)試儀占最大比例，達(dá)到 600 億韓元，其次是 DDR5 老化測(cè)試儀等 240 億韓元。

　　據(jù)報(bào)道，2022年第一季度，DI獲得了價(jià)值130億韓元的三星NAND閃存芯片高速老化測(cè)試儀和新一代DDR5老化測(cè)試儀訂單。據(jù)報(bào)道，雙方簽署了另一項(xiàng)價(jià)值 237 億韓元的設(shè)備交易。

　　三星推出DDR5 7200MHz內(nèi)存速度是上一代的兩倍

　　4月，三星發(fā)布了最新的DDR5 RAM解決方案，該技術(shù)現(xiàn)在使用戶能夠在單個(gè)內(nèi)存條上擁有512GB的 DDR5內(nèi)存。

　　三星新的512GB DDR5內(nèi)存改進(jìn)了公司的層堆疊內(nèi)存封裝技術(shù)，用于其最新的DDR4內(nèi)存模塊。在下圖中，您可以比較三星的4層 DDR4 內(nèi)存芯片與 8 層DDR5 芯片之間的區(qū)別，兩者均使用三星的芯片通孔技術(shù)連接。

通過對(duì)硅層進(jìn)行研磨，三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%，并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄，分別為1.0毫米和 1.2 毫米。三星將能夠制造一個(gè) 512GB 的內(nèi)存條，將 8 個(gè)堆疊的 DRAM 連接在一起。

　　三星聲稱其 DDR5 技術(shù)的速度是上一代的兩倍，聲稱速度高達(dá) 6400Mbps 以上。

　　三星已經(jīng)準(zhǔn)備將它列為數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)制造商和筆記本電腦制造商等提供DDR5內(nèi)存。而512GB DDR5內(nèi)存條是否會(huì)推向消費(fèi)者市場(chǎng)，目前還未確定。

　　6月8日消息，DIGITIMES媒體報(bào)道，來自內(nèi)存模塊制造商的消息，三星電子、SK海力士和美光科技等內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，都在全面擴(kuò)大DDR5芯片的產(chǎn)量，加速行業(yè)從DDR4向DDR5 DRAM的過渡。

　　三星為量產(chǎn)PCIe5.0固態(tài)硬盤招標(biāo)測(cè)試機(jī)

　　3月有媒體報(bào)道，三星準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)PCIe 5.0接口的SSD（固態(tài)硬盤），正在為SSD測(cè)試儀供應(yīng)鏈做多樣化處理。消息人士稱，這家韓國(guó)科技巨頭最近為 SSD 測(cè)試儀供應(yīng)商舉行了公開招標(biāo)會(huì)議，以爭(zhēng)取新的供應(yīng)商。目前三星已經(jīng)找到了它想要的候選人

　　據(jù)了解，此次招標(biāo)主要是確定SSD老化測(cè)試儀和SSD后測(cè)試儀的供應(yīng)商。

　　報(bào)道指出，老化測(cè)試器是指將芯片放入試驗(yàn)室，測(cè)試它們是否能在極端條件下表現(xiàn)良好。所有面向企業(yè)應(yīng)用的固態(tài)硬盤都要經(jīng)過老化測(cè)試，畢竟它們要用于數(shù)據(jù)中心等高溫環(huán)境，穩(wěn)定性是最重要的。

　　據(jù)稱，三星已經(jīng)從韓國(guó) Exicon 那里采購 SSD 老化測(cè)試儀，而且 Exicon 是該設(shè)備的主要供應(yīng)商。三星為了避免被供應(yīng)鏈鉗制，最近進(jìn)行招標(biāo)確保二級(jí)供應(yīng)商，包括 Neosem、Advantest 和 Teledyne 已提交競(jìng)標(biāo)。

　　而 SSD 后期測(cè)試是用于確認(rèn)即將出貨的固態(tài)硬盤具有與最初設(shè)定的相同的讀寫性能。三星正在尋找一個(gè)全新的主要供應(yīng)商，并打算不再從以前的供應(yīng)商采購。在這一項(xiàng)目上，Exicon 和 Neosem 正努力競(jìng)標(biāo)。

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DRAM(181800) DRAM(181800)
SSD(115269) SSD(115269)
DDR4(40235) DDR4(40235)
三星(30131) 三星(30131)

評(píng)論

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[譯] 盡管DDR5快來了，DDR4還是取得新進(jìn)展

DDR5暫無發(fā)布日期，DDR4正在取得重大進(jìn)展。今年夏天初，美光（Micron）和三星（Samsung）等公司宣布了采用DDR5的內(nèi)存的巨大飛躍。盡管新版本似乎在我們的掌控之中，但仍需要一段時(shí)間

