近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2017-02-17 07:48:23
1529 156單晶硅不同擴散方阻下的功率對比
2012-08-06 11:00:48
3D Experience — 產品協同研發平臺
2021-01-08 07:30:52
圖表形式分析凸輪性能。具體使用步驟如下：首先打開浩辰3D制圖軟件，然后在菜單欄找到并依次點擊【工具】—【工程參考】—【凸輪設計器】。如下圖所示： 1、使用設計參數選項卡可定義參數，這些參數提供了形狀
2021-04-25 15:51:20
執行器硬件以及一套綜合的軟件套件集成在一起，實現對高性能碳纖維增強熱塑性復合材料零部件的3D打印。2016年2月，美國西亞基公司公布了基于電子束增材制造(EBAM)工藝的金屬3D打印系統專用的IRISS
2019-07-18 04:10:28
請問3D打印一體成型結構復雜的鐵硅磁體技術應用在哪些領域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
的圖形處理和硬件編碼單元之間的某種干擾隔離開來。隨著3D GPU利用率的增加，硬件編碼器利用率下降，幀速率也下降。 GPU遠遠不是最大負載，應該有足夠的儲備。技術文檔指出硬件解碼器性能不應受CUDA負載
2018-09-17 14:38:34
我公司專業從事3D全息風扇研發生產，主要生產供應3D全息風扇PCBA，也可出售整機，其他配件可免費提供供應商信息或者代購，歡迎咨詢 劉先生：*** 微信同號3d全息風扇燈條3d全息風扇PCBA3D全息風扇方案本廣告長期有效
2019-08-02 09:50:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽能電池詳細工藝
2012-08-06 11:49:37
感謝Dryiceboy的投遞據市場分析數據,DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認為當前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩所導致的;有些人則認為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
(EMIF) 的顯著改進。KeyStone 架構能夠以 1333MT/s以上的速率支持高性能 DDR3 SDRAM 存儲器。雖然總線能配置成 16 或 32 位（為節省面板空間和功耗），但其實際支持的總線
2011-08-13 15:45:42
的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數量級。即使是與現有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
描述此參考設計演示了如何實現 SDRAM 存儲器并通過接口連接到高性能微控制器 TM4C129XNCZAD。為了實現此設計，其中采用了該微控制器的 EPI 接口來連接 256Mbit SDRAM
2018-08-30 09:31:51
說明和庫中自帶的例程。以下內容來自AN2784應用筆記：2 與非總線復用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個NOR閃存存儲器，需要FSMC提供下述功能：●選擇合適的存儲塊映射NOR
2015-01-22 15:56:51
說明的中文翻譯版中并沒有這部分的說明，因此需要參考庫函數的相關說明和庫中自帶的例程。以下內容來自AN2784應用筆記：2 與非總線復用模式的異步16位NOR閃存接口2.1FSMC配置控制一個NOR閃存存儲器，需要
2015-01-22 15:56:51
各位大俠，小女子在做半導體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數是什么？任何經驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-02 10:53:41
各位大神，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-08 10:43:08
各位大蝦，請問哪位做過，用n型高阻單晶硅做歐姆接觸的實驗的？可以詳細地講講如何實現良好的歐姆接觸的嗎？比如用了什么金屬，需要鍍膜嗎？退火的時候需要什么樣的氣體，多少溫度，多長時間？還有其他需要注意的條件？小女子在此表示感謝~
2011-03-15 12:25:03
青海堿業有限公司煅燒車間從2013年開始使用YR-ER101單晶硅差壓變送器，選用該系列變送器是看中昌暉單晶硅變送器的高穩定性、低溫度漂移和高精度性能。因現場應用環境惡劣，強腐蝕和強電磁干擾對任何
2018-02-25 21:56:50
數據存儲架構發生變化，一個表現在QLC的大容量，另一個是3D Xpoint技術的高性能、低延遲。目前IBM云服務、騰訊數據中心分別采用傲騰和QLC技術，百度云人工智能更是結合了QLC和傲騰的優勢，達到
2018-09-20 17:57:05
BeSang之前的許多設計都是偽3D。” Simon Sze在1967年曾經于貝爾實驗室發明了用于非易失性存儲器件的浮柵金屬氧化晶體管。Sze現在是***一所大學的教授。 “SoC將邏輯單元
2008-08-18 16:37:37
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術
2021-05-21 07:00:24
flash中運行。嵌入式系統多用一個小容量的nor flash存儲引導代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統和內核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
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2010-10-31 14:01:11
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2010-10-31 14:00:00
的技術組件： · 單晶硅傳感器 · 高性能ASIC · 兩個芯片外殼 圖3 產品參數表 傳感器的核心：單晶硅傳感器 硅傳感器（每個MEMS的核心）傳統上是批量生產或以表面微加工工藝制造
