請(qǐng)問(wèn)3D打印一體成型結(jié)構(gòu)復(fù)雜的鐵硅磁體技術(shù)應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？前景如何？
2020-05-27 17:14:34
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng)鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類(lèi)為非易失性存儲(chǔ)器是可以，但是FRAM的高速讀寫(xiě)性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲(chǔ)器的分類(lèi)令人
2012-01-06 22:58:43
第一套在8086的微計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器是如何組織的？是如何與處理器總線(xiàn)連接的？#BHE信號(hào)起什么作用？答：8086 為 16 位處理器，可訪(fǎng)問(wèn) 1M 字節(jié)的存儲(chǔ)器空間；1M 字節(jié)的存儲(chǔ)器分為兩個(gè)
2021-07-26 06:06:49
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲(chǔ)器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫(xiě)速度快，成本低，讀寫(xiě)周期短。 技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有
2017-10-24 14:31:49
，所以發(fā)展迅速。 2、鐵電存儲(chǔ)器FRAM 它是利用鐵電材料極化方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。它的特點(diǎn)是集成度高，讀寫(xiě)速度快，成本低，讀寫(xiě)周期短。技術(shù)資料出處:eefocus該文章僅供學(xué)習(xí)參考使用，版權(quán)歸作者所有。AO-Electronics 傲壹電子 `
2017-12-21 17:10:53
flash存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換成鐵電存儲(chǔ),應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
一． 概述：FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為
2019-07-11 06:08:19
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪(fǎng)問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類(lèi)型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
，擦寫(xiě)次數(shù)低,寫(xiě)數(shù)據(jù)功耗大等缺點(diǎn)。 鑒于以上情況，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)。鐵電存儲(chǔ)器具有以下幾個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn)： i. 讀寫(xiě)速度快。串口FRAM的時(shí)鐘速度可達(dá)
2014-04-25 11:05:59
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
什么是FRAM?FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱(chēng)為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性
2014-06-19 15:49:33
出第一個(gè)4Kb的鐵電存儲(chǔ)器FRAM產(chǎn)品，目前所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。最近幾年，F(xiàn)RAM又有新的發(fā)展，采用了0.35μm工藝，推出了3V產(chǎn)品，開(kāi)發(fā)出“單管單容”存儲(chǔ)單元的FRAM
2014-04-25 13:46:28
MX25L12805D是Macronix International公司生產(chǎn)的一款128MFLASH存儲(chǔ)器，它采用了外設(shè)接口軟件協(xié)議，允許運(yùn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的3線(xiàn)總線(xiàn)。這3個(gè)總線(xiàn)信號(hào)分別是時(shí)鐘輸入
2021-04-22 07:25:35
跑程序時(shí)候暫存臨時(shí)數(shù)據(jù)的地方，一般不太大，從128字節(jié)到幾K字節(jié)都有，一掉電數(shù)據(jù)就沒(méi)了。EEPROM掉電也不丟數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，一般都用來(lái)存設(shè)置。可以一字節(jié)一字節(jié)的把每字節(jié)的8位1任意編寫(xiě)成0...
2022-01-26 07:14:56
STM32 存儲(chǔ)器一 存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線(xiàn)性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32
我遇到很奇葩的需求——STM32外掛鐵電存儲(chǔ)器，要求：最好SPI接口；最好能滿(mǎn)足64Kb容量；擦寫(xiě)次數(shù)百萬(wàn)次以上；支持的電壓最高不超過(guò)5.5V。很奇葩的要求啊，這個(gè)可以有么？親們，推薦下唄！
2014-05-26 10:53:41
stm32擴(kuò)展鐵電存儲(chǔ)器FM16W08的程序怎么寫(xiě)？？有參考 的嗎讀寫(xiě)程序該怎么操作！！
2013-12-26 21:47:03
◎◎○○○○○寫(xiě)入時(shí)間◎◎○－△△△位成本△○△◎△△◎大容量化○◎△◎△△◎存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)在觸發(fā)器電路在電容器中保持電荷使鐵電發(fā)生極化將離子注入晶體管在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷在浮柵中保持電荷
2019-04-21 22:57:08
大家可以看看終極存儲(chǔ)器啊！
2012-04-21 10:37:24
你好在我們的設(shè)計(jì)中，我們只有32MB外部存儲(chǔ)器控制器和ECC啟用，因此只有16MB可用于操作系統(tǒng)。使用設(shè)計(jì)（Vivado文件）創(chuàng)建項(xiàng)目（SW）時(shí)。在“主存儲(chǔ)器”選擇選項(xiàng)卡下
2020-05-05 12:22:19
的非易失性存儲(chǔ)器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開(kāi)發(fā)板來(lái)為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_(kāi)始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類(lèi)型的客戶(hù)，都普遍很少用，只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫(xiě)速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問(wèn)題，同時(shí)又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。鐵電存儲(chǔ)器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專(zhuān)利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存儲(chǔ)器
2019-04-28 09:57:17
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲(chǔ)器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類(lèi)型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱(chēng)之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
