時被選擇的。將存儲器芯片的讀/寫信號設置為當片選和smemr/smemw有效時輸出。 4.各份電源的切換，電池各份的重點將會在于電源切換和片選信號的控制。本次為了簡單起見，只單純獲取vcc和電池（為
2020-12-10 16:44:18
的高速緩存，有兩種規格，一種是會固定在電路主板上的高速緩存，另一種是插入電路卡槽的COAST擴充用的高速緩存。2. 第二種是內置于CMOS芯片146818的電路中，內部有128字節小容量的SRAM存儲芯片
2017-06-02 10:45:40
SRAM 即靜態RAM.它也由晶體管組成，SRAM的高速和靜態特性使它們通常被用來作為Cache存儲器。計算機的主板上都有Cache插座。下圖所示的是一個SRAM的結構框圖。由上圖看出SRAM一般由
2022-11-17 14:47:55
從三個層面認識SRAM存儲器
2021-01-05 07:09:10
解析SRAM存儲容量及基本特點
2020-12-31 06:35:01
驅動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類：動態隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。計算機內存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
和這兩個狀態正是因為這種結構，所以SRAM的讀取過程并不會造成SRAM內存儲的的信息的丟失，當然也就不存在什么刷新的問題了。 SRAM芯片的引腳定義 早期的SRAM芯片采用了20線雙列直插（DIP
2020-12-16 16:17:42
引起的功耗。 SRAM的功耗包括動態功耗（數據讀寫時的功耗）和靜態功耗（數據保持時的功耗）。圖1 給出了一個用來分析SRAM功耗來源的結構模型，在這個模型中，將SRAM的功耗來源分成三部分：存儲陣列、行(列
2020-05-18 17:37:24
靜態RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發存儲單元，再通過位線對所觸發的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態CMOS存儲器中，存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上，在一些
2020-06-05 15:18:24
一、實驗目的：1．了解半導體靜態隨機讀寫存儲器SRAM的工作原理及其使用方法2．掌握半導體存儲器的字、位擴展技術3．用proteus設計、仿真基于AT89C51單片機的RAM擴展實驗二、實驗內容
2021-12-08 06:14:13
sram存儲原理是依靠，概念靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據
2021-07-27 06:06:26
存儲器可劃分為哪幾類？存儲器的層次結構是如何構成的？存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進行連接的？
2021-09-16 07:12:10
設計（重點）位擴展（位并聯法）字節擴展（地址串聯法）【1】存儲器的層次結構【2】存儲器的分類這里我們揀SRAM和DRAM來講【3】SRAM基本原理：靜態隨機存取存儲器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
SOPC中的Avalon總線是什么？Nios II系統中的緊耦合存儲器該如何去設計？怎樣去設計一種SRAM的接口？
2021-05-28 06:44:01
靜態隨機存儲SRAM工藝
2020-12-29 07:26:02
靜態隨機存儲器 (Low Power SRAM); 高速靜態隨機存儲器 (High Speed SRAM); 虛擬靜態隨機存儲
2010-09-03 13:05:24
靜態隨機存儲器SRAM存儲數據原理
2021-02-26 06:36:26
面； 之前我一直在想的一個問題是我的局部變量存放在哪里，其實是這樣的，局部變量只有在程序運行的過程中才會生成，當程序不運行，即將關閉單片機的電源后，是沒有局部變量的。所以這就要涉及到程序的兩種狀態存儲態
2022-05-10 15:26:10
DMA直接存儲器訪問過程是怎樣的？
2022-02-15 06:21:47
單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器（Static RAM，SRAM)和動態隨機存儲
2012-08-15 17:11:45
地擦除，而EEPROM可以單個字節擦除。SRAM是靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動態隨機
2022-03-02 07:20:19
FPGA已經被廣泛用于實現大規模的數字電路和系統，隨著CMOS工藝發展到深亞微米，芯片的靜態功耗已成為關鍵挑戰之一。文章首先對FPGA的結構和靜態功耗在FPGA中的分布進行了介紹。接下來提出了晶體管