2020-07-07 09:36:40
分享一篇基于FPGA的3D頭盔顯示設備研究論文，值得學習！
2020-08-27 09:58:02
人臉。這是由于目前基于RGB等2D空間的主流活體檢測方案未考慮光照、遮擋等干擾因素對于檢測的影響，而且存在計算量大的缺點。而數跡智能團隊研發的3D SmartToF活體檢測方案則可以有效解決此問題。那么
2021-01-06 07:30:13
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構成包含頁內地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
廠家求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 13:58:27
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
PCB設計團隊的組建建議是什么高性能PCB設計的硬件必備基礎高性能PCB設計面臨的挑戰和工程實現
2021-04-26 06:06:45
切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據，以作將來檢索用途。目前市場上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
3D打印技術是綜合了三維數字技術、控制技術、信息技術眾多技術的創新研發技術，具有設計樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點。通過數字化設計工具+3D打印技術相結的模式，可以幫助企業高效實現創新
2021-05-27 19:05:15
4Gb到100Gb的密度.談及循環及數據保留間的強相關性，使用N削D來獲得高寫入性能的系統經常面對一個困難即在長時間的休止狀態下如何保證足夠的數據保留。變相存儲器：新的儲存器創建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
是第一個推出1Tb級產品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
計算機！該項目是一個英國設計團隊的心血結晶。他們開發了一個以聚乳酸長絲為材料的3D打印系統，花了超過160小時的時間完成打印。盡管理想是提供模型讓大家下載打印，但更切實際的做法是提供套件，讓學生及動手
2014-09-22 14:27:46
如何滿足各種讀取數據捕捉需求以實現高速接口？如何讓接收到的時鐘與數據中心對準？為了縮短設計周期應遵循哪些規則？如何設計存儲器接口才能獲得更高性能？
2021-04-14 06:30:23
我對工藝不是很懂，在氧化層上直接淀積的話是不是非晶硅？如果要單晶硅的話應該怎么做？（有個思路也可以）
2011-06-23 11:06:36
影響EDMA性能的因素有哪些？有哪幾種主模塊共享存儲器的性能？
2021-04-19 11:08:41
。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術
2011-11-19 11:53:09
。RAM類型的存儲器易于使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于只讀存儲器(ROM)技術
2011-11-21 10:49:57
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲器如圖 3 所示，AND閃速存儲器單元的結構如圖 4 所示。市場上銷售的閃速存儲器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲器的單元是串聯的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
的NOR以及硅盤中應用的NAND閃速存儲器，在寫入時為高 V th ；而AND及DINOR閃速存儲器中，在寫人時為低 V th 。
2018-04-10 10:52:59
QGM600-8XB 單晶硅棒切方滾磨機床是在硅單晶棒數控滾磨機上開發而成，單晶棒數控滾磨機床是我公司獨立開發研制的。該產品全部替代了日本滾磨機床，國內很多企業需單晶硅棒
2009-12-20 09:25:37
42 單晶硅與多晶硅的區別
單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些
2009-03-04 15:13:584212 什么是單晶硅
可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工制造，其后續產品集成電
2009-03-04 15:14:503429 什么是單晶硅
單晶硅英文名稱：Monocrystalline silicon
分
2009-04-08 17:17:458937
單晶硅太陽能電池
硅系列太陽能電池中，單晶硅大陽能電池轉換效率最高，技術也最為
2009-11-07 16:18:322207 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 1）區域熔煉法 以高純多晶硅為原料，制成棒狀，并將多晶硅棒垂直固定，在多晶硅棒的下端放置具有一定晶相的單晶硅
2010-07-18 11:22:116552 1、根據合同要求，驗收單晶硅電池片的功率及等級，例如125的A級，就只要A1的，功率為2.57~2.7，再此時得問清楚電池片的功率是正公差還是負公差，選用正公差的。
2010-08-30 12:00:021105 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成
2011-06-23 10:43:22149 晶體硅中的雜質或缺陷會顯著地影響各種硅基器件的性能。用常規化學腐蝕法顯示出單晶硅中的缺陷，觀察典型的位錯。通過實驗發現缺陷分布的一般規律：中間尺寸大，密度小，邊緣
2012-06-06 15:33:207828 
美研究人員日前稱，他們發現一種通過單晶硅體提高鋰離子電池性能的技術。這項技術可以用于電動汽車電池研發，有助于生產能量更強、壽命更長、充/換電循環次數更多的新型電池。