用一個(gè)鐵電存儲(chǔ)器可取代原MCU需配置的2~3個(gè)不同的存儲(chǔ)器，統(tǒng)一的存儲(chǔ)器架構(gòu)使用戶(hù)在成本和靈活性上獲益。這種集
2021-11-10 08:28:08
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過(guò)鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
LC87F17C8A是一個(gè)8位單片機(jī)和USB全速主機(jī)/設(shè)備控制器。128 k字節(jié)閃速存儲(chǔ)器/ 8192字節(jié)的RAM / 48-pin。
2017-04-06 09:15:10
3 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:57
2584 
應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲(chǔ)器64K MB85RS64。
2021-06-28 15:50:412599 
介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
2021-06-28 15:52:461394 
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:521037 在某汽車(chē)鑰匙方案中，客戶(hù)需要一款128Kb的存儲(chǔ)用來(lái)存一些參數(shù)。由于汽車(chē)鑰匙產(chǎn)品普遍使用紐扣電池供電，對(duì)功耗的要求比較嚴(yán)格，一般運(yùn)行功耗要求10mA以?xún)?nèi)，低功耗10μA以下。
2022-11-30 11:29:34295 在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過(guò)傳感器采集信息，并將信息進(jìn)行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過(guò)LORA的無(wú)線(xiàn)傳輸方式傳輸?shù)胶蠖耍?b class="flag-6" style="color: red">字節(jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:13384 國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)客戶(hù)在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來(lái)存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶(hù)使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:04584 它的讀/寫(xiě)耐久性大大超過(guò)FLASH和EEPROM，且不會(huì)像FLASH或EEPROM那樣需要很長(zhǎng)的數(shù)據(jù)寫(xiě)入時(shí)間，而且它不需要等待時(shí)間。
2023-01-11 16:20:32224 PB85RS128鐵電存儲(chǔ)器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:32672 無(wú)人機(jī)通過(guò)高清光學(xué)相機(jī)拍攝視頻、機(jī)載SAR成像系統(tǒng)采集SAR圖像，可以收集到人工原本無(wú)法獲得的信息，完成原本無(wú)法做到的事，而信息的采集離不開(kāi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的支持
2023-02-28 09:18:25495 PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無(wú)污染。
2023-04-20 11:29:57224 鐵電存儲(chǔ)器硬件接線(xiàn)圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫(xiě)速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫(xiě)后容易損壞，無(wú)法滿(mǎn)足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫(xiě)，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫(xiě)操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿(mǎn)足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性?xún)?yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶(hù)的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿(mǎn)足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無(wú)法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48188 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
從辦公室復(fù)印機(jī)、水電表、高檔服務(wù)器到汽車(chē)安全氣囊和娛樂(lè)設(shè)施，鐵電存儲(chǔ)器不斷改進(jìn)性能，逐漸在世界范圍內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用。拍字節(jié)推出的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)在在工藝和設(shè)計(jì)上創(chuàng)新性采用3D架構(gòu)
2022-05-06 10:36:32328 
無(wú)錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來(lái)，一直專(zhuān)注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過(guò)不懈的努力
2022-04-29 15:34:081079 是一個(gè)典型的便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)，其系統(tǒng)考慮因素如下：●系統(tǒng)每100ms捕獲并記錄128位采樣數(shù)據(jù)；●系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲和處理時(shí)間為5ms，工作電流為7mA（不包括向存儲(chǔ)器寫(xiě)入
2022-08-01 11:46:32322 
信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節(jié)VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機(jī)存
2022-08-19 14:08:11379 
在諸多工業(yè)、汽車(chē)等對(duì)可靠性有高要求的應(yīng)用場(chǎng)景中，通常會(huì)使用FRAM存儲(chǔ)器來(lái)儲(chǔ)存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫(xiě)次數(shù)高，讓FRAM在眾多存儲(chǔ)器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:25367 
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)往往不夠用，這時(shí)候就需要外掛存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲(chǔ)，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:42531 
存儲(chǔ)器來(lái)完成。一般來(lái)說(shuō)，額溫槍的主控MCU不帶可編程存儲(chǔ)器，因此都需要外加。外加的存儲(chǔ)器可以通過(guò)總線(xiàn)(I2C接口或SPI接口)和MCU進(jìn)行通信和數(shù)據(jù)讀寫(xiě)存儲(chǔ)。本文主要
2022-09-23 10:54:56366 音頻電話(huà)會(huì)議需記錄會(huì)議中的重要信息，所以其用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)模塊的存儲(chǔ)器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話(huà)會(huì)議的簡(jiǎn)略框圖，該方案中存儲(chǔ)模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:33448 、128KB容量、低功耗、工作電壓低至2.8V，而且必須是SPI通訊。根據(jù)項(xiàng)目需求，我們提到了拍字節(jié)的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作電壓2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:37439 