2020-09-23 16:37:53

3106

2020年第三季DDR4應(yīng)用領(lǐng)域占九成以上 DDR5導(dǎo)入計(jì)劃延至2022年

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示，以晶圓設(shè)計(jì)同源的PC、Server DRAM產(chǎn)品而言，當(dāng)前最主流解決方案為DDR4，該產(chǎn)品于第三季在前述兩大應(yīng)用類別皆占九成以上。而下一個(gè)

2020-11-03 15:12:28

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DDR5內(nèi)存和DDR4有啥不同

第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要

2021-02-27 12:13:54

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從DDR4到DDR5花了將近10年，DDR5將有什么重大突破？

2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。

2020-11-29 10:09:07

5502

嘉合勁威布局DDR5內(nèi)存：明年量產(chǎn)、Q2首發(fā)單條16GB

積極與芯片廠商溝通，導(dǎo)入和研發(fā)新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，同時(shí)籌備配置DDR5生產(chǎn)線，有望在2021年第二季度推出單條16GB容量的DDR5內(nèi)存條。光威、阿斯加特內(nèi)存都以超低價(jià)格、超高性價(jià)比而出名，單條32GB DDR3都能干到600元甚至更低，如今搶先布局DDR5，有望大大加速DDR5的降

2020-12-02 12:12:58

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嘉合勁威將在2021年率先實(shí)現(xiàn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)

，2021 年將在深圳坪山率先實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)。參數(shù)方面，新一代的內(nèi)存 DDR5，一個(gè) DIMM，兩個(gè)通道，將具備更快的速度，有望達(dá)到 4.8Gbps 的速度，比 DDR4 的 3.2Gbps

2020-12-02 16:04:36

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國(guó)內(nèi)廠商已開始布局DDR5內(nèi)存明年量產(chǎn)

DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)

2020-12-08 17:14:25

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DDR5內(nèi)存將在明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

2020-12-09 10:19:55

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DDR5內(nèi)存將面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。

2020-12-12 10:01:51

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DDR5最大優(yōu)勢(shì)是容量而非速度

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。今年7月份，JEDEC正式發(fā)布DDR5

2020-12-12 10:35:39

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十銓已開啟DDR5內(nèi)存模組的開發(fā)測(cè)試

繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對(duì) DDR5 工程

2020-12-16 15:40:33

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龍耀D50 Xtreme DDR4系列內(nèi)存超過即將到來的DDR5

威剛旗下電競(jìng)品牌XPG今天發(fā)布了超高頻率的XPG龍耀D50 Xtreme DDR4系列內(nèi)存，頻率高達(dá)4800MHz、5000MHz，完全媲美甚至超過即將到來的DDR5。

2020-12-24 10:05:51

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DDR3內(nèi)存突然漲價(jià)50% DDR5內(nèi)存將要上市

最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰，但前景肯定不會(huì)多好

2021-02-02 11:27:39

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國(guó)產(chǎn)品牌阿斯加特推首款DDR5內(nèi)存

2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。

2021-02-22 16:31:20

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DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展新契機(jī)

回顧2020年，在新基建的驅(qū)動(dòng)下，數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代，國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14

2021-05-01 09:31:00

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DDR5首發(fā)上市，憑什么江波龍能做第一個(gè)吃螃蟹的企業(yè)？

筆記本電腦上的DDR內(nèi)存多為DDR4內(nèi)存模組，DDR4內(nèi)存模組的標(biāo)準(zhǔn)頻率是3200MHz，這意味著DDR5內(nèi)存模組在頻率上高出DDR4內(nèi)存模組50%，這樣近乎飛躍的性能表現(xiàn)決定了DDR5內(nèi)存模組在研發(fā)

2021-05-08 14:03:23

455

DDR5放量元年上游三巨頭積極部署

2021-10-26 16:54:14

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美光正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。

2021-10-29 10:52:16

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朗科越影Ⅱ DDR5內(nèi)存正式發(fā)布，全新外觀搭配強(qiáng)勁性能

去年年底以來，DDR5相關(guān)的話題一直保持較高的熱度，究其原因，一是等了這么久，總算盼來了新的生產(chǎn)力工具；二是相比于上一代，DDR5不管是外觀還是性能方面都有著變革性的提升。如頻率翻倍，起步

2022-05-24 16:29:38

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美光科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新

2022-07-07 14:45:57

2298

DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何那么貴

DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。

2022-07-12 09:58:50

3918

DDR5技術(shù)滿足客戶特定應(yīng)用的需求

Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁John Eble在接受記者采訪時(shí)表示，“目前DDR4仍然保持著強(qiáng)勁的勢(shì)頭，DDR5現(xiàn)在是處在早期的爬坡階段。”

