存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體的重要市場(chǎng)之一，其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場(chǎng)份額。其中，從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場(chǎng)份額，NOR閃存占比1%，其他存儲(chǔ)芯片份額較小。

DRAM讀寫速度快，斷電后數(shù)據(jù)無法保存，長期以來一直是計(jì)算機(jī)、手機(jī)內(nèi)存的主流方案。計(jì)算機(jī)的內(nèi)存條（DDR）、顯卡的顯存（GDDR）、手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存（LPDDR），都是DRAM的一種；NAND Flash屬于數(shù)據(jù)型閃存芯片，可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)，且斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，但讀寫速度較慢，被廣泛用于eMMC/EMCP、U盤、SSD等市場(chǎng)。

回顧存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程來看，其技術(shù)演進(jìn)路線主要取決于應(yīng)用場(chǎng)景的變化。

上世紀(jì)70年代起，DRAM進(jìn)入商用市場(chǎng)，并以其極高的讀寫速度成為存儲(chǔ)領(lǐng)域最大分支市場(chǎng)；功能手機(jī)出現(xiàn)后，迎來NOR Flash市場(chǎng)的爆發(fā)；進(jìn)入PC時(shí)代，人們對(duì)于存儲(chǔ)容量的需求越來越大，低成本、高容量的NAND Flash成為最佳選擇。

如今，隨著萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，5G、人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在速度、功耗、容量、可靠性等層面提出了更高要求。DRAM雖然速度快，但功耗大、容量低、成本高，且斷電無法保存數(shù)據(jù)，使用場(chǎng)景受限；NOR Flash和NAND Flash讀寫速度低，存儲(chǔ)密度受限于工藝制程。

當(dāng)傳統(tǒng)路徑中延續(xù)性技術(shù)創(chuàng)新的弊端已經(jīng)暴露出來，市場(chǎng)亟待能夠滿足新場(chǎng)景需求的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，新型存儲(chǔ)迎來機(jī)會(huì)窗口。

與此同時(shí)，今年存儲(chǔ)市場(chǎng)逐漸遇冷，價(jià)格連續(xù)下跌，存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入下行周期；英特爾關(guān)閉傲騰業(yè)務(wù)空出20億高速增長的市場(chǎng)缺口；日益嚴(yán)重的“存儲(chǔ)墻”和“性能墻”問題對(duì)計(jì)算系統(tǒng)的制約以及CXL協(xié)議的推出等等因素之下，新型存儲(chǔ)憑借顛覆性的技術(shù)創(chuàng)新路徑，迎來趕超傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)寡頭的一次機(jī)會(huì)。

據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates發(fā)布的報(bào)告顯示，新型存儲(chǔ)器已經(jīng)開始增長，預(yù)計(jì)到2032年市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)攀升至440億美元，迎來廣闊的市場(chǎng)空間。

新型存儲(chǔ)知多少？

目前，新型存儲(chǔ)器主要有PCM、MRAM、FRAM、ReRAM存儲(chǔ)器，以及DNA存儲(chǔ)、Racetrack內(nèi)存等諸多新興技術(shù)。同時(shí)，存內(nèi)計(jì)算（存算一體）也正在成為解決當(dāng)前存儲(chǔ)挑戰(zhàn)的熱門趨勢(shì)之一。

相變存儲(chǔ)器PCM

相變存儲(chǔ)器，Phase-change RAM，簡(jiǎn)稱PCM或PCRAM。

PCM的原理是通過改變溫度，讓相變材料在低電阻結(jié)晶（導(dǎo)電）狀態(tài)與高電阻非結(jié)晶（非導(dǎo)電）狀態(tài)間轉(zhuǎn)換。

PCM原理圖（圖源：Intel）

PCM技術(shù)特點(diǎn)：

低延時(shí)、讀寫時(shí)間均衡：PCM在寫入更新代碼之前不需要擦除以前的代碼或數(shù)據(jù)，所以PCM讀寫速度比NAND Flash有所提高，讀寫時(shí)間較為均衡。

壽命長：PCM讀寫是非破壞性的，故其耐寫能力遠(yuǎn)超過閃存，用PCM來取代傳統(tǒng)機(jī)械硬盤的可靠性更高。

功耗低：PCM沒有機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)裝置，保存代碼或數(shù)據(jù)也不需要刷新電流，故PCM的功耗比HDD、NAND、DRAM都低。