，越是對(duì)使用有限制、有要求的場(chǎng)景，就越會(huì)使用FRAM來(lái)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車(chē)尾門(mén)控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用
2022-10-18 17:50:29342 
本文簡(jiǎn)述國(guó)產(chǎn)拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)應(yīng)用于心率血壓測(cè)量裝置的方案。在全球老齡化趨勢(shì)加重、疫情持續(xù)影響衛(wèi)生系統(tǒng)的時(shí)代背景下，智慧醫(yī)療設(shè)備的應(yīng)用需求越來(lái)越廣泛，其中，心率血壓測(cè)量計(jì)作為基礎(chǔ)生物體
2022-10-24 09:35:24342 
字量采樣經(jīng)過(guò)ADC和光耦送入CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和運(yùn)算。因此，一個(gè)合適的隨機(jī)存儲(chǔ)器必不可少。CPU控制系統(tǒng)圖本文主要提到拍字節(jié)的128Kb鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB
2022-10-27 16:12:31433 
進(jìn)行分析、跟蹤等。某工程師需要一個(gè)128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:11372 
C，支持SPI和百萬(wàn)次讀寫(xiě)周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲(chǔ)器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:32499 
PB85RS128C是國(guó)產(chǎn)128KbFRAM，其運(yùn)行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以?xún)?nèi)，滿(mǎn)足汽車(chē)鑰匙對(duì)存儲(chǔ)器的功耗要求。應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)
2022-11-23 10:25:54449 
)PB85RS128，該FRAM采用SPI接口，同時(shí)支持工業(yè)級(jí)-40℃~85℃的溫度范圍，也被廣泛用于儀器儀表、安全系統(tǒng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)設(shè)備等。PB85RS
2022-11-25 09:27:52474 
的PB85RS128，該款鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信，包含128Kb內(nèi)存容量。無(wú)線(xiàn)耳機(jī)的基本原理框圖在無(wú)線(xiàn)耳機(jī)中使用PB85RS128，會(huì)帶來(lái)
2022-11-29 10:25:59423 
MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案，規(guī)格需求如下：容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:31392 
在一些工業(yè)環(huán)境應(yīng)用中，測(cè)量重量等信息是必不可少的，有的設(shè)備還需要遠(yuǎn)程無(wú)線(xiàn)傳輸?shù)胶蠖恕?duì)此，基于LORA的信息采集系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文就此介紹了拍字節(jié)的PB85RS128在基于LORA的信息采集系統(tǒng)
2022-12-08 17:57:55290 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-03-23 11:25:23270 
，鐵電存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:25393 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:03382 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 器必須具有如下三方面的功能：1、寫(xiě)入速度快，能及時(shí)記錄數(shù)據(jù)，2、能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)，3、能記錄數(shù)據(jù)發(fā)生的準(zhǔn)確時(shí)刻。使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種
2023-05-24 11:42:10
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫(xiě)入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問(wèn)題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問(wèn)題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫(xiě)入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
隨著高速數(shù)據(jù)通信的進(jìn)步，數(shù)據(jù)更頻繁地發(fā)送意味著對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的需求增加，因?yàn)榉且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器可以承受這種頻繁的數(shù)據(jù)操作。鐵電存儲(chǔ)器是具有物聯(lián)網(wǎng)新時(shí)代所要求的高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的理想存儲(chǔ)設(shè)備
2023-08-24 10:05:59
或是其他數(shù)據(jù)處理時(shí)，只有這類(lèi)內(nèi)存才能夠可靠而無(wú)延遲地儲(chǔ)存?zhèn)鞲?b class="flag-6" style="color: red">器所搜集的數(shù)據(jù)。故此鐵電存儲(chǔ)器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件，無(wú)論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)
2023-09-01 10:04:52
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫(xiě)入耐久度PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
的系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)。 其中鐵電存儲(chǔ)器可使用國(guó)芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫(xiě)功能，記錄儀可以實(shí)時(shí)在線(xiàn)記錄現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)，并可以通過(guò)以太網(wǎng)通信方式與上位機(jī)進(jìn)行
2023-11-15 10:34:19
要考慮到電能系統(tǒng)復(fù)雜多變的環(huán)境、低功耗、讀寫(xiě)操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)系統(tǒng)存儲(chǔ)要求的是國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門(mén)禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車(chē)記錄儀、工業(yè)儀器等等。國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
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