2020-04-28 08:00:00
當我們使用的電腦運行過程中比較卡的時候，可以通過給電腦加裝內存條來改善電腦的性能。我們可以給單片機外加和內存條效果一樣的SRAM芯片來提升單片機的性能。下面宇芯電子以STM32單片機來講解一下來擴展
2020-05-07 15:58:41
）容量的 CMOS 靜態內存芯片。該芯片具有如下幾個特點：l 高速。具有 45ns/55ns 訪問速度。l 低功耗。l TTL 電平兼容。l 全靜態操作。不需要刷新和時鐘電路。l 三態輸出。l 字節控制
2018-07-02 07:20:15
大家好，我使用的PSOC1設備有一個小問題，CY8C23 433-PVXI。文檔說明它有256字節的SRAM。我有一個使用19字節的小應用程序，編譯器報告使用8%的RAM。然而，當我在
2019-09-02 13:52:48
在CMOS芯片1468l8的電路里：它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在
2019-04-16 09:20:18
SRAM是當今處理器上最普遍的內存。當芯片制造商宣布他們已經成功地將更多的電路封裝到芯片上時，通常是較小的晶體管引起了人們的注意。但是連接晶體管形成電路的互連也必須收縮。IMEC的研究人員提出了一個
2020-05-11 15:40:48
我有一個帶有 1Mx16 外部 SRAM 和 SDMMC 的 stm32f427。我正在通過 DMA 將 SDMMC 以兩個 512 字節的塊讀入 SRAM 到 1024 字節的緩沖區中。SRAM
2023-01-09 06:39:01
文章目錄IS62WV51216特點框圖FSMC驅動原理IS62WV5121616位寬512K容量的CMOS靜態SRAM芯片特點高速；低功耗；兼容TTL電平；全靜態操作；三態輸出；字節控制功能。框圖
2021-12-10 08:14:35
靜態存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設計中，經常會出現串擾問題發生。那么要如何減小如何減小SRAM讀寫操作時的串擾，以及提高SRAM的可靠性呢
2020-05-20 15:24:34
：1.Low power SRAM (低功耗靜態隨機存儲器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速
2013-08-23 11:00:03
開關電路，搭建存儲器編程開發環境，讀寫國產Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。國產的存儲器好像比較少，支持一下。 一，LY62L5128 CMOS SRAM 靜態存儲器（SRAM）是由
2016-08-30 04:32:10
什么是靜態隨機存取存儲器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
組成該存儲器需要多少片ROM芯片和SRAM芯片？ROM芯片、SRAM芯片各需連接CPU的那幾根地址線和數據線？
2021-10-27 06:52:43
隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細介紹關于SRAM
2022-11-17 16:58:07
題目：某計算機字長16位，主存容量128KW，請用16K 8 的靜態RAM存儲芯片和32K 16的ROM芯片，為該機設計一個主存儲器。要求18000H1FFFFH為ROM區，其余為RAM區。畫出存儲器結構及其與CPU連接的框圖。答案：...
2021-07-28 06:33:04
sram是靠什么存儲信息
2021-01-20 07:16:16
資質，主要產品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優勢的產品，是一家專業提供存儲方案解決商。
2020-10-16 14:34:37
U630H64內含反相映射的 8k 字節 SRAM 和 8k 字節 EEPROM ,通過命令可以將SRAM 中的數據寫入 EEPROM 或把 EEPROM 中的數據回送至 SRAM , 以備斷電時的數據保護。該芯片所采用保護數據的方法是除
2009-04-25 13:33:00
33 SRAM 故障模型的檢測方法與應用馮軍宏 簡維廷 劉云海（中芯國際品質與可靠性中心, 上海,201203 ）摘 要： 靜態隨機存儲器（Static Random Access Memory, SRAM）的功能測試用來檢測
2009-12-15 15:07:4644 使用新SRAM工藝實現嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計基于傳統六晶體管(6T)存儲單元的靜態RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現的開發人員所采用的利器，因
2009-02-01 09:11:51
1164 
SRAM,SRAM原理是什么?