2022-08-31 09:45:09

661

了解DDR5相對(duì)DDR4的優(yōu)勢(shì)與可能的影響

初期DDR5可提供超過DDR4 50%數(shù)據(jù)傳輸率，最終預(yù)期可達(dá)2.6倍8.4Gbps。回顧JEDEC SDRAM歷代演進(jìn)，提升幅度還算驚人，但到頭來也只是充分反應(yīng)相隔八年累積的制程技術(shù)成長(zhǎng)。

2022-09-21 11:48:07

2451

專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)的DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。

2022-10-10 09:33:48

3592

DDR5或?qū)⒃?023年成主流存儲(chǔ)技術(shù)

新一代DDR5擁有超高頻寬及低功耗優(yōu)勢(shì)，不僅傳輸速率能增加50％，工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V，能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。

2022-10-17 10:55:59

1496

DDR5與DDR4區(qū)別

第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語：double data rate fifth-generation synchronous dynamic random-access memory，縮寫DDR5 SDRAM)是一種正在開發(fā)的高帶寬電腦存儲(chǔ)器規(guī)格。它屬于SDRAM家族的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。

2022-11-14 09:07:06

3729

DDR5滲透率快速提升長(zhǎng)電科技有備而來

對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能的要求不斷提升，DDR5芯片在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域加速滲透。相比前代產(chǎn)品，DDR5因其速度更快、能耗更低、帶寬更高、容量更大等優(yōu)勢(shì) ，給用戶帶來更佳的可靠性和擴(kuò)展性，市場(chǎng)前景廣闊。反映到芯片成品制造環(huán)節(jié)，包括DDR5在內(nèi)的

2022-11-22 10:51:52

822

存儲(chǔ)技術(shù)的新動(dòng)向：DDR5與DDR4 DIMMs比較

JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲(chǔ)器架構(gòu)，認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個(gè)產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）過渡。

2022-12-05 11:59:26

2313

千呼萬喚始出來的DDR5 DIMM插槽連接器

? 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個(gè)人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE?Connectivity（以下簡(jiǎn)稱“TE”）經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代發(fā)展。為了更好地助力數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸挘?b class="flag-6" style="color: red">DDR5 DIMM插槽應(yīng)運(yùn)而生。 ?

2023-02-16 10:31:16

791

Rambus利用RCD技術(shù)實(shí)現(xiàn)6.4GT/s DDR5!

內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計(jì)算中非常重要，在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景下尤為如此。在不久的將來，DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進(jìn)，同時(shí)可以長(zhǎng)期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級(jí)內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用，使其成為DDR5發(fā)展過程中的一個(gè)重要里程碑。

2023-02-23 09:29:58

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DDR5內(nèi)存與上一代DDR4之間的一些關(guān)鍵區(qū)別到底是什么？

DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。

2023-04-15 10:23:17

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DDR5與DDR4的關(guān)鍵區(qū)別在哪里？

DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。

2023-04-18 11:36:47

1605

DDR4和DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。

2023-05-08 10:27:44

1332

DDR5芯片銷量明年將翻倍

由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價(jià)格和需求不斷增長(zhǎng)。

2023-07-21 18:13:27

415

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。

2023-08-09 15:36:25

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XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測(cè)試詳解

在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。

2023-09-15 10:40:42

752

傳三星下半年將再度減產(chǎn)DDR4 有望帶動(dòng)價(jià)格上升

隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺(tái)更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。

2023-09-15 11:40:33

555

數(shù)據(jù)處理指數(shù)增長(zhǎng)，DDR5時(shí)代來臨

在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí)，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。

2023-10-29 15:59:48

603

三星計(jì)劃全面提高DDR5產(chǎn)量，過去一個(gè)月上漲5-10%

英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺(tái) Meteor Lake 預(yù)計(jì)第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級(jí)為 DDR5。

2023-11-10 10:29:51

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存儲(chǔ)器廠強(qiáng)攻DDR5產(chǎn)品后市可期

對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上，ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。

2023-11-24 10:38:38

217

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。

2023-11-30 14:49:31

106

內(nèi)存大漲價(jià)！DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。

2023-12-05 10:50:40

214

DDR5接收機(jī)一致性表征和測(cè)試

如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn)，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對(duì)DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。

2023-12-13 14:31:41

306

DDR5 SDRAM規(guī)范

JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC

2023-12-25 09:51:55

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04）

近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，

2024-01-04 09:26:58

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lpddr5時(shí)序比ddr5慢多少

LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。首先，讓我們來了解一下LPDDR5

2024-01-04 10:22:06

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DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合

2024-01-12 16:43:05

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三星大力生產(chǎn)DDR5，加速DDR4向DDR5過渡

評(píng)論