密度高：部分PCM采用非晶體管設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)。

抗輻照特性好：PCM存儲(chǔ)技術(shù)與材料帶電粒子狀態(tài)無關(guān)，故其具有很強(qiáng)的抗空間輻射能力，能滿足國防和航天的需求。

雖然PCM有諸多優(yōu)勢(shì)，但其RESET后的冷卻過程需要高熱導(dǎo)率，會(huì)帶來更高功耗，且由于其存儲(chǔ)原理是利用溫度實(shí)現(xiàn)相變材料的阻值變化，所以對(duì)溫度十分敏感，無法用在寬溫場(chǎng)景。其次，為了使相變材料兼容CMOS工藝，PCM必須采取多層結(jié)構(gòu)，因此存儲(chǔ)密度過低，在容量上無法替代NAND Flash。除此之外，成本和良率也是瓶頸之一。

大家都比較熟悉的Intel和Micron合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)，就是PCM的一種。

3D Xpoint技術(shù)在非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了革命性突破，雖然其速度略微比DRAM慢，但其容量卻比DRAM高，比閃存快1000倍。但缺點(diǎn)也較為明顯，3D Xpoint采用堆迭結(jié)構(gòu)，一般是兩層結(jié)構(gòu)。因?yàn)槎训鼘訑?shù)越多，需要的掩模就越多，而在整個(gè)IC制造工業(yè)中，掩模板成本占比最大。因此，從制造的角度來說，要想實(shí)現(xiàn)幾十層的3D堆迭結(jié)構(gòu)非常困難。

隨著英特爾傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù)的關(guān)閉，3D XPoint內(nèi)存技術(shù)也走到了盡頭。

磁性存儲(chǔ)器MRAM

磁性存儲(chǔ)器，Magnetic RAM，簡(jiǎn)稱MRAM，是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)。

目前主流的MRAM技術(shù)是STT MRAM，使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元，當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí)為低電阻，當(dāng)磁性方向相反時(shí)，電阻會(huì)變得很高。

MRAM原理圖

MRAM技術(shù)特點(diǎn)：

非易失：鐵磁體的磁性不會(huì)由于斷電而消失，故MRAM具備非易失性。

讀寫次數(shù)無限：鐵磁體的磁性不僅斷電不會(huì)消失，而是幾乎可以認(rèn)為永不消失，故MRAM和DRAM一樣可以無限次重寫。

寫入速度快、功耗低：MRAM的寫入時(shí)間可低至2.3ns，并且功耗極低，可實(shí)現(xiàn)瞬間開關(guān)機(jī)并能延長便攜機(jī)的電池使用時(shí)間。

和邏輯芯片整合度高：MRAM的單元可以方便地嵌入到邏輯電路芯片中，只需在后端的金屬化過程增加一兩步需要光刻掩模版的工藝即可。再加上MRAM單元可以完全制作在芯片的金屬層中，甚至可以實(shí)現(xiàn)2-3層單元疊放，故具備在邏輯電路上構(gòu)造大規(guī)模內(nèi)存陣列的潛力。

MRAM性能較好，但臨界電流密度和功耗仍需進(jìn)一步降低。目前MRAM的存儲(chǔ)單元尺寸仍較大且不支持堆疊，工藝較為復(fù)雜，大規(guī)模制造難以保證均一性，存儲(chǔ)容量和良率爬坡緩慢。在工藝取得進(jìn)一步突破之前，MRAM產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域，以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域。

阻變存儲(chǔ)器ReRAM

阻變存儲(chǔ)器，全稱為電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，Resistive Random Access Memory，簡(jiǎn)稱為ReRAM或RRAM。

ReRAM是以非導(dǎo)性材料的電阻在外加電場(chǎng)作用下，在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換為基礎(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器。作為結(jié)構(gòu)最簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)技術(shù)，ReRAM結(jié)構(gòu)看上去像一個(gè)三明治，絕緣介質(zhì)層（阻變層）被夾在兩層金屬之間，形成由上、下電極和阻變層構(gòu)成金屬-介質(zhì)層-金屬（MIM）三層結(jié)構(gòu)。

導(dǎo)電細(xì)絲在阻變層中呈現(xiàn)導(dǎo)通或斷開兩種狀態(tài)：非易失性的低阻態(tài)或高阻態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)了“0”，“1”狀態(tài)的區(qū)分和存儲(chǔ)。

