引言：根據預測，新型存儲器市場已經開始增長，到 2032 年應該會攀升至約 440 億美元，有望在未來取代微控制器、ASIC 甚至計算處理器中的獨立存儲器芯片和嵌入式存儲器，并成長為一片全新的屬于新型存儲技術市場。
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近日，Objective Analysis和Coughlin Associates新發布的報告顯示，新型存儲器已經開始增長，到2032年應該會攀升至約440億美元。

當前的存儲器技術，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，雖然占據了當下最大的市場份額，但其在持續改進方面面臨潛在的技術限制，已經難以滿足人工智能、物聯網、5G等新興應用場景對存儲與計算越來越高的性能要求。

因此，人們努力開發新的存儲技術。這些新技術在具備高能效比的同時，大多采用非易失性存儲器技術，可用于長期存儲或提供不通電時不丟失信息的存儲器。這為電池和環境供電設備以及數據中心的節能提供了優勢。

報告指出，通過取代包括 NOR 閃存、SRAM 和 DRAM 在內的現有技術，新興內存市場最初將增長到 440 億美元的水平。新存儲器將取代微控制器、ASIC 甚至計算處理器中的獨立存儲器芯片和嵌入式存儲器，之后它們將成長為自己的新市場。

“這是未來十年值得關注的半導體市場，”Coughlin Associates 總裁 Thomas Coughlin 博士說,“那些參與這個市場的人可以計劃實現顯著增長。”

SoC的設計人員和用戶已經將這些新的非易失性存儲器整合到前沿設計中，以實現更具競爭力的功耗和系統響應能力。采用這種方法的人將享有巨大的市場優勢。

“所有類型系統的設計人員都發現新興存儲器提供了以前無法獲得的新優勢，”Objective Analysis 總經理 Jim Handy 說。隨著新的嵌入式存儲器類型降低功耗，物聯網將發生革命性變化。更大的系統已經在改變其架構以采用持久內存來改善延遲和數據完整性。”

該報告解釋了獨立 MRAM 和 STT-RAM 收入將如何增長到約 14 億美元，或 2021 年獨立 MRAM 收入的 30 倍以上。與此同時，嵌入式 RRAM 和 MRAM 將競爭取代 SoC 中的大部分嵌入式 NOR 和 SRAM，從而推動更大的收入增長。

目前，新型存儲領域較為成熟的技術路線主要有相變存儲器（PCM）、磁變存儲器（MRAM）、鐵電存儲器（FRAM）、以及阻變存儲器（RRAM）4種。PCM通過相變材料相態的變化獲得不同的電阻值，MRAM通過磁性材料中磁疇/自旋磁籌的方向變化改變電阻，FRAM利用“鐵電”效應來存儲數據，RRAM則利用阻變材料中導電通道的產生或關閉實現電阻變化。

由于RRAM獨特的隨機和電氣特性， 基于RRAM的PUF（physical unclonable function物理不可克隆）技術能夠為數據提供更強有力的保護，應用于安全存儲等領域；此外，高能效、低功耗的RRAM具有豐富的開關動態，可以支持大規模集成、低功耗外圍設備和用于構建類腦計算芯片和系統的特定應用架構等特點，使其在人工智能、存內計算和旨在模仿人腦的應用程序中具有顯著優勢，成為下一代內存的主要競爭者。

新型存儲的成長絕非一蹴而就，未來幾年，DRAM和NAND Flash仍將繼續站穩存儲芯片市場主導地位。但隨著5G、人工智能等新興領域的快速發展，強烈的市場需求將為新型存儲帶來強勁的發展動力。而隨著各家半導體大廠相繼投入，新興存儲器的產業化進程已經按下了快進鍵。

從長遠來看，存儲器對全球半導體產業格局的塑造更為直接。在下一代信息產業和數字經濟發展中，存儲器的基礎性功能作用更加凸顯，誰掌握了存儲器研發和生產的核心技術，誰將在新一輪的信息產業和數字經濟競爭中掌握主導權。
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