2012-07-24 11:40:36910 單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的
2012-10-19 17:23:4410035 基于SOC的高性能存儲器控制器設計_張鵬劍
2017-01-07 18:39:170 單晶硅晶片及單晶硅的制造方法 本發明的單晶硅晶片及單晶硅的制造方法，是屬于切克勞斯基法（CZ法）生長單晶硅晶片，其特征為：對全部晶片進行熱氧化處理時，在環狀發生OSF的外側的N區域，不存在通過Cu
2017-09-28 16:35:3018 單晶硅作為晶體材料的重要組成部分，目前已經得到廣泛的運用。本文主要介紹了單晶硅的相關概念以及全球單晶硅生產商排名狀況。
2017-12-18 17:55:3852312 隨著半導體制程技術不斷演進，芯片的晶體管的密集度屢創新高之際，同步也朝向更省電的發展推進，旺宏電子（Macronix）自推出業界最快的SPI NOR Flash系列存儲器產品，以500MB/s傳輸
2018-01-02 10:06:391443 旺宏昨日召開財報會表示，2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產品占2017年第四季NOR營收60%，旺宏并預計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來
2018-02-01 05:34:011107 
研究人員最近展示了使用單晶硅對可見光進行精確的顏色控制，該研究成果發表在納米快報上。
2018-02-09 14:20:555076 ，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質中，而 NAND 則用于數據存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 單晶硅具有兩種同晶，結晶和無定形。晶體硅進一步分為單晶硅和多晶硅，兩者都具有金剛石晶格。該晶體硬且脆，具有金屬光澤，并且是導電的，但導電性不如金屬，并且隨溫度增加，并且具有半導體特性。
2019-04-11 13:53:31175548 單晶硅光伏組件是以高純的單晶硅棒為原料的太陽能電池板，目前廣泛的應用于光伏市場中。單晶硅光伏組件光電轉換率較高，在弱光條件下表現比同類產品更好。多晶硅光伏組件是由多晶太陽能電池片按照不同的串、并陣列排列而構成的。多晶硅光伏組件性價比較高，交大光谷的多晶硅光伏組件的發電效率通常在17%左右。
2019-04-11 13:55:5063233 單晶硅也稱硅單晶，是電子信息材料中最基礎性材料，屬半導體材料類。單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。
2019-06-24 14:46:3118952 
3月25日，隆基發布單晶硅片價格公示，單晶硅片P型M6 180μm厚度價格為3.41元，較上個月下降0.06元/片。這是隆基11個月以來166單晶硅片首次降價。
2020-03-26 11:02:411585 
隨著單晶硅片制造向大直徑化發展，直拉法單晶硅生長技術在單晶硅制造中逐漸顯出其主導地位。為使結晶過程更加穩定和實用有效，則需提高對工藝參數的控制精度，基于CCD攝像掃描識別技術的單晶硅等徑生長速度控制技術得到業界的重視。
2020-10-04 17:57:001804 
單晶硅具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用于制造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
2021-02-24 15:56:2026183 本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結構相關，缺陷相關，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
近日，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員朱慧瓏團隊利用研發的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優勢，又具三維一體集成的制造成本低的優點。
2022-11-22 15:01:14546 NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長等優勢，在人工智能、汽車電子和工業領域中發揮著不可替代的作用。
2022-11-24 17:05:42232 單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型，其主要區別在于材料。
單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉換效率和穩定性，因此在太陽能發電領域中應用較為廣泛。但是，制造過程成本較高，價格較貴。
2023-06-08 16:04:414919 什么是單晶硅，什么是多晶硅，二者究竟是怎么形成的，單晶硅和多晶硅有什么區別，多晶矽與單晶硅的主要差異體現在物理性質方面，主要包括力學性質、電學性質等方面，下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423985 根據太陽能電池種類的差異，不同太陽能電池的生產工藝也會有所不同，抉擇一塊電池性能的重要環節是制作太陽能電池的清洗制絨。單晶硅太陽能電池生產工藝的優劣可判斷其在應用過程中是否具有超高的使用價值
2023-08-19 08:36:27811 
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設備，常用于太陽能光伏發電系統中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成，每個電池片都被覆蓋在透明的防反射玻璃上，并使用鋁框架進行支撐和保護。
2023-11-29 09:46:061008 在現代工業控制領域中，傳感器作為感知的核心元件，其性能的優劣直接影響到整個系統的準確性和穩定性。而單晶硅和擴散硅壓力變送器作為壓力測量領域的兩大主流。更是受到越來越多企業、工程師的青睞。那么今天浙江
2024-03-15 11:53:3958 
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