ReRAM包括許多不同的技術(shù)類別，目前主流的技術(shù)路線主要有：氧空缺存儲(chǔ)器OxRAM、導(dǎo)電橋存儲(chǔ)器 CBRAM、金屬離子存儲(chǔ)器MeRAM以及納米碳管CaRAM，通常是通過將金屬離子或氧空位等導(dǎo)電元素移動(dòng)到橋中，或者通過將它們從現(xiàn)有橋中移除，來表示1或者0。

ReRAM技術(shù)特點(diǎn)：

高速度：ReRAM擦寫速度由觸發(fā)電阻轉(zhuǎn)變的脈沖寬度決定，一般小于100ns。

耐久性：ReRAM讀寫和NAND不同，采用的是可逆無損害模式，從而可以大大提高其使用壽命。

具備多位存儲(chǔ)能力：部分ReRAM材料還具備多種電阻狀態(tài)，使得單個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)成為可能，從而提高存儲(chǔ)密度。

ReRAM可以將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，擁有上述多個(gè)優(yōu)勢(shì)，多用于神經(jīng)擬態(tài)計(jì)算領(lǐng)域，基于ReRAM的類腦計(jì)算還能在中長期突破馮·諾伊曼計(jì)算架構(gòu)瓶頸，它支持多種不同的AI算法，還具有算力高、功耗低等特點(diǎn)。

從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量，ReRAM存儲(chǔ)器在目前已有的新型存儲(chǔ)器中具備明顯優(yōu)勢(shì)。此外，ReRAM的材料需求種類和額外的光罩?jǐn)?shù)量更少，可以實(shí)現(xiàn)更低的生產(chǎn)成本。同時(shí)，業(yè)界普遍認(rèn)為ReRAM能夠充分滿足神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和邊緣計(jì)算等應(yīng)用對(duì)能耗、性能和存儲(chǔ)密度的要求，預(yù)期將在AIoT、智能汽車、數(shù)據(jù)中心、AI計(jì)算等領(lǐng)域獲得廣泛的運(yùn)用，被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)存算一體的最佳選擇之一。

但ReRAM器件還并不完全成熟，它仍有器件非理想性、基于高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器的讀出電路，以及ReRAM設(shè)備中非線性的以及不對(duì)稱電導(dǎo)更新后會(huì)嚴(yán)重降低訓(xùn)練的準(zhǔn)確度等構(gòu)成的問題。

鐵電存儲(chǔ)器FRAM

鐵電存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。

FRAM結(jié)構(gòu)圖

FRAM技術(shù)特點(diǎn)：

非易失性：斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，是非易失性存儲(chǔ)器；

讀寫速度快：無延時(shí)寫入數(shù)據(jù)，可覆蓋寫入；

壽命長：可重復(fù)讀寫，重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬億次，耐久性強(qiáng)，使用壽命長；

功耗低：待機(jī)電流低，無需后備電池，無需采用充電泵電路；

可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。

FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

FRAM憑借諸多特性，正在成為存儲(chǔ)器未來發(fā)展方向之一，根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）行業(yè)市場(chǎng)深度調(diào)研及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)密度較低，容量有限，無法完全取代DRAM與NAND Flash，但在對(duì)容量要求不高、讀寫速度要求高、讀寫頻率高、使用壽命要求長的場(chǎng)景中擁有發(fā)展?jié)摿?。FRAM可以應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，比如智能手表、智能卡以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備制造中；汽車領(lǐng)域，比如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）制造；工業(yè)機(jī)器人領(lǐng)域，比如控制系統(tǒng)制造等領(lǐng)域。

目前主流的鐵電材料主要是鋯鈦酸鉛（PZT）和鉭酸鍶鉍 (SBT)，但其存在疲勞退化問題，并導(dǎo)致對(duì)環(huán)境的污染。目前氧化鉿 (HfO2) 中被發(fā)現(xiàn)存在鐵電相，可以通過將硅 (Si) 摻雜到 HfO2中來穩(wěn)定鐵電相，且不會(huì)污染晶圓廠。盡管如今HfO2并未用于生產(chǎn)FRAM，但它具有廣闊的前景，業(yè)界正在研究這一技術(shù)路線。