靜態隨機存取存儲器SRAM。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數據。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479 DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
QDR聯盟日前宣布推出業界最快的四倍數據率(QDR) SRAM(靜態隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 設計了一種靜態隨機讀寫存儲器( SRAM ) 的B iCMOS 存儲單元及其外圍電路。HSp ice仿真結果表明, 所設計的SRAM 電路的電源電壓可低于3 V 以下, 它既保留了CMOS SRAM 低功靜態存儲器和便攜式數
2011-08-18 17:35:0132 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM的優點是較高的性能、功耗低，缺點是集成度低。
2017-09-01 17:26:233 sram（靜態隨機存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數據的存儲器件，而且是大多數高性能系統的一個關鍵部分。sram具有眾多的架構，各針對一種特定的應用。本文旨在對目前市面上現有的sram做全面評述。
2017-11-03 18:03:052730 靜態隨機存儲器（static RAM），簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM（靜態隨機訪問存儲器）、FLASH（閃速存儲器）、DRAM（動態存儲器）等。其中不同的存儲器有不同的特性
2017-11-16 10:19:550 靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4232437 本文檔的主要內容詳細介紹的是使用DSP進行靜態隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態RAM（SRAM）。外部SRAM存儲器也有很多種類。對于外部SRAM的選擇是由應用需求的性質決定的。使用外部SRAM存儲器兼具優缺點。 優點 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234 關鍵詞：異步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的縮寫，中文稱為靜態隨機存儲器。SRAM是一種具有靜止存取功能的存儲器，不需要通過刷新電路就能保存
2020-03-08 17:15:003527 
SRAM存儲芯片即是靜態隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內部存儲的所有數據。 SRAM存儲芯片主要應用于需要緩存比較小或對功耗有要求的系統。例如很多
2020-04-28 14:16:361185 隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細介紹
2020-04-30 15:48:132878 
兼容，并且滿足各種應用系統對高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以當做異步SRAM使用，稱為新型國產SRAM芯片也不為過, XM8A51216是基于TLC DRAM（三態 DRAM
2020-04-30 15:00:285833 半導體存儲器SRAM是靠雙穩態存儲信息,而半導體存儲器DRAM則是靠電容存儲，半導體靜態存儲器SRAM的存儲原理是依靠雙穩態電路存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管
2020-05-10 10:10:547053 SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的靜態隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則就會出現內部數據會消失，因此SRAM存儲器具有較高的性能。SRAM雖然只是存儲
2020-06-22 13:36:091116 國產存儲芯片的底層技術攻關和相關科研工作，從而推動國家存儲芯片設計前端產業變革和更進一步的發展。接下來星憶代理商英尚微電子介紹STM32F4開發板STM32F4如何驅動外部SRAM芯片。XM8A51216。 STM32F407ZGT6自帶了192K字節的SRAM，對一般應用來
2020-07-01 15:07:092697 
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM存儲器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高
2020-07-16 14:07:445228 
SRAM是可在任何CMOS工藝中免費獲得的存儲器。自CMOS誕生以來，SRAM一直是任何新CMOS工藝的開發和生產制造的技術驅動力。利用最新的所謂的深度學習領域專用域結構（DSA），每個芯片
2020-07-30 16:32:30763 
正確的同步靜態隨機存取存儲器（SRAM）的選擇對于帶寬要求更高，系統性能更好的網絡應用至關重要。系統設計人員需要了解不同同步SRAM技術的特性和優勢，以便為其應用選擇正確的存儲器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:331159 
靜態數據隨機存儲器存儲器（SRAM）是隨機存儲器存儲器的一種。說白了的靜態數據，就是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數據信息就可以恒常維持。相對性下，動態性隨機存儲器存儲器（DRAM）里邊所存儲
2020-08-10 16:43:2413590 SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態隨機存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動態隨機存取存儲器。這兩者有什么區別呢？首先我們看看SRAM的結構，你可以網上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應管組成一個存儲bit單元的結構：
2020-08-22 09:21:0018044 
SRAM是隨機存取存儲器的一種。所謂的靜態是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據，因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快
2020-09-19 11:42:256552 嵌入式靜態隨機存取存儲器（SRAM）是現代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進的腳步，對于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統提供更高的通信效率和并行性，隨著系統吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:413473 Cypress 16兆字節快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節快速異步SRAM的后續產品.Cypress負責這種
2020-11-17 16:35:16621 隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM 逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器（SRAM）由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。近年來 SRAM 在改善系統性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了積極的作用。
2020-11-25 11:39:0013 SRAM即靜態隨機存取存儲器，所謂靜態是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數據就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態隨機存取存儲器）相比它不需要周期性的刷新里面的數據，操作簡單