主流存儲(chǔ)技術(shù)與新型存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)比

新型內(nèi)存技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)幾十年，如今發(fā)展到一個(gè)在更多應(yīng)用中表現(xiàn)更重要的關(guān)鍵期。通過上述各種存儲(chǔ)技術(shù)對(duì)比能看到，新型存儲(chǔ)器優(yōu)勢(shì)明顯，具備超強(qiáng)性能，延遲堪比內(nèi)存，而且具備超長壽命及可靠性，耐高溫等特性。

由于未來的制程微縮和規(guī)模經(jīng)濟(jì)提升將促使價(jià)格降低，并開始將新興內(nèi)存作為獨(dú)立芯片以及嵌入于ASIC、微控制器(MCU)以及甚至運(yùn)算處理器中，從而使其變得比現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)更具競(jìng)爭(zhēng)力。

同時(shí)，新型存儲(chǔ)的發(fā)展也推動(dòng)了存算一體技術(shù)的創(chuàng)新和迭代。

存算一體迎來突破？

在馮·諾伊曼架構(gòu)之下，存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元獨(dú)立分開，搬移數(shù)據(jù)的過程需要消耗大量時(shí)間和能量，并且由于處理器和存儲(chǔ)器的工藝路線不同，存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)訪問速度難以跟上CPU的數(shù)據(jù)處理速度，性能已遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于處理器。所以，馮諾依曼架構(gòu)在數(shù)據(jù)處理速度和能效比等方面存在天然限制，這被稱為“存儲(chǔ)墻”。

存算一體架構(gòu)通過將存儲(chǔ)單元和計(jì)算單元融為一體，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，是解決存儲(chǔ)墻問題的最佳方案之一，實(shí)現(xiàn)更高的算力和更高的能效比。

存算一體突破存儲(chǔ)墻

（圖源：云岫資本）

當(dāng)前的存算一體技術(shù)路徑中，既有使用DRAM、SRAM、NAND等傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的方案，也有使用ReRAM、PCM、MRAM等新型存儲(chǔ)器的方案。

前者由于存儲(chǔ)器制造工藝和邏輯計(jì)算單元的制造工藝不同，無法實(shí)現(xiàn)良好的融合，目前只能實(shí)現(xiàn)近存計(jì)算，仍存在存儲(chǔ)墻問題，甚至因?yàn)榛ミB問題可能還會(huì)帶來性能損失。并且，因?yàn)镾RAM和DRAM是易失性存儲(chǔ)器，需要持續(xù)供電來保存數(shù)據(jù)，仍存在功耗和可靠性的問題。

后者則是結(jié)合非易失性新型存儲(chǔ)器，可以利用歐姆定律和基爾霍夫定律在陣列內(nèi)完成矩陣乘法運(yùn)算，而無需向芯片內(nèi)移入和移出權(quán)重。新型存儲(chǔ)器是通過阻值變化來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而存儲(chǔ)器加載的電壓等于電阻和電流的乘積，相當(dāng)于每個(gè)單元可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)乘法運(yùn)算，再匯總相加便可以實(shí)現(xiàn)矩陣乘法，所以新型存儲(chǔ)器天然具備存儲(chǔ)和計(jì)算的屬性。

在這種情況下，同一單元就可以完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算，消除了數(shù)據(jù)訪存帶來的延遲和功耗，是真正意義上的存算一體。

除了上述提到的當(dāng)前較為成熟的四大新型存儲(chǔ)之外，Racetrack內(nèi)存、DNA存儲(chǔ)等新興技術(shù)也在不斷涌現(xiàn)。

Racetrack內(nèi)存

Racetrack內(nèi)存，又稱磁疇壁內(nèi)存（domain-wall memory，DWM），是一種新的內(nèi)存技術(shù)，利用磁性納米管中的原子來存儲(chǔ)信息，每通過一個(gè)晶體管可以讀出16位數(shù)據(jù)，因此其讀寫信息的速度比閃存快10萬倍。

同時(shí)，Racetrack內(nèi)存可以保存大量可以非常快速地訪問的數(shù)據(jù)，資料儲(chǔ)存密度比現(xiàn)有的閃存還高，與現(xiàn)有的硬盤技術(shù)接近，可以作為通用型內(nèi)存（Universal memory）使用。

與其他內(nèi)存技術(shù)相比，Racetrack內(nèi)存可能具有無與倫比的密度，Racetrack 存儲(chǔ)器與閃存一樣是固態(tài)的，沒有笨重的移動(dòng)部件，并且是非易失性的，即使在斷電后也能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

這些設(shè)備不僅能夠在同樣的空間內(nèi)存儲(chǔ)更多的信息，而且其所需的電量及產(chǎn)生的熱量也要少得多，同時(shí)幾乎不會(huì)損壞。其結(jié)果是海量的個(gè)人存儲(chǔ)內(nèi)容僅使用一塊電池便可運(yùn)行幾個(gè)星期，而且這些內(nèi)容幾十年也不用擔(dān)心損壞。

Racetrack內(nèi)存仍然處于研究的初期，迄今為止，大多數(shù)關(guān)于Racetrack存儲(chǔ)的研究都集中在2D設(shè)備上?？茖W(xué)家們正在探索建立3D Racetrack存儲(chǔ)的許多不同方法。實(shí)現(xiàn)三維構(gòu)建的賽道內(nèi)存將不遵從于摩爾定律，將為開發(fā)成本更低、速度更快的設(shè)備提供新的可能性。

DNA存儲(chǔ)

為了尋找更高效能的存儲(chǔ)載體，研究者將目光對(duì)準(zhǔn)到了自然界中遺傳信息的載體DNA。

DNA存儲(chǔ)是一種以生物大分子DNA作為信息載體的存儲(chǔ)技術(shù)，具有容量大、密度高、能耗低和存儲(chǔ)時(shí)間長等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)層面上來看，DNA存儲(chǔ)已經(jīng)被證明是可行的。

前不久，天津大學(xué)合成生物學(xué)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新了DNA存儲(chǔ)算法，將十幅精選敦煌壁畫存入DNA中，通過加速老化實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證壁畫信息在實(shí)驗(yàn)室常溫下可保存千年，在9.4℃下可保存兩萬年。

這項(xiàng)技術(shù)不僅證實(shí)了DNA是可靠的存儲(chǔ)介質(zhì)，同時(shí)也使信息存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代。DNA存儲(chǔ)技術(shù)更適用于存儲(chǔ)重要且無需經(jīng)常訪問、調(diào)用的“冷數(shù)據(jù)”?！袄鋽?shù)據(jù)”在接近零能耗的情況下，理論上來看可保存千年以上。在未來DNA存儲(chǔ)極有可能成為龐大冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。

DNA存儲(chǔ)是一個(gè)新興的、多學(xué)科深度交叉融合的技術(shù)，近幾年DNA存儲(chǔ)的研究已經(jīng)取得了一些突破。DNA 已經(jīng)被研究人員用來以不同的方式管理數(shù)據(jù)，這些研究人員正在努力理解海量數(shù)據(jù)。但目前DNA存儲(chǔ)技術(shù)的落地還存在一些技術(shù)難題，想要把實(shí)驗(yàn)室的樣品變成市場(chǎng)上的產(chǎn)品，需要科研機(jī)構(gòu)、高校、企業(yè)等通力合作。

寫在最后

隨著市場(chǎng)和技術(shù)不斷發(fā)展，AI、5G、IoT和工業(yè)4.0等使得數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，全新的運(yùn)算需求驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)朝更高容量、高讀寫次數(shù)、更快讀寫速度、更低功耗方向發(fā)展。

如上文所述，當(dāng)傳統(tǒng)路徑中延續(xù)性技術(shù)創(chuàng)新的弊端已經(jīng)暴露出來，市場(chǎng)亟待能夠滿足新場(chǎng)景需求的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，新型存儲(chǔ)迎來機(jī)會(huì)窗口。

然而，縱然當(dāng)前主流存儲(chǔ)技術(shù)存在很多局限和挑戰(zhàn)，以及眾多新型存儲(chǔ)技術(shù)層出不窮，但現(xiàn)在說誰將勝出還為時(shí)過早，盡管新型內(nèi)存技術(shù)的未來前景光明，但其仍然很難打入一些根深蒂固的技術(shù)市場(chǎng)。即使經(jīng)濟(jì)效益有所提升，新型內(nèi)存也很難快速顛覆現(xiàn)有市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，只是在當(dāng)前的市場(chǎng)現(xiàn)狀和境遇下，新型存儲(chǔ)憑借顛覆性的技術(shù)創(chuàng)新路徑，迎來了一次追趕傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)寡頭的機(jī)會(huì)。

審核編輯：湯梓紅