2020-12-06 09:48:005684 
STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強型系列，工作頻率為72MHz，內置高速存儲器（高達512K字節的閃存和64K字節的SRAM） ，豐富的外設資源足以滿足大部分的一般應用，但對
2020-12-02 14:23:05972 高云半導體FPGA 產品提供了豐富的塊狀靜態隨機存儲器資源，簡稱塊狀靜態存儲器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件內部以行的形式分布，每個B-SRAM 占用3 個CFU 的位置，B-SRAM
2020-12-09 15:31:137 隨著半導體技術的飛速發展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型：靜態RAM（SRAM），動態RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，FLASH MEMORY。這里討論
2021-01-11 16:44:201714 EEPROM，在存儲控制上，最主要的區別是FLASH芯片只能一大片一大片地擦除，而EEPROM可以單個字節擦除。 SRAM是靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止
2021-04-09 17:53:027246 
SRAM是隨機存取存儲器的一種。靜態是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。因此SRAM具有較高的性能，SRAM也有許多種，如Async SRAM （A異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。
2021-04-26 16:21:001101 低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品，是靜態隨機訪問存儲器的一種類別，靜態隨機訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933 在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器（SRAM）由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。
2021-06-15 13:29:414238 
介紹一款可用于數據采集或信號處理過程的緩沖，MCU遠程升級的數據備份和緩存等等的國產SPI SRAM存儲器，EMI7064MSMI是一款具有SPI 接口的SRAM芯片。隨著電子系統應用對SRAM芯片
2021-08-24 17:22:231545 SRAM是隨機存取存儲器的一種。靜態是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM
2021-09-22 15:48:252082 靜態SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非常快，通常能以20ns或更快的速度工作。靜態ram中所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。
2021-09-28 16:46:051368 靜態存儲SRAM芯片包含業界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標準的工業，醫療，商業，汽車和軍事應用。快速SRAM是諸如交換機和路由器，IP電話，測試設備和汽車電子產品之類的網絡應用的理想選擇。
2021-10-11 16:33:1112541 驅動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類：動態隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。 ? 計算機內存主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上緩存。已經歷了數十年的發展。SRAM不需要
2021-10-28 16:13:10722 驅動器和磁泡存儲器。從1970年代開始，主流的集成半導體存儲器則主要分為三類：動態隨機存取存儲器 (DRAM)、靜態隨機存取存儲器 (SRAM) 和閃存。計算機內存主要是DRAM和SRAM。SRAM則具有最快的片上緩存。已經歷了數十年的發展。SRAM不需要周
2021-11-25 19:06:0614 于一些需要采集處理較多數據.應用算法或使用GUI等場合,內置的SRAM就顯得捉襟見肘了,這時就需要擴展SRAM了。IS61LV51216是ISSI公司生產的常用16位SRAM異步存儲芯片,內部512k存儲容量足以滿足多數場合應用需求,存取時間8~12ns ,全靜態操作,不需時鐘或刷新,兼容TTL標準接口
2021-11-26 19:51:0618 一種偽靜態的 SPI SRAM ，只需要SPI接口或者QPI接口，就可以簡簡單單實現單線、4線和8線的方式操作SRAM。這種產品的速度快
2021-12-21 15:54:201202 的不斷提升，存儲器占據芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。 ISSI IS62WV12816DBLL-55TI是高速2M位靜態RAM，位寬為16x128K字。它采用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的工藝與創新的電路設計技術相結合，可產生高性
2021-12-21 16:34:391137 SRAM即靜態隨機存取存儲器，所謂“靜態”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數據就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動...
2022-01-25 20:07:570 SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內部存儲數據的靜態隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則就會出現內部數據...
2022-01-26 19:45:060 隨著微電子技術的迅猛發展，SRAM存儲器逐漸呈現出高集成度、快速及低功耗的發展趨勢。在半導體存儲器的發展中，靜態存儲器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 SRAM即靜態隨機存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路便能保存它內部存儲的數據。
2022-11-17 14:53:32893 SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態隨機存儲器，不需要進行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。
2022-11-17 15:07:54452 靜態隨機存取存儲器SRAM是隨機存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 偉凌創芯國產SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態隨機存取SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個輸出使能引腳，其運行速度快于讀取周期的地址訪問時間。而EMI502NF08VM-10C允許通過數據字節控制(UB,LB)訪問上下字節。
2021-08-10 15:16:50596 
SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來，SